[發(fā)明專利]用于非易失性存儲器的擦除方法和上電修復(fù)方法

在審

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• 申請日: 2022-04-08
• 公開（公告）號: CN114758689A
• 公開（公告）日: 2022-07-15
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 安友偉
• 申請（專利權(quán)）人: 珠海博雅科技股份有限公司
• 主分類號: G11C7/20
• 分類號: G11C7/20;G11C16/34
• 代理公司: 北京成創(chuàng)同維知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11449
• 代理人: 蔡純;張靖琳

1.一種用于非易失性存儲器的擦除方法，所述非易失性存儲器包括多個用于存儲數(shù)據(jù)的區(qū)域，所述擦除方法包括：

將選定區(qū)域?qū)?yīng)的標(biāo)志位標(biāo)記為第一狀態(tài)，所述標(biāo)志位位于狀態(tài)標(biāo)志區(qū)；

對所述選定區(qū)域進行擦除操作；

將所述選定區(qū)域?qū)?yīng)的所述標(biāo)志位標(biāo)記為第二狀態(tài)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的擦除方法，其中，所述狀態(tài)標(biāo)志區(qū)包括與所述多個用于存儲數(shù)據(jù)的區(qū)域?qū)?yīng)的多個標(biāo)志位存儲區(qū)；

所述標(biāo)志位存儲區(qū)包括一個或多個標(biāo)志位。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的擦除方法，其中，每個所述標(biāo)志位包括兩個相鄰的存儲單元。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的擦除方法，其中，

所述第一狀態(tài)選自二進制的01；

所述第二狀態(tài)選自二進制的00；以及，

所述標(biāo)志位還包括初始狀態(tài)，所述初始狀態(tài)選自二進制的11。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的擦除方法，其中，所述多個用于存儲數(shù)據(jù)的區(qū)域以及所述狀態(tài)標(biāo)志區(qū)位于所述非易失性存儲器的存儲單元陣列中。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的擦除方法，其中，字線包括的標(biāo)志位存儲區(qū)的數(shù)量，與所述存儲單元陣列的擦除次數(shù)、字線包括的標(biāo)志位數(shù)量相關(guān)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的擦除方法，其中，

x^2＝y(tǒng)*(m/n)，其中，

x為一條字線包括的所述標(biāo)志位存儲區(qū)的數(shù)量，y為一條字線包括的所述標(biāo)志位的數(shù)量，m為所述選定區(qū)域需滿足的擦除次數(shù)，n為所述標(biāo)志位存儲區(qū)需滿足的擦除次數(shù)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的擦除方法，其中，所述選定區(qū)域需滿足的擦除次數(shù)等于所述標(biāo)志位存儲區(qū)需滿足的擦除次數(shù)。

9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的擦除方法，在所述將選定區(qū)域?qū)?yīng)的標(biāo)志位標(biāo)記為第一狀態(tài)的步驟之前，還包括：

讀取所述標(biāo)志位存儲區(qū)；

若所述標(biāo)志位存儲區(qū)包括處于第一狀態(tài)的標(biāo)志位，則判斷所述標(biāo)志位存儲區(qū)的對應(yīng)區(qū)域是否包括過擦除存儲單元；

若所述對應(yīng)區(qū)域包括所述過擦除存儲單元，則對所述過擦除存儲單元進行校驗、修復(fù)；

完成所述對應(yīng)區(qū)域中全部過擦除存儲單元的校驗、修復(fù)后，將所述處于第一狀態(tài)的標(biāo)志位標(biāo)記為第二狀態(tài)；以及，

重復(fù)進行上述流程，直至遍歷讀取所述狀態(tài)標(biāo)志區(qū)的所述標(biāo)志位存儲區(qū)。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的擦除方法，其中，所述判斷所述標(biāo)志位存儲區(qū)的對應(yīng)區(qū)域是否包括過擦除存儲單元包括：

在所述對應(yīng)區(qū)域的選定字線上施加0V電壓；

檢測所述對應(yīng)區(qū)域中各條位線的電流；

若存在大于預(yù)設(shè)電流的位線，則根據(jù)該位線與所述選定字線確定過擦除存儲單元；以及，

重復(fù)上述流程，直至遍歷檢測所述對應(yīng)區(qū)域的全部存儲單元。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的擦除方法，其中，所述對所述過擦除存儲單元進行校驗、修復(fù)包括：

對所述過擦除存儲單元進行軟編程，以使得所述過擦除存儲單元的閾值電壓大于第一電壓；其中，

所述第一電壓選自所述軟編程閾值電壓。

12.根據(jù)權(quán)利要求2所述的擦除方法，在所述將選定區(qū)域?qū)?yīng)的標(biāo)志位標(biāo)記為第一狀態(tài)的步驟之前，還包括：

若所述選定區(qū)域?qū)?yīng)的所述標(biāo)志位存儲區(qū)中的所有標(biāo)志位均處于第二狀態(tài)，則對所述標(biāo)志位存儲區(qū)進行擦除，以使得所述所有標(biāo)志位均處于初始狀態(tài)。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的擦除方法，其中，所述擦除操作包括：

擦除所述選定區(qū)域存儲的數(shù)據(jù)；

對所述擦除所述選定區(qū)域存儲的數(shù)據(jù)過程中產(chǎn)生的過擦除存儲單元進行校驗、修復(fù)。

14.一種用于非易失性存儲器的上電修復(fù)方法，所述上電修復(fù)方法包括如權(quán)利要求1-13任一項所述的擦除方法，還包括：

在所述非易失性存儲器上電后讀取狀態(tài)標(biāo)志區(qū)的標(biāo)志位存儲區(qū)；

若所述標(biāo)志位存儲區(qū)包括處于第一狀態(tài)的標(biāo)志位，則判斷所述標(biāo)志位存儲區(qū)的對應(yīng)區(qū)域是否包括過擦除存儲單元；

若所述對應(yīng)區(qū)域包括過擦除存儲單元，則在所述過擦除存儲單元所在字線施加第二電壓；

重復(fù)上述流程，直至遍歷讀取所述狀態(tài)標(biāo)志區(qū)的標(biāo)志位存儲區(qū)；其中，

所述第二電壓小于0V。