[發明專利]色轉換結構制作方法、色轉換結構、晶粒制作方法及晶粒

有效

• 申請號: 202210377396.6
• 申請日: 2022-04-11
• 公開（公告）號: CN114709319B
• 公開（公告）日: 2023-07-11
• 發明（設計）人: 薛水源;李路成;莊文榮;孫明
• 申請（專利權）人: 東莞市中麒光電技術有限公司
• 主分類號: H01L33/50
• 分類號: H01L33/50;H01L33/00
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 趙月芬

本發明公開一種色轉換結構制作方法，在往多孔結構的孔洞中填充量子點獲得填充有量子點的多孔結構之后，蝕刻多孔結構形成間隙設置的多個色轉換區域，然后再在蝕刻后的多孔結構上覆蓋包覆色轉換區域的保護層，實現提前將各個色轉換區域保護起來，在后續需要制作成包含有色轉換區域的晶粒時，可以沿色轉換區域之間的間隙切割色轉換結構，能夠避免因為切割導致的量子點裸露，而影響最終發光效果。同時，本發明還提供一種采用該制作方法制成的色轉換結構、晶粒制作方法及晶粒。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，具體涉及一種色轉換結構制作方法、色轉換結構、晶粒制作方法及晶粒。

背景技術

量子點(quantum?dot，簡稱QD)材料由于其優異的光電特性，具有色純度高、發光顏色可調和熒光量子產率高等特點，目前，量子點材料的顯示應用主要是基于其色轉換特性，通常，用紫外光或藍光作為激發源，將綠光、紅光量子點作為轉換層材料獲得所需的綠光或紅光，從而可以實現全彩顯示。

目前，利用量子點制成的色轉換結構，一般是將整個色轉換結構整體鍵合在設有多個發光芯片的晶圓的出光側進行使用。然而，當需要制成包含有色轉換結構的單顆晶粒時，需要切割色轉換結構和晶圓。在切割色轉換結構的過程中，會面臨量子點保護的問題。

發明內容

本發明的目的在于提供一種能夠避免制成的色轉換結構因為切割導致量子點裸露的色轉換結構制作方法，采用該制作方法制成的色轉換結構、晶粒制作方法及晶粒。

為實現上述目的，本發明提供了一種色轉換結構制作方法，包括：

提供具有多個孔洞的多孔結構；

往所述多孔結構的孔洞中填充量子點，獲得填充有量子點的多孔結構；

蝕刻填充有量子點的多孔結構，形成間隙設置的多個色轉換區域，所述色轉換區域包含有量子點；

在蝕刻后的多孔結構上覆蓋包覆所述多個色轉換區域的保護層。

在一些實施例中，所述多孔結構包括第一層和設于所述第一層上的第二層，所述第二層具有所述多個孔洞；所述蝕刻填充有量子點的多孔結構，形成間隙設置的多個色轉換區域，包括：蝕刻所述第二層，形成間隙設置的通過所述第一層連接的多個色轉換區域；所述在蝕刻后的多孔結構上覆蓋包覆所述多個色轉換區域的保護層，包括：在蝕刻后的第二層覆蓋包覆所述多個色轉換區域及所述色轉換區域之間的間隙的保護層。

在一些實施例中，所述往所述多孔結構的孔洞中填充量子點，獲得填充有量子點的多孔結構，包括：往所述多孔結構的孔洞中注入量子點溶液；固化注入所述多孔結構的孔洞中的量子點溶液，獲得填充有量子點的多孔結構。

在一些實施例中，在往所述多孔結構的孔洞中注入量子點溶液之前，還包括：對所述多孔結構進行干燥處理；和/或清理所述多孔結構的表面上和/或所述孔洞內的污漬。

在一些實施例中，所述對所述多孔結構進行干燥處理包括：將所述多孔結構在真空環境下烘烤預設時長，烘干所述多孔結構中的水汽。

在一些實施例中，所述清理所述多孔結構的表面上和/或所述孔洞內的污漬包括：將所述多孔結構置于等離子體環境中預設時長，通過等離子體清理所述多孔結構的表面上和所述孔洞內的污漬。

為實現上述目的，本發明還提供了一種色轉換結構，用于設置在發光芯片的出光面，以將所述發光芯片發出的光轉換為目標光色，所述色轉換結構采用如上所述的制作方法制成。

為實現上述目的，本發明還提供了一種晶粒制作方法，包括：

采用如上所述的制作方法制成色轉換結構；

提供晶圓，所述晶圓包括襯底和芯片結構層；

切割所述晶圓，將所述芯片結構層分割為多個發光芯片；