[發明專利]封裝基板的制作方法及封裝基板

在審

• 申請號: 202210377565.6
• 申請日: 2022-04-11
• 公開（公告）號: CN114900960A
• 公開（公告）日: 2022-08-12
• 發明（設計）人: 陳先明;林文健;黃高;黃本霞;黃聚塵;馮進東
• 申請（專利權）人: 珠海越亞半導體股份有限公司
• 主分類號: H05K3/00
• 分類號: H05K3/00;H05K3/06;H05K3/42
• 代理公司: 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205
• 代理人: 張志輝

1.一種封裝基板的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

準備雙面覆銅的基板；

對所述基板進行激光鉆孔，形成通孔；

對所述基板進行填孔電鍍，以使所述通孔內形成實心銅柱；

在所述實心銅柱的兩端分別形成導通銅柱；

蝕刻所述基板表面的銅箔；

在所述基板的雙面設置第一介質層，并使所述導通銅柱的端面暴露，以形成芯板。

2.根據權利要求1所述的封裝基板的制作方法，其特征在于，還包括以下步驟：

在所述芯板的雙面設置第一種子層；

在所述第一種子層上制作第一線路，所述第一線路與所述導通銅柱相導通；

蝕刻所述第一介質層表面暴露的所述第一種子層。

3.根據權利要求2所述的封裝基板的制作方法，其特征在于，還包括以下步驟：

在所述芯板的雙面設置第二介質層，所述第二介質層覆蓋所述第一線路；

在所述第二介質層上設置第二激光盲孔；

在所述第二介質層表面及所述第二激光盲孔的內壁制作第二種子層；

對所述第二激光盲孔進行填孔電鍍，并在所述第二介質層表面形成第二線路，所述第二線路與所述第一線路相導通；

蝕刻所述第二介質層表面暴露的所述第二種子層。

4.根據權利要求1所述的封裝基板的制作方法，其特征在于，所述對所述基板進行激光鉆孔，形成通孔，具體包括：

對所述基板的雙面進行激光對鉆，形成由兩端向中部逐漸變窄的所述通孔。

5.根據權利要求1所述的封裝基板的制作方法，其特征在于，所述對所述基板進行填孔電鍍，以使所述通孔內形成實心銅柱，具體包括：

在所述通孔的孔壁上沉積化學銅；

在所述基板的雙面貼第一干膜；

對所述第一干膜進行曝光和顯影，以將所述通孔對應的位置暴露；

對所述基板進行填孔電鍍，以使所述通孔內形成所述實心銅柱。

6.根據權利要求5所述的封裝基板的制作方法，其特征在于，所述在所述實心銅柱的兩端形成導通銅柱，具體包括：

在所述基板的雙面貼第二干膜；

對所述第二干膜進行曝光和顯影，以將所述導通銅柱對應的位置暴露；

對所述基板進行電鍍，以在所述實心銅柱的兩端形成所述導通銅柱；

褪去所述第一干膜和所述第二干膜。

7.根據權利要求1所述的封裝基板的制作方法，其特征在于，所述在所述基板的雙面設置第一介質層，并使所述導通銅柱的端面暴露，以形成芯板，具體包括：

在所述基板的雙面設置所述第一介質層；

對所述第一介質層進行打磨，以使所述第一介質層與所述導通銅柱的端面齊平，形成所述芯板；或者，

對所述第一介質層設置第一激光盲孔，以使所述導通銅柱的端面暴露，形成所述芯板。

8.一種封裝基板，其特征在于，通過權利要求1-7任一項所述的封裝基板的制作方法制備得到。

9.一種封裝基板，其特征在于，包括：

基板；

實心銅柱，貫穿于所述基板，所述實心銅柱的兩端分別設置有導通銅柱；

第一介質層，設置于所述基板的雙面，且所述導通銅柱的端面暴露于所述第一介質層。

10.根據權利要求9所述的封裝基板，其特征在于，所述第一介質層的表面設置有第一種子層，所述第一種子層的表面設置有第一線路，所述第一線路與所述導通銅柱相導通。