[發明專利]掩膜板異物清除方法

在審

• 申請號: 202210363375.9
• 申請日: 2022-04-07
• 公開（公告）號: CN114798587A
• 公開（公告）日: 2022-07-29
• 發明（設計）人: 段英香
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: B08B3/12
• 分類號: B08B3/12;B08B5/02;B08B13/00
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 王朝云

本申請公開了一種掩膜板異物清除方法。所述掩膜板異物清除方法包括如下步驟：去除掩模板上附著的有機物的步驟；去除異物的步驟；其中，采用堿的醇溶液去除掩模板上殘留的異物；干燥掩模板的步驟。本申請的掩膜板異物清除方法，可以增強對掩膜板的清洗能力，以及減少掩膜板清洗后殘留物。

技術領域

本申請涉及顯示技術領域，具體涉及一種掩膜板異物清除方法。

背景技術

現有的小尺寸掩膜板表面上附著異物的清洗沿用韓系清洗，包括：NMP藥液溶解有機物→DIW置換NMP→KOH電解→DIW→IPA置換DIW→CDA干燥；使用過程中存在清洗能力不足以及清洗藥液殘留問題，引起的問題主要有以下幾點：掩膜板使用次數增加導致掩膜板上的顆粒增加從而導致產品出現不良；藥液殘留在掩膜板，進入蒸鍍機后發生廢氣，影響腔體真空度；使腔體氛圍惡化，造成器件異常。

因此，亟需提供一種掩膜板異物清除方法，可以提高掩膜板的清洗效果，以及避免清洗液殘留在掩膜板上。

發明內容

本申請的目的在于提供一種掩膜板異物清除方法，可以增強掩膜板的清洗能力。

本申請實施例提供一種掩膜板異物清除方法，包括如下步驟：

去除掩模板上附著的有機物的步驟；

去除異物的步驟；其中，采用堿的醇溶液去除掩模板上殘留的異物；

干燥掩模板的步驟。

可選的，在本申請的一些實施例中，所述堿的醇溶液中的堿液的體積分數為8～12％。

可選的，在本申請的一些實施例中，所述堿的醇溶液中的堿液的體積分數為9％。

可選的，在本申請的一些實施例中，所述KOH醇溶液中包括KOH和乙醇。

可選的，在本申請的一些實施例中，所述去除掩模板上附著的有機物的步驟包括：采用N-甲基吡咯烷酮(NMP)溶液溶解掩模板上的有機物；采用去離子水(DIW)去除掩模板上殘留的N-甲基吡咯烷酮(NMP)溶液。

可選的，在本申請的一些實施例中，所述采用N-甲基吡咯烷酮(NMP)溶液溶解掩模板上的有機物的具體操作為：將掩膜板置于N-甲基吡咯烷酮(NMP)溶液中，在45～55℃溫度下進行超聲清洗處理，超聲波頻率為40～120kHz，干燥；

所述采用去離子水(DIW)去除殘留的N-甲基吡咯烷酮(NMP)溶液的具體操作為：將掩膜板置于去離子水中，在42～48℃溫度下進行超聲清洗處理，超聲波頻率為40～120kHz，干燥。

可選的，在本申請的一些實施例中，所述去除異物的步驟包括：采用所述堿的醇溶液電解去除掩模板上殘留的異物；去除掩模板上殘留的KOH。

可選的，在本申請的一些實施例中，所述電解的直流電壓小于或等于15V，電流小于或等于500A。

可選的，在本申請的一些實施例中，所述干燥掩模板的步驟包括：采用干燥壓縮空氣進行干燥；真空干燥。

可選的，在本申請的一些實施例中，所述采用干燥壓縮空氣進行干燥的具體操作為：向所述掩膜板的表面吹干燥壓縮空氣，所述干燥壓縮空氣的流量小于等于3000LPM。

可選的，在本申請的一些實施例中，所述干燥壓縮空氣的吹出方向與所述掩膜板之間的角度為0～35°。

本申請的有益效果在于：

本申請的掩膜板異物清除方法，可以增強對掩膜板的清洗能力，以及減少掩膜板清洗后殘留物，如有機物和無機物等。本申請不僅可以增強對掩膜板(Mask)的清洗能力，還可減少電力的，進而減少成本。

附圖說明