[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210380808.1
• 申請(qǐng)日: 2022-04-12
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN114743951A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-07-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 洪齊元;王貽源
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 芯盟科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/50
• 分類號(hào): H01L23/50;H01L23/52;H01L23/535;H01L25/18;H01L21/60;H05K1/09
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 朱得菊;徐文欣

一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，結(jié)構(gòu)包括：第一芯片；第二芯片；位于第一芯片和第二芯片之間的轉(zhuǎn)接板，所述轉(zhuǎn)接板電連接所述第一芯片和第二芯片，所述轉(zhuǎn)接板內(nèi)具有有源器件，所述有源器件用于實(shí)現(xiàn)所述第一芯片和第二芯片連接后的功能。所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的堆疊集成難度降低。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法。

背景技術(shù)

現(xiàn)有三維異構(gòu)集成的設(shè)計(jì)方法有芯片與晶圓堆疊(Die on Wafer，簡(jiǎn)稱DoW)和晶圓與晶圓堆疊(Wafer on Wafer，簡(jiǎn)稱WoW)。其中具有代表性的應(yīng)用是將存儲(chǔ)芯片(DRAMdie)和邏輯芯片(logic die)進(jìn)行堆疊。這種堆疊方式對(duì)邏輯芯片的架構(gòu)，設(shè)計(jì)以及物理實(shí)現(xiàn)有很大改動(dòng)，對(duì)邏輯芯片的設(shè)計(jì)難度和周期有較大影響。

因此，需要優(yōu)化芯片和芯片的堆疊方式。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，以優(yōu)化芯片和芯片的堆疊方式。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明技術(shù)方案提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：第一芯片；第二芯片；位于第一芯片和第二芯片之間的轉(zhuǎn)接板，所述轉(zhuǎn)接板電連接所述第一芯片和第二芯片，所述轉(zhuǎn)接板內(nèi)具有有源器件，所述有源器件用于實(shí)現(xiàn)所述第一芯片和第二芯片連接后的功能。

可選的，所述第一芯片包括存儲(chǔ)芯片。

可選的，所述第二芯片包括邏輯芯片。

可選的，所述有源器件包括分布式存儲(chǔ)控制器件，所述分布式存儲(chǔ)控制器件為邏輯芯片分布式調(diào)配存儲(chǔ)芯片資源的控制中心。

可選的，所述轉(zhuǎn)接板的長(zhǎng)度和寬度與所述第一芯片的長(zhǎng)度和寬度相同。

可選的，所述第一芯片包括：第一襯底，所述第一襯底具有相對(duì)的第一面和第二面；位于第一襯底第一面上的第一器件層，所述第一器件層內(nèi)具有第一器件結(jié)構(gòu)；位于第一器件層上的第一金屬層，所述第一金屬層與所述第一器件結(jié)構(gòu)電連接。

可選的，所述第二芯片包括：第二襯底，所述第二襯底具有相對(duì)的第三面和第四面；位于第二襯底第三面上的第二器件層，所述第二器件層內(nèi)具有第二器件結(jié)構(gòu)；貫穿所述第二器件層和第二襯底的第二連接層，所述第二襯底通過(guò)第四面暴露出的第二連接層與所述轉(zhuǎn)接板電連接；位于第二器件層上和第二連接層上的第二金屬層，所述第二金屬層與所述第二器件結(jié)構(gòu)電連接。

可選的，所述轉(zhuǎn)接板包括：第三襯底，所述第三襯底具有相對(duì)的第五面和第六面；位于第三襯底第五面上的第三器件層，所述第三器件層內(nèi)具有有源器件；貫穿所述第三器件層和第三襯底的第三連接層，所述第三襯底通過(guò)第六面暴露出的第三連接層與所述第一芯片的第一金屬層電連接；位于第三器件層上和第三連接層上的第三金屬層，所述第三金屬層與所述第二芯片的第二連接層電連接。

可選的，還包括：位于第二金屬層表面的焊接層。

相應(yīng)地，本發(fā)明技術(shù)方案還提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：提供第一芯片；提供第二芯片；提供轉(zhuǎn)接板，所述轉(zhuǎn)接板內(nèi)具有有源器件；將所述轉(zhuǎn)接板分別與所述第一芯片和第二芯片電連接，所述有源器件用于實(shí)現(xiàn)所述第一芯片和第二芯片連接后的功能。

可選的，所述第一芯片包括存儲(chǔ)芯片。

可選的，所述第二芯片包括邏輯芯片。

可選的，所述有源器件包括分布式存儲(chǔ)控制器件，所述分布式存儲(chǔ)控制器件為邏輯芯片分布式調(diào)配存儲(chǔ)芯片資源的控制中心。

可選的，所述轉(zhuǎn)接板的長(zhǎng)度和寬度與所述第一芯片的長(zhǎng)度和寬度相同。

可選的，所述第一芯片包括：第一襯底，所述第一襯底具有相對(duì)的第一面和第二面；位于第一襯底第一面上的第一器件層，所述第一器件層內(nèi)具有第一器件結(jié)構(gòu)；位于第一器件層上的第一金屬層，所述第一金屬層與所述第一器件結(jié)構(gòu)電連接。