[發明專利]一種InGaN可見光探測器及其制備方法和應用在審
| 申請號： | 202210360039.9 | 申請日： | 2022-04-07 |
| 公開（公告）號： | CN114883433A | 公開（公告）日： | 2022-08-09 |
| 發明（設計）人： | 李國強;孔德麒;王文樑 | 申請（專利權）人： | 華南理工大學 |
| 主分類號： | H01L31/0352 | 分類號： | H01L31/0352;H01L31/0224;H01L31/0304;H01L31/0336;H01L31/103;H01L31/18 |
| 代理公司： | 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205 | 代理人： | 余凱歡 |
| 地址： | 510641 廣*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 ingan 可見光 探測器 及其 制備 方法 應用 | ||
1.一種InGaN可見光探測器，其特征在于：包括從下到上依次設置的襯底、緩沖層、InGaN功能層和Ti3C2電極；所述緩沖層為從下到上依次設置的AlN層、AlGaN層和GaN層，其中AlN層設置在所述襯底上。
2.根據權利要求1所述的InGaN可見光探測器，其特征在于：所述Ti3C2電極的厚度為20nm～30nm。
3.根據權利要求1所述的InGaN可見光探測器，其特征在于：所述InGaN功能層中In組分的摩爾分數為10％～30％。
4.根據權利要求1所述的InGaN可見光探測器，其特征在于：所述InGaN功能層的厚度為25nm～50nm。
5.根據權利要求1所述的InGaN可見光探測器，其特征在于：所述緩沖層中的AlN層、AlGaN層和GaN層的厚度分別為250nm～350nm、250nm～350nm、1.0μm～2.0μm。
6.一種如權利要求1～5任一項所述的InGaN可見光探測器的制備方法，包括以下步驟：
S1：在襯底上生長緩沖層，再在緩沖層上生長InGaN功能層；
S2：在InGaN功能層上表面光刻，并通過濕法轉移工藝將Ti3C2電極轉移在InGaN功能層上表面。
7.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于：所述濕法轉移方法是指：將Ti3C2配置成濃度為0.005mg/mL～0.01mg/mL，滴在InGaN功能層表面上，在55℃～65℃，真空條件下烘干水分，得到所述Ti3C2電極。
8.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于：S2中，所述光刻包括以下步驟：勻膠、烘膠、曝光和顯影。
9.一種如權利要求1～5任一項所述的InGaN可見光探測器在藍光檢測中的應用。
10.根據權利要求9所述的應用，其特征在于：所述藍光檢測為0V～5V偏壓下的藍光檢測。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
