[發(fā)明專(zhuān)利]封裝基板的制作方法及封裝基板

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210377565.6
• 申請(qǐng)日: 2022-04-11
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN114900960A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-08-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳先明;林文健;黃高;黃本霞;黃聚塵;馮進(jìn)東
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 珠海越亞半導(dǎo)體股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H05K3/00
• 分類(lèi)號(hào): H05K3/00;H05K3/06;H05K3/42
• 代理公司: 廣州嘉權(quán)專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 44205
• 代理人: 張志輝

本發(fā)明公開(kāi)了一種封裝基板的制作方法及封裝基板，涉及半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域。該方法包括以下步驟：準(zhǔn)備雙面覆銅的基板；對(duì)基板進(jìn)行激光鉆孔，形成通孔；對(duì)基板進(jìn)行填孔電鍍，以使通孔內(nèi)形成實(shí)心銅柱；在實(shí)心銅柱的兩端分別形成導(dǎo)通銅柱；蝕刻基板表面的銅箔；在基板的雙面設(shè)置第一介質(zhì)層，并使導(dǎo)通銅柱的端面暴露，以形成芯板。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的封裝基板的制作方法，能夠形成高介厚、具有實(shí)心導(dǎo)通孔的芯板，解決了現(xiàn)有厚芯板非實(shí)心導(dǎo)通孔的工藝缺陷，改善了現(xiàn)有工藝中孔密度受限、以及非實(shí)心導(dǎo)通孔應(yīng)力差等問(wèn)題。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種封裝基板的制作方法及封裝基板。

背景技術(shù)

隨著電子產(chǎn)品往小型化、多功能集成的方向進(jìn)行發(fā)展，封裝基板的線(xiàn)密度、孔密度在不斷增大，對(duì)于封裝基板的可靠性的需求也更高。在現(xiàn)有技術(shù)中，為了在厚芯板(厚度一般在150μm及以上)上制作導(dǎo)通孔，一般都是電鍍非實(shí)心孔，然后往孔內(nèi)填塞樹(shù)脂，將樹(shù)脂固化后整板研磨。這種方式的缺點(diǎn)是孔密度容易受限于塞孔工藝和磨板工藝，孔密度越高，帶給生產(chǎn)制造的問(wèn)題和難度也在增多，難以進(jìn)一步提升孔密度；其次，樹(shù)脂填塞后的研磨工藝會(huì)對(duì)銅層造成刷痕，這一點(diǎn)往往難以徹底解決，給后續(xù)的線(xiàn)路制作帶來(lái)開(kāi)路報(bào)廢等問(wèn)題，甚至是可靠性隱患；此外，非實(shí)心導(dǎo)通孔孔內(nèi)銅厚通常是10-15μm，同時(shí)具有很高的縱向深度，相對(duì)于實(shí)心導(dǎo)通孔(通常銅厚≥40μm)而言，在抵抗應(yīng)力而不產(chǎn)生孔銅斷裂的能力上是較弱的。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問(wèn)題之一。為此，本發(fā)明提出了一種封裝基板的制作方法及封裝基板，能夠?qū)崿F(xiàn)高介厚、具有實(shí)心導(dǎo)通孔的芯板。

一方面，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的封裝基板的制作方法，包括以下步驟：準(zhǔn)備雙面覆銅的基板；對(duì)所述基板進(jìn)行激光鉆孔，形成通孔；對(duì)所述基板進(jìn)行填孔電鍍，以使所述通孔內(nèi)形成實(shí)心銅柱；在所述實(shí)心銅柱的兩端分別形成導(dǎo)通銅柱；蝕刻所述基板表面的銅箔；在所述基板的雙面設(shè)置第一介質(zhì)層，并使所述導(dǎo)通銅柱的端面暴露，以形成芯板。

根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，還包括以下步驟：在所述芯板的雙面設(shè)置第一種子層；在所述第一種子層上制作第一線(xiàn)路，所述第一線(xiàn)路與所述導(dǎo)通銅柱相導(dǎo)通；蝕刻所述第一介質(zhì)層表面暴露的所述第一種子層。

根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，還包括以下步驟：在所述芯板的雙面設(shè)置第二介質(zhì)層，所述第二介質(zhì)層覆蓋所述第一線(xiàn)路；在所述第二介質(zhì)層上設(shè)置第二激光盲孔；在所述第二介質(zhì)層表面及所述第二激光盲孔的內(nèi)壁制作第二種子層；對(duì)所述第二激光盲孔進(jìn)行填孔電鍍，并在所述第二介質(zhì)層表面形成第二線(xiàn)路，所述第二線(xiàn)路與所述第一線(xiàn)路相導(dǎo)通；蝕刻所述第二介質(zhì)層表面暴露的所述第二種子層。

根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，所述對(duì)所述基板進(jìn)行激光鉆孔，形成通孔，具體包括：對(duì)所述基板的雙面進(jìn)行激光對(duì)鉆，形成由兩端向中部逐漸變窄的所述通孔。

根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，所述對(duì)所述基板進(jìn)行填孔電鍍，以使所述通孔內(nèi)形成實(shí)心銅柱，具體包括：在所述通孔的孔壁上沉積化學(xué)銅；在所述基板的雙面貼第一干膜；對(duì)所述第一干膜進(jìn)行曝光和顯影，以將所述通孔對(duì)應(yīng)的位置暴露；對(duì)所述基板進(jìn)行填孔電鍍，以使所述通孔內(nèi)形成所述實(shí)心銅柱。

根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，所述在所述實(shí)心銅柱的兩端形成導(dǎo)通銅柱，具體包括：在所述基板的雙面貼第二干膜；對(duì)所述第二干膜進(jìn)行曝光和顯影，以將所述導(dǎo)通銅柱對(duì)應(yīng)的位置暴露；對(duì)所述基板進(jìn)行電鍍，以在所述實(shí)心銅柱的兩端形成所述導(dǎo)通銅柱；褪去所述第一干膜和所述第二干膜。

根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，所述在所述基板的雙面設(shè)置第一介質(zhì)層，并使所述導(dǎo)通銅柱的端面暴露，以形成芯板，具體包括：在所述基板的雙面設(shè)置所述第一介質(zhì)層；對(duì)所述第一介質(zhì)層進(jìn)行打磨，以使所述第一介質(zhì)層與所述導(dǎo)通銅柱的端面齊平，形成所述芯板；或者，對(duì)所述第一介質(zhì)層設(shè)置第一激光盲孔，以使所述導(dǎo)通銅柱的端面暴露，形成所述芯板。

另一方面，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的封裝基板，通過(guò)本發(fā)明上述實(shí)施例所述的封裝基板的制作方法制備得到。