[發(fā)明專利]用于非易失性存儲(chǔ)器的擦除方法和上電修復(fù)方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202210366516.2
• 申請日: 2022-04-08
• 公開（公告）號(hào): CN114758689A
• 公開（公告）日: 2022-07-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 安友偉
• 申請（專利權(quán)）人: 珠海博雅科技股份有限公司
• 主分類號(hào): G11C7/20
• 分類號(hào): G11C7/20;G11C16/34
• 代理公司: 北京成創(chuàng)同維知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11449
• 代理人: 蔡純;張靖琳

本發(fā)明公開了一種用于非易失性存儲(chǔ)器的擦除方法及上電修復(fù)方法，非易失性存儲(chǔ)器包括多個(gè)用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的區(qū)域，擦除方法包括：將選定區(qū)域?qū)?yīng)的標(biāo)志位標(biāo)記為第一狀態(tài)，標(biāo)志位位于狀態(tài)標(biāo)志區(qū)；對(duì)選定區(qū)域進(jìn)行擦除操作；將選定區(qū)域?qū)?yīng)的標(biāo)志位標(biāo)記為第二狀態(tài)。上電修復(fù)方法包括上述擦除方法，以及在非易失性存儲(chǔ)器上電后讀取標(biāo)志位存儲(chǔ)區(qū)；若標(biāo)志位存儲(chǔ)區(qū)包括處于第一狀態(tài)的標(biāo)志位，則判斷標(biāo)志位存儲(chǔ)區(qū)的對(duì)應(yīng)區(qū)域是否包括過擦除存儲(chǔ)單元；若對(duì)應(yīng)區(qū)域包括過擦除存儲(chǔ)單元，則在過擦除存儲(chǔ)單元所在字線施加第二電壓；重復(fù)上述流程，直至遍歷標(biāo)志位存儲(chǔ)區(qū)，從而減小或消除意外掉電對(duì)非易失性存儲(chǔ)器的不良影響，提高非易失性存儲(chǔ)器的可靠性。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及存儲(chǔ)器技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種用于非易失性存儲(chǔ)器的擦除方法和上電修復(fù)方法。

背景技術(shù)

在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中使用的存儲(chǔ)器可以根據(jù)斷電狀態(tài)下的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)能力分為易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器。易失性存儲(chǔ)器僅在上電狀態(tài)下存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，在斷電狀態(tài)下?lián)p失數(shù)據(jù)，例如，包括靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)。非易失性存儲(chǔ)器在上電狀態(tài)下和斷電狀態(tài)下均可存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，例如包括傳統(tǒng)上稱為只讀存儲(chǔ)器(ROM)的多種存儲(chǔ)器。只讀存儲(chǔ)器例如包括NAND閃存和NOR閃存。

在實(shí)際使用中，通常需要對(duì)非易失性存儲(chǔ)器進(jìn)行讀、寫和擦除三種操作。在擦除操作中，若出現(xiàn)意外掉電的情況，可能會(huì)導(dǎo)致擦除區(qū)域中的一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)單元過擦除，即在過擦除存儲(chǔ)單元的控制端電壓為0V時(shí)其第一端和第二端會(huì)產(chǎn)生較大漏電流，過擦除存儲(chǔ)單元所在的位線漏電，進(jìn)而導(dǎo)致該位線上其它存儲(chǔ)單元在進(jìn)行讀寫操作時(shí)出錯(cuò)，影響非易失性存儲(chǔ)器整體的可靠性。

因此，期望一種非易失性存儲(chǔ)器的擦除方法及上電修復(fù)方法，以減小或者消除意外掉電對(duì)非易失性存儲(chǔ)器的不良影響，提高其可靠性。

發(fā)明內(nèi)容

鑒于上述問題，本發(fā)明的目的在于提供一種用于非易失性存儲(chǔ)器的擦除方法和上電修復(fù)方法，減小或消除意外掉電對(duì)非易失性存儲(chǔ)器的不良影響，提高其可靠性。

根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種用于非易失性存儲(chǔ)器的擦除方法，所述非易失性存儲(chǔ)器包括多個(gè)用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的區(qū)域，所述擦除方法包括：將選定區(qū)域?qū)?yīng)的標(biāo)志位標(biāo)記為第一狀態(tài)，所述標(biāo)志位位于狀態(tài)標(biāo)志區(qū)；對(duì)所述選定區(qū)域進(jìn)行擦除操作；將所述選定區(qū)域?qū)?yīng)的所述標(biāo)志位標(biāo)記為第二狀態(tài)。

可選地，所述狀態(tài)標(biāo)志區(qū)包括與所述多個(gè)用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的區(qū)域?qū)?yīng)的多個(gè)標(biāo)志位存儲(chǔ)區(qū)；所述標(biāo)志位存儲(chǔ)區(qū)包括一個(gè)或多個(gè)標(biāo)志位。

可選地，每個(gè)所述標(biāo)志位包括兩個(gè)相鄰的存儲(chǔ)單元。

可選地，所述第一狀態(tài)選自二進(jìn)制的01；所述第二狀態(tài)選自二進(jìn)制的00；以及，所述標(biāo)志位還包括初始狀態(tài)，所述初始狀態(tài)選自二進(jìn)制的11。

可選地，所述多個(gè)用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的區(qū)域以及所述狀態(tài)標(biāo)志區(qū)位于所述非易失性存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元陣列中。

可選地，字線包括的標(biāo)志位存儲(chǔ)區(qū)的數(shù)量，與所述存儲(chǔ)單元陣列的擦除次數(shù)、字線包括的標(biāo)志位數(shù)量相關(guān)。

可選地，x^2＝y(tǒng)*(m/n)，其中，x為一條字線包括的所述標(biāo)志位存儲(chǔ)區(qū)的數(shù)量，y為一條字線包括的所述標(biāo)志位的數(shù)量，m為所述選定區(qū)域需滿足的擦除次數(shù)，n為所述標(biāo)志位存儲(chǔ)區(qū)需滿足的擦除次數(shù)。

可選地，所述選定區(qū)域需滿足的擦除次數(shù)等于所述標(biāo)志位存儲(chǔ)區(qū)需滿足的擦除次數(shù)。

可選地，在所述將選定區(qū)域?qū)?yīng)的標(biāo)志位標(biāo)記為第一狀態(tài)的步驟之前，還包括：讀取所述標(biāo)志位存儲(chǔ)區(qū)；若所述標(biāo)志位存儲(chǔ)區(qū)包括處于第一狀態(tài)的標(biāo)志位，則判斷所述標(biāo)志位存儲(chǔ)區(qū)的對(duì)應(yīng)區(qū)域是否包括過擦除存儲(chǔ)單元；若所述對(duì)應(yīng)區(qū)域包括所述過擦除存儲(chǔ)單元，則對(duì)所述過擦除存儲(chǔ)單元進(jìn)行校驗(yàn)、修復(fù)；完成所述對(duì)應(yīng)區(qū)域中全部過擦除存儲(chǔ)單元的校驗(yàn)、修復(fù)后，將所述處于第一狀態(tài)的標(biāo)志位標(biāo)記為第二狀態(tài)；以及，重復(fù)進(jìn)行上述流程，直至遍歷讀取所述狀態(tài)標(biāo)志區(qū)的所述標(biāo)志位存儲(chǔ)區(qū)。