[發(fā)明專利]一種降低觸控線電容的像素結(jié)構(gòu)及其制備方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210368973.5
• 申請(qǐng)日: 2022-04-08
• 公開（公告）號(hào): CN114628413A
• 公開（公告）日: 2022-06-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張桂瑜
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華映科技（集團(tuán)）股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/12
• 分類號(hào): H01L27/12;H01L21/77;G06F3/044
• 代理公司: 福州君誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 35211
• 代理人: 戴雨君

1.一種降低觸控線電容的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于：其包括基板以及由下至上依次設(shè)置在基板上的第一金屬層、柵極絕緣層、半導(dǎo)體層、第二金屬層、第一絕緣層、第三金屬層、有機(jī)層、第二絕緣層、共通電極、第三絕緣層和像素電極；第一金屬層覆蓋基板上表面部分區(qū)域，第一金屬層作為薄膜晶體管的柵極，即掃描線；柵極絕緣層完全覆蓋第一金屬層以及基板上非第一金屬層覆蓋區(qū)域；半導(dǎo)體層設(shè)置在柵極絕緣層上對(duì)應(yīng)第一金屬層位置，半導(dǎo)體層作為薄膜晶體管的溝道；半導(dǎo)體層上設(shè)有第二金屬層，第二金屬層在半導(dǎo)體層兩側(cè)上表面分別形成薄膜晶體管的源極和漏極，薄膜晶體管的源極即為數(shù)據(jù)線，第一絕緣層設(shè)置第二金屬層上并隔離第二金屬層；

第三金屬層設(shè)在第一絕緣層上表面，第三金屬層即為觸控線；共通電極設(shè)在第二絕緣層的上表面對(duì)應(yīng)第三金屬層區(qū)域；

位于像素電極與第二金屬層之間的第三絕緣層、第二絕緣層、有機(jī)層和第一絕緣層的豎直方向?qū)?yīng)設(shè)置像素過(guò)孔，像素電極布置在像素過(guò)孔內(nèi)并藉由像素過(guò)孔與第二金屬層中作為薄膜晶體管漏極的區(qū)域接觸。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種降低觸控線電容的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于：薄膜晶體管的漏極部分覆蓋半導(dǎo)體層一側(cè)上表面區(qū)域，薄膜晶體管的漏極的另一部分覆蓋柵極絕緣層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種降低觸控線電容的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于：柵極絕緣層的材料為氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化鋁中的一種。

4.一種降低觸控線電容的像素結(jié)構(gòu)的制備方法，采用權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的一種降低觸控線電容的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于：方法包括以下步驟：

步驟1、提供基板，在基板上表面部分區(qū)域制作第一金屬層；

步驟2、制作柵極絕緣層完全覆蓋第一金屬層以及基板上非第一金屬層覆蓋區(qū)域；

步驟3、在柵極絕緣層上對(duì)應(yīng)第一金屬層位置制作半導(dǎo)體層；

步驟4、在半導(dǎo)體層上制作第二金屬層，并在第二金屬層蝕刻出圖案，以在半導(dǎo)體層兩側(cè)上表面分別形成薄膜晶體管的源極和漏極；

步驟5、在第二金屬層上制作第一絕緣層，完全覆蓋并隔離第二金屬層，且在第一絕緣層對(duì)應(yīng)薄膜晶體管的漏極位置制作像素過(guò)孔；

步驟6、在第一絕緣層上制作第三金屬層；

步驟7、制作有機(jī)層覆蓋在第三金屬層和第一絕緣層上表面，并在有機(jī)層上顯影暴露出像素過(guò)孔；

步驟8，在有機(jī)層上對(duì)應(yīng)像素過(guò)孔的兩側(cè)區(qū)域制作第二絕緣層；

步驟9，在第二絕緣層上表面對(duì)應(yīng)第三金屬層區(qū)域制作共通電極；

步驟10，在像素過(guò)孔的兩側(cè)區(qū)域制作第三絕緣層，第三絕緣層層疊于第二絕緣層上并覆蓋共通電極；

步驟11，在像素過(guò)孔內(nèi)制作像素電極，像素電極部分穿過(guò)像素過(guò)孔與第二金屬層中作為薄膜晶體管漏極的區(qū)域接觸。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種降低觸控線電容的像素結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于：步驟8中第二絕緣層對(duì)應(yīng)像素過(guò)孔的兩側(cè)部分覆蓋在第一絕緣層上。

6.一種降低觸控線電容的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于：其包括基板以及由下至上依次設(shè)置在基板上的第一金屬層、柵極絕緣層、半導(dǎo)體層、第二金屬層、第一絕緣層、第三金屬層、第二絕緣層、有機(jī)層、共通電極、第三絕緣層和像素電極；第一金屬層覆蓋基板上表面部分區(qū)域，第一金屬層作為薄膜晶體管的柵極，即掃描線；柵極絕緣層完全覆蓋第一金屬層以及基板上非第一金屬層覆蓋區(qū)域；半導(dǎo)體層設(shè)置在柵極絕緣層上對(duì)應(yīng)第一金屬層位置，半導(dǎo)體層作為薄膜晶體管的溝道；半導(dǎo)體層上設(shè)有第二金屬層，第二金屬層在半導(dǎo)體層兩側(cè)上表面分別形成薄膜晶體管的源極和漏極，薄膜晶體管的源極即為數(shù)據(jù)線，第一絕緣層設(shè)置第二金屬層上并隔離第二金屬層；

第三金屬層設(shè)在第一絕緣層上表面，第三金屬層即為觸控線；共通電極設(shè)在有機(jī)層上表面對(duì)應(yīng)第三金屬層區(qū)域；

位于像素電極與第二金屬層之間的第三絕緣層、第二絕緣層、有機(jī)層和第一絕緣層的豎直方向?qū)?yīng)設(shè)置像素過(guò)孔，像素電極布置在像素過(guò)孔內(nèi)并藉由像素過(guò)孔與第二金屬層中作為薄膜晶體管漏極的區(qū)域接觸。