[發(fā)明專(zhuān)利]一種降低觸控線電容的像素結(jié)構(gòu)及其制備方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210368973.5
• 申請(qǐng)日: 2022-04-08
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN114628413A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-06-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張桂瑜
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 華映科技（集團(tuán)）股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/12
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/12;H01L21/77;G06F3/044
• 代理公司: 福州君誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 35211
• 代理人: 戴雨君

本發(fā)明公開(kāi)一種降低觸控線電容的像素結(jié)構(gòu)及其制備方法，其包括基板以及由下至上依次設(shè)置在基板上的第一金屬層、柵極絕緣層、半導(dǎo)體層、第二金屬層、第一絕緣層、第三金屬層、有機(jī)層、第二絕緣層、共通電極、第三絕緣層和像素電極；將有機(jī)層制備在第三金屬層之后,使得作為觸控線的第三層金屬與共通電極之間設(shè)有有機(jī)層和第二絕緣層，有機(jī)層較厚為第二絕緣層的厚度的5~10倍，使得觸控線（第三層金屬）與共通電極之間的距離增大，觸控線（第三層金屬）與共通電極之間的電容減小，觸控線（TP線）的總電容也減小。本發(fā)明觸控線總電容減小了38.7%。提高觸控的靈敏性。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種降低觸控線電容的像素結(jié)構(gòu)及其制備方法。

背景技術(shù)

對(duì)于TIC（Touch in Panel）的產(chǎn)品，即觸控屏線（touch panel，簡(jiǎn)稱(chēng)TP線）在面板上，采用三層金屬的設(shè)計(jì)，即觸控線用第三層金屬（M3）制備。對(duì)于先前的這種設(shè)計(jì)，M3制備在有機(jī)層（Organic，簡(jiǎn)稱(chēng)OC）之后，如圖1，Top COM與Mid COM架構(gòu)的像素均適用。以Mid COM架構(gòu)的像素為例。對(duì)于MID COM架構(gòu)，觸控線與共通電極只夾了一層絕緣層，厚度在0.2um~0.5um；對(duì)于TOP COM架構(gòu)，觸控線與共通電極只夾了兩層絕緣層以及一層像素電極，厚度在0.4um~1um，觸控線與共通電極距離太近，導(dǎo)致觸控線與共同電極之間的電容太大。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種降低觸控線電容的像素結(jié)構(gòu)及其制備方法。

本發(fā)明采用的技術(shù)方案是：

一種降低觸控線電容的像素結(jié)構(gòu)，其包括基板以及由下至上依次設(shè)置在基板上的第一金屬層、柵極絕緣層、半導(dǎo)體層、第二金屬層、第一絕緣層、第三金屬層、有機(jī)層、第二絕緣層、共通電極、第三絕緣層和像素電極；第一金屬層覆蓋基板上表面部分區(qū)域，第一金屬層作為薄膜晶體管的柵極，即掃描線；柵極絕緣層完全覆蓋第一金屬層以及基板上非第一金屬層覆蓋區(qū)域；半導(dǎo)體層設(shè)置在柵極絕緣層上對(duì)應(yīng)第一金屬層位置，半導(dǎo)體層作為薄膜晶體管的溝道；半導(dǎo)體層上設(shè)有第二金屬層，第二金屬層在半導(dǎo)體層兩側(cè)上表面分別形成薄膜晶體管的源極和漏極，薄膜晶體管的源極即為數(shù)據(jù)線，第一絕緣層設(shè)置第二金屬層上并隔離第二金屬層；

第三金屬層設(shè)在第一絕緣層上表面，第三金屬層即為觸控線；共通電極設(shè)在第二絕緣層的上表面對(duì)應(yīng)第三金屬層區(qū)域；

位于像素電極與第二金屬層之間的第三絕緣層、第二絕緣層、有機(jī)層和第一絕緣層的豎直方向?qū)?yīng)設(shè)置像素過(guò)孔，像素電極布置在像素過(guò)孔內(nèi)并藉由像素過(guò)孔與第二金屬層中作為薄膜晶體管漏極的區(qū)域接觸。

進(jìn)一步地，薄膜晶體管的漏極部分覆蓋半導(dǎo)體層一側(cè)上表面區(qū)域，薄膜晶體管的漏極的另一部分覆蓋柵極絕緣層。

進(jìn)一步地，柵極絕緣層的材料為氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化鋁中的一種。

一種降低觸控線電容的像素結(jié)構(gòu)的制備方法，其包括以下步驟：

步驟1、提供基板，在基板上表面部分區(qū)域制作第一金屬層；

步驟2、制作柵極絕緣層完全覆蓋第一金屬層以及基板上非第一金屬層覆蓋區(qū)域；

步驟3、在柵極絕緣層上對(duì)應(yīng)第一金屬層位置制作半導(dǎo)體層；

步驟4、在半導(dǎo)體層上制作第二金屬層，并在第二金屬層蝕刻出圖案，以在半導(dǎo)體層兩側(cè)上表面分別形成薄膜晶體管的源極和漏極；

步驟5、在第二金屬層上制作第一絕緣層，完全覆蓋并隔離第二金屬層，且在第一絕緣層對(duì)應(yīng)薄膜晶體管的漏極位置制作像素過(guò)孔；

步驟6、在第一絕緣層上制作第三金屬層；

步驟7、制作有機(jī)層覆蓋在第三金屬層和第一絕緣層上表面，并在有機(jī)層上顯影暴露出像素過(guò)孔；

步驟8，在有機(jī)層上對(duì)應(yīng)像素過(guò)孔的兩側(cè)區(qū)域制作第二絕緣層；

步驟9，在第二絕緣層上表面對(duì)應(yīng)第三金屬層區(qū)域制作共通電極；