[發明專利]薄膜晶體管、其制作方法及顯示面板

在審

• 申請號: 202210357837.6
• 申請日: 2022-04-06
• 公開（公告）號: CN114823912A
• 公開（公告）日: 2022-07-29
• 發明（設計）人: 劉忠杰;郭雷;任武峰;吳靈智;董石宇;張忠陽
• 申請（專利權）人: TCL華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/336
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 熊恒定

本發明提供了一種薄膜晶體管、其制作方法及顯示面板，薄膜晶體管的制作方法，包括：基底；依次位于基底上柵極層和柵絕緣層；位于柵絕緣層上的含氫層；位于含氫層上的半導體層，半導體層包括源摻雜區和漏摻雜區，源摻雜區和漏摻雜區分別間隔設置于半導體層的兩端；分別位于源摻雜區和漏摻雜區上的源電極層和漏電極層。通過在柵絕緣層和半導體層之間形成一層含氫層，優化柵絕緣層中的原子結構，減少結構缺陷，降低閾值電壓，提升開態電流，以提升器件性能，從而提高面板的良率和可靠性。

【技術領域】

本發明涉及顯示技術領域，具體涉及一種薄膜晶體管、其制作方法及顯示面板。

【背景技術】

在液晶顯示面板(Liquid Crystal Display，LCD)或有機電致發光顯示面板(Organic Light-Emitting Diode，OLED)等顯示面板中，每個像素點都是由集成在像素點后面的薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)來驅動，從而可以實現高速度、高亮度、高對比度的顯示屏幕信息。

然而，根據市場的需求，面板逐漸向高解析度、窄邊框的方向發展，面板的像素點的尺寸越來越小，導致產品的設計留給工藝的工藝窗口(process window)越來越小，對薄膜晶體管的結構和工藝提出更高的器件要求。

因此，現有技術存在缺陷，有待改進與發展。

【發明內容】

本發明提供一種薄膜晶體管、其制作方法及顯示面板，以改善薄膜晶體管的電學性能和工藝過程，從而提高面板的良率和可靠性。

為了解決上述問題，本發明提供了一種薄膜晶體管，包括：基底；依次位于基底上柵極層和柵絕緣層；位于柵絕緣層上的含氫層；位于含氫層上的半導體層，半導體層包括源摻雜區和漏摻雜區，源摻雜區和漏摻雜區分別間隔設置于半導體層的兩端；分別位于源摻雜區和漏摻雜區上的源電極層和漏電極層。

其中，含氫層的厚度范圍包括2nm～200nm。

其中，含氫層的材料包括氮化硅。

其中，半導體層的材料包括氫化非晶硅。

其中，薄膜晶體管，還包括：

位于半導體層上的保護層；

位于保護層上的電極層。

為了解決上述問題，本發明提供了一種薄膜晶體管的制作方法，包括：提供基底；在基底上形成柵極層；在柵極層上形成柵絕緣層；在柵絕緣層上形成含氫層；在柵絕緣層上形成半導體層，半導體層包括源摻雜區和漏摻雜區，源摻雜區和漏摻雜區分別間隔設置于半導體層的兩端；分別在源摻雜區和漏摻雜區上形成源電極層和漏電極層。

其中，半導體層與源電極層、漏電極層通過同一掩膜版形成。

其中，在柵絕緣層上形成含氫層，具體包括：

通過沉積工藝在柵絕緣層上形成含氫層，形成含氫層的摻雜劑包括氫氣。

其中，在源摻雜區和漏摻雜區上分別形成源電極層和漏電極層之后，還包括：

在半導體層上形成保護層；

在保護層上形成像素電極層。

為了解決上述問題，本發明提供了一種顯示面板，顯示面板包括彩膜基板，以及與彩膜基板相對設置的陣列基板，其中，陣列基板包括至少一個如上述任一項的薄膜晶體管。