[發明專利]色轉換結構制作方法、色轉換結構、晶粒制作方法及晶粒

有效

• 申請號: 202210377396.6
• 申請日: 2022-04-11
• 公開（公告）號: CN114709319B
• 公開（公告）日: 2023-07-11
• 發明（設計）人: 薛水源;李路成;莊文榮;孫明
• 申請（專利權）人: 東莞市中麒光電技術有限公司
• 主分類號: H01L33/50
• 分類號: H01L33/50;H01L33/00
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 趙月芬

1.一種色轉換結構制作方法，其特征在于，包括：

提供具有多個孔洞的多孔結構；

往所述多孔結構的孔洞中填充量子點，獲得填充有量子點的多孔結構；

蝕刻填充有量子點的多孔結構，形成間隙設置的多個色轉換區域，所述色轉換區域包含有量子點；

在蝕刻后的多孔結構上覆蓋包覆所述多個色轉換區域的保護層；所述多孔結構包括第一層和設于所述第一層上的第二層，所述第二層具有所述多個孔洞；

所述蝕刻填充有量子點的多孔結構，形成間隙設置的多個色轉換區域，包括：

蝕刻所述第二層，形成間隙設置的通過所述第一層連接的多個色轉換區域；

所述在蝕刻后的多孔結構上覆蓋包覆所述多個色轉換區域的保護層，包括：

在蝕刻后的第二層覆蓋包覆所述多個色轉換區域及所述色轉換區域之間的間隙的保護層。

2.如權利要求1所述的色轉換結構制作方法，其特征在于，所述往所述多孔結構的孔洞中填充量子點，獲得填充有量子點的多孔結構，包括：

往所述多孔結構的孔洞中注入量子點溶液；

固化注入所述多孔結構的孔洞中的量子點溶液，獲得填充有量子點的多孔結構。

3.如權利要求2所述的色轉換結構制作方法，其特征在于，在往所述多孔結構的孔洞中注入量子點溶液之前，還包括：

對所述多孔結構進行干燥處理；和/或

清理所述多孔結構的表面上和/或所述孔洞內的污漬。

4.如權利要求3所述的色轉換結構制作方法，其特征在于，所述對所述多孔結構進行干燥處理包括：

將所述多孔結構在真空環境下烘烤預設時長，烘干所述多孔結構中的水汽。

5.如權利要求3所述的色轉換結構制作方法，其特征在于，所述清理所述多孔結構的表面上和/或所述孔洞內的污漬包括：

將所述多孔結構置于等離子體環境中預設時長，通過等離子體清理所述多孔結構的表面上和所述孔洞內的污漬。

6.一種色轉換結構，用于設置在發光芯片的出光面，以將所述發光芯片發出的光轉換為目標光色，其特征在于，所述色轉換結構采用如權利要求1至5任一項所述的制作方法制成。

7.一種晶粒制作方法，其特征在于，包括：

采用如權利要求1至5任一項所述的制作方法制成色轉換結構；

提供晶圓，所述晶圓包括襯底和芯片結構層；

切割所述晶圓，將所述芯片結構層分割為多個發光芯片；

剝離所述晶圓的襯底；

將所述色轉換結構覆有保護層的一側與剝離所述襯底后的晶圓的出光面鍵合，制成包含有色轉換結構的發光組件；

沿所述色轉換結構的色轉換區域之間的間隙切割所述發光組件，獲得包含有至少一個所述色轉換區域和發光芯片的晶粒。

8.如權利要求7所述的晶粒制作方法，其特征在于，所述襯底和芯片結構層之間具有U-GaN層；

所述切割所述晶圓，將所述芯片結構層分割為多個發光芯片，包括：

切割所述晶圓，將所述芯片結構層分割為通過所述U-GaN層連接的多個發光芯片；

所述將所述色轉換結構覆有保護層的一側與剝離所述襯底后的晶圓的出光面鍵合，包括：

利用鍵合膠將所述色轉換結構覆有保護層的一側與剝離所述襯底后的晶圓的U-GaN層鍵合。

9.一種晶粒，其特征在于，所述晶粒采用如權利要求7或8所述的制作方法制成。