[發明專利]一種晶圓檢測方法及檢測系統在審
| 申請號: | 202210361087.X | 申請日: | 2022-04-07 |
| 公開(公告)號: | CN114709146A | 公開(公告)日: | 2022-07-05 |
| 發明(設計)人: | 蔡易霖;管濤;林晧庭;蔡俊郎 | 申請(專利權)人: | 合肥晶合集成電路股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 王積毅 |
| 地址: | 230012 安徽省合肥*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 檢測 方法 系統 | ||
1.一種晶圓檢測方法,其特征在于,包括:
將所有晶圓編號;
從所述晶圓中選定正常檢測站點所需的第一待測晶圓,并獲取所述第一待測晶圓的編號;
從所述晶圓中選定臨時檢測站點所需的第二待測晶圓,并獲取所述第二待測晶圓的編號;以及
判斷所述第一待測晶圓的編號和所述第二待測晶圓的編號是否一致;
若一致,則在所述第一待測晶圓中去除編號一致的所述晶圓;
若不一致,則所述第一待測晶圓在所述正常檢測站點進行檢測。
2.根據權利要求1所述的晶圓檢測方法,其特征在于,依據所述晶圓編號順序,分段選取所述第一待測晶圓的編號。
3.根據權利要求2所述的晶圓檢測方法,其特征在于,所述晶圓的編號為1~n,且n為奇數時,所述第一待測晶圓的編號包括1、(n+1)/2和n。
4.根據權利要求2所述的晶圓檢測方法,其特征在于,所述晶圓的編號為1~n,且n為偶數時,所述第一待測晶圓的編號包括1、n以及(n+2)/2或n/2。
5.根據權利要求1所述的晶圓檢測方法,其特征在于,所述第一待測晶圓的編號和所述第二待測晶圓的編號,若一致,所述第一待測晶圓跳過所述正常檢測站點。
6.根據權利要求1所述的晶圓檢測方法,其特征在于,所述第一待測晶圓的編號和所述第二待測晶圓的編號,若部分一致,在所述第一待測晶圓中將編號一致的所述晶圓剔除。
7.根據權利要求1所述的晶圓檢測方法,其特征在于,所述第一待測晶圓的編號和所述第二待測晶圓的編號,若不一致,所述第一待測晶圓的編號保持一致。
8.一種晶圓檢測系統,其特征在于,包括:
晶圓標記單元,用以獲得晶圓的編號;
第一派工單元,用以確定正常檢測站點所需的第一待測晶圓,并獲取所述第一待測晶圓的編號;
第二派工單元,用以確定臨時檢測站點所需的第二待測晶圓,并獲取所述第二待測晶圓的編號;以及
判斷單元,用以判斷第一待測晶圓的編號和所述第二待測晶圓的編號是否一致。
9.根據權利要求8所述的晶圓檢測系統,其特征在于,所述晶圓標記單元采用固定順序編號方式獲取所述晶圓的編號。
10.根據權利要求8所述的晶圓檢測系統,其特征在于,所述第一派工單元設置在所述第二派工單元前,所述第二派工單元設置在所述臨時檢測站點前。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





