[發明專利]掩膜板異物清除方法

在審

• 申請號: 202210363375.9
• 申請日: 2022-04-07
• 公開（公告）號: CN114798587A
• 公開（公告）日: 2022-07-29
• 發明（設計）人: 段英香
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: B08B3/12
• 分類號: B08B3/12;B08B5/02;B08B13/00
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 王朝云

1.一種掩膜板異物清除方法，其特征在于，包括如下步驟：

去除掩模板上附著的有機物的步驟；

去除異物的步驟；其中，采用堿的醇溶液去除掩模板上殘留的異物；

干燥掩模板的步驟。

2.根據權利要求1所述的掩膜板異物清除方法，其特征在于，所述堿的醇溶液中的堿液的體積分數為8～12％。

3.根據權利要求1所述的掩膜板異物清除方法，其特征在于，所述KOH醇溶液中包括KOH和乙醇。

4.根據權利要求1所述的掩膜板異物清除方法，其特征在于，所述去除掩模板上附著的有機物的步驟包括：采用N-甲基吡咯烷酮溶液溶解掩模板上的有機物；采用去離子水去除掩模板上殘留的N-甲基吡咯烷酮溶液。

5.根據權利要求4所述的掩膜板異物清除方法，其特征在于，所述采用N-甲基吡咯烷酮溶液溶解掩模板上的有機物的具體操作為：將掩膜板置于N-甲基吡咯烷酮溶液中，在45～55℃溫度下進行超聲清洗處理，超聲波頻率為40～120kHz，干燥；

所述采用去離子水去除殘留的N-甲基吡咯烷酮溶液的具體操作為：將掩膜板置于去離子水中，在42～48℃溫度下進行超聲清洗處理，超聲波頻率為40～120kHz，干燥。

6.根據權利要求1所述的掩膜板異物清除方法，其特征在于，所述去除異物的步驟包括：采用所述堿的醇溶液電解去除掩模板上殘留的異物；去除掩模板上殘留的KOH。

7.根據權利要求6所述的掩膜板異物清除方法，其特征在于，所述電解的直流電壓小于或等于15V，電流小于或等于500A。

8.根據權利要求1所述的掩膜板異物清除方法，其特征在于，所述干燥掩模板的步驟包括：采用干燥壓縮空氣進行干燥；真空干燥。

9.根據權利要求1所述的掩膜板異物清除方法，其特征在于，所述采用干燥壓縮空氣進行干燥的具體操作為：向所述掩膜板的表面吹干燥壓縮空氣，所述干燥壓縮空氣的流量小于等于3000LPM。

10.根據權利要求9所述的掩膜板異物清除方法，其特征在于，所述干燥壓縮空氣的吹出方向與所述掩膜板之間的角度為0～35°。