[發明專利]MOSFET BSIM4轉換為BSIM-BULK模型方法

在審

• 申請號: 202210358490.7
• 申請日: 2022-04-07
• 公開（公告）號: CN114691126A
• 公開（公告）日: 2022-07-01
• 發明（設計）人: 傅飛;朱能勇
• 申請（專利權）人: 上海華大九天信息科技有限公司
• 主分類號: G06F8/36
• 分類號: G06F8/36;G06F30/31;G06F30/367
• 代理公司: 北京紅花知識產權代理事務所(普通合伙) 16030
• 代理人: 林樂飛

本發明提供了一種MOSFET BSIM4轉換為BSIM?BULK模型方法，方法包括：將Cgc相關參數從BSIM4模型復用到BSIM?BULK模型；將ioff相關參數從BSIM4模型復用到BSIM?BULK模型；將LDE相關參數從BSIM4模型復用到BSIM?BULK模型；基于復用的Cgc相關參數、ioff相關參數、LDE相關參數，對BSIM4模型進行轉換得到處理得到BSIM?BULK模型。本申請完成了BSIM4轉換為BSIM?BULK模型，由于是直接基于參數的復用，因此，降低了模型轉換的難度。

技術領域

本申請涉及電路處理技術領域，具體涉及一種MOSFET BSIM4轉換為BSIM-BULK模型方法。

背景技術

BSIM(Berkeley Short-channel IGFET Model)模型是針對短溝道MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)提出的模型，能提供標準電路的直流分析，瞬時分析，交流分析等數據。其中BSIM4模型適用于深亞微米工藝節點，是業界廣泛使用的器件模型。BSIM4模型具有仿真速度快，準確性和靈活度高等優點，缺點在于Vds＝0V附近的非對稱性。為了解決非對稱性問題，開發出了具有對稱性優勢的BSIM6模型，業界又稱之為BSIM-BULK，以便更好體現模型物理架構。由于對稱性優勢，業界使用BSIM-BULK model越來越多。

在一些場景中，通常需要將BSIM4轉換為BSIM-BULK模型，但是由于BSIM4是基于閾值電壓模型，而BSIM-BULK是基于體電荷模型，因此，兩者模型架構不同，模型參數存在區別，由此導致BSIM4轉換為BSIM-BULK模型的難度較大。

發明內容

本申請實施例提供一種MOSFET BSIM4轉換為BSIM-BULK模型方法，用以克服或者緩解現有技術中存在的上述技術問題。

本申請采用的技術方案為：

一種BSIM4轉換為BSIM-BULK模型方法，其包括：

將Cgc相關參數從BSIM4模型復用到BSIM-BULK模型；

將ioff相關參數從BSIM4模型復用到BSIM-BULK模型；

將LDE相關參數從BSIM4模型復用到BSIM-BULK模型；

基于復用的Cgc相關參數、ioff相關參數、LDE相關參數，對BSIM4模型進行轉換得到處理得到BSIM-BULK模型。

可選地，所述Cgc相關參數包括：cgdo(非輕摻雜區域柵極到漏極交疊電容)，cgso(非輕摻雜區域柵極到源極交疊電容)，cgdl(輕摻雜區域柵極到漏極交疊電容)，cgsl(輕摻雜區域柵極到源極交疊電容)，ckappad(偏壓相關的柵極到漏極交疊電容系數)，ckappas(偏壓相關的柵極到源極交疊電容系數)，dlc(CV模型的溝道長度補償系數)中至少其一。

可選地，所述Cgc相關參數還包括llc(CV模型的長度相關溝道長度補償系數)，lwc(CV模型的寬度相關溝道長度補償系數)，lwlc(CV模型的長度寬度相關溝道長度補償系數)，dwc(CV模型的溝道寬度補償系數)，wlc(CV模型的長度相關溝道寬度補償系數)，wwc(CV模型的寬度相關溝道寬度補償系數)，wwlc(CV模型的長度寬度相關溝道寬度補償系數)中至少其一。