[發明專利]半導體結構及其形成方法

在審

• 申請號: 202210380808.1
• 申請日: 2022-04-12
• 公開（公告）號: CN114743951A
• 公開（公告）日: 2022-07-12
• 發明（設計）人: 洪齊元;王貽源
• 申請（專利權）人: 芯盟科技有限公司
• 主分類號: H01L23/50
• 分類號: H01L23/50;H01L23/52;H01L23/535;H01L25/18;H01L21/60;H05K1/09
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 朱得菊;徐文欣

1.一種半導體結構，其特征在于，包括：

第一芯片；

第二芯片；

位于第一芯片和第二芯片之間的轉接板，所述轉接板電連接所述第一芯片和第二芯片，所述轉接板內具有有源器件，所述有源器件用于實現所述第一芯片和第二芯片連接后的功能。

2.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述第一芯片包括存儲芯片。

3.如權利要求2所述的半導體結構，其特征在于，所述第二芯片包括邏輯芯片。

4.如權利要求3所述的半導體結構，其特征在于，所述有源器件包括分布式存儲控制器件，所述分布式存儲控制器件為邏輯芯片分布式調配存儲芯片資源的控制中心。

5.如權利要求3所述的半導體結構，其特征在于，所述轉接板的長度和寬度與所述第一芯片的長度和寬度相同。

6.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述第一芯片包括：第一襯底，所述第一襯底具有相對的第一面和第二面；位于第一襯底第一面上的第一器件層，所述第一器件層內具有第一器件結構；位于第一器件層上的第一金屬層，所述第一金屬層與所述第一器件結構電連接。

7.如權利要求6所述的半導體結構，其特征在于，所述第二芯片包括：第二襯底，所述第二襯底具有相對的第三面和第四面；位于第二襯底第三面上的第二器件層，所述第二器件層內具有第二器件結構；貫穿所述第二器件層和第二襯底的第二連接層，所述第二襯底通過第四面暴露出的第二連接層與所述轉接板電連接；位于第二器件層上和第二連接層上的第二金屬層，所述第二金屬層與所述第二器件結構電連接。

8.如權利要求7所述的半導體結構，其特征在于，所述轉接板包括：第三襯底，所述第三襯底具有相對的第五面和第六面；位于第三襯底第五面上的第三器件層，所述第三器件層內具有有源器件；貫穿所述第三器件層和第三襯底的第三連接層，所述第三襯底通過第六面暴露出的第三連接層與所述第一芯片的第一金屬層電連接；位于第三器件層上和第三連接層上的第三金屬層，所述第三金屬層與所述第二芯片的第二連接層電連接。

9.如權利要求7所述的半導體結構，其特征在于，還包括：位于第二金屬層表面的焊接層。

10.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括：

提供第一芯片；

提供第二芯片；

提供轉接板，所述轉接板內具有有源器件；

將所述轉接板分別與所述第一芯片和第二芯片電連接，所述有源器件用于實現所述第一芯片和第二芯片連接后的功能。

11.如權利要求10所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第一芯片包括存儲芯片。

12.如權利要求11所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第二芯片包括邏輯芯片。

13.如權利要求12所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述有源器件包括分布式存儲控制器件，所述分布式存儲控制器件為邏輯芯片分布式調配存儲芯片資源的控制中心。

14.如權利要求12所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述轉接板的長度和寬度與所述第一芯片的長度和寬度相同。

15.如權利要求10所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第一芯片包括：第一襯底，所述第一襯底具有相對的第一面和第二面；位于第一襯底第一面上的第一器件層，所述第一器件層內具有第一器件結構；位于第一器件層上的第一金屬層，所述第一金屬層與所述第一器件結構電連接。