[發明專利]MOSFET BSIM4轉換為BSIM-BULK模型方法

在審

• 申請號: 202210358490.7
• 申請日: 2022-04-07
• 公開（公告）號: CN114691126A
• 公開（公告）日: 2022-07-01
• 發明（設計）人: 傅飛;朱能勇
• 申請（專利權）人: 上海華大九天信息科技有限公司
• 主分類號: G06F8/36
• 分類號: G06F8/36;G06F30/31;G06F30/367
• 代理公司: 北京紅花知識產權代理事務所(普通合伙) 16030
• 代理人: 林樂飛

1.一種BSIM4轉換為BSIM-BULK模型方法，其特征在于，包括：

將Cgc相關參數從BSIM4模型復用到BSIM-BULK模型；

將ioff相關參數從BSIM4模型復用到BSIM-BULK模型；

將LDE相關參數從BSIM4模型復用到BSIM-BULK模型；

基于復用的Cgc相關參數、ioff相關參數、LDE相關參數，對BSIM4模型進行轉換得到處理得到BSIM-BULK模型。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述Cgc相關參數包括：cgdo(非輕摻雜區域柵極到漏極交疊電容)，cgso(非輕摻雜區域柵極到源極交疊電容)，cgdl(輕摻雜區域柵極到漏極交疊電容)，cgsl(輕摻雜區域柵極到源極交疊電容)，ckappad(偏壓相關的柵極到漏極交疊電容系數)，ckappas(偏壓相關的柵極到源極交疊電容系數)，dlc(CV模型的溝道長度補償系數)中至少其一。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述Cgc相關參數還包括llc(CV模型的長度相關溝道長度補償系數)，lwc(CV模型的寬度相關溝道長度補償系數)，lwlc(CV模型的長度寬度相關溝道長度補償系數)，dwc(CV模型的溝道寬度補償系數)，wlc(CV模型的長度相關溝道寬度補償系數)，wwc(CV模型的寬度相關溝道寬度補償系數)，wwlc(CV模型的長度寬度相關溝道寬度補償系數)中至少其一。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，ioff相關參數即關斷狀態下電流相關參數，ioff相關參數包括jtsswgd(柵極到漏極側壁飽和電流)，jtsswgs(柵極到源極側壁飽和電流)，njtsswgd(參數jtsswgd的指數系數)，njtsswg(參數jtsswgs的指數系數)，vtsswgd(柵極到漏極側壁電壓相關系數)，vtsswgs(柵極到源極側壁電壓相關系數)，xtsswgd(參數jtsswgd的溫度系數)，xtsswgs(參數jtsswgs的溫度系數)，tnjtsswgd(參數njtsswgd的溫度系數)，tnjtsswg(參數njtsswg的溫度系數)，agidl/bgidl/cgidl/egidl(柵致漏極泄露電流系數)，agisl/bgisl/cgisl/egisl(柵致源極泄露電流系數)中至少其一。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，ioff相關參數還包括參數jtsswgd/jtsswgs/agidl外掛公式中至少其一。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，對于BSIM內建LDE，直接將BSIM4模型參數復用到BSIM-BULK模型；對于BSIM外掛LDE，直接將BSIM4模型外掛公式和參數復用到BSIM-BULK模型；其中BSIM4模型參數中的vth0相關公式需要復用到BSIM-BULK模型參數中的vfb，nmos復用公式保持不變，pmos需要在復用公式前加上一個負號。