[發明專利]薄膜晶體管、其制作方法及顯示面板

在審

• 申請號: 202210357837.6
• 申請日: 2022-04-06
• 公開（公告）號: CN114823912A
• 公開（公告）日: 2022-07-29
• 發明（設計）人: 劉忠杰;郭雷;任武峰;吳靈智;董石宇;張忠陽
• 申請（專利權）人: TCL華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/336
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 熊恒定

1.一種薄膜晶體管，其特征在于，包括：

基底；

依次位于所述基底上柵極層和柵絕緣層；

位于柵絕緣層上的含氫層；

位于所述含氫層上的半導體層，所述半導體層包括源摻雜區和漏摻雜區，所述源摻雜區和所述漏摻雜區分別間隔設置于所述半導體層的兩端；

分別位于所述源摻雜區和所述漏摻雜區上的源電極層和漏電極層。

2.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述含氫層的厚度范圍包括2nm～200nm。

3.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述含氫層的材料包括氮化硅。

4.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述半導體層的材料包括氫化非晶硅。

5.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管，還包括：

位于所述半導體層上的保護層；

位于所述保護層上的電極層。

6.一種薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成柵極層；

在所述柵極層上形成柵絕緣層；

在所述柵絕緣層上形成含氫層；

在所述柵絕緣層上形成半導體層，所述半導體層包括源摻雜區和漏摻雜區，所述源摻雜區和所述漏摻雜區分別間隔設置于所述半導體層的兩端；

在所述源摻雜區和所述漏摻雜區上分別形成源電極層和漏電極層。

7.如權利要求6所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述半導體層與所述源電極層、所述漏電極層通過同一掩膜版形成。

8.如權利要求6所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述在所述柵絕緣層上形成含氫層，具體包括：

通過沉積工藝在所述柵絕緣層上形成含氫層，形成所述含氫層的摻雜劑包括氫氣。

9.如權利要求6所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，在所述源摻雜區和所述漏摻雜區上分別形成源電極層和所述漏電極層之后，還包括：

在所述半導體層上形成保護層；

在所述保護層上形成像素電極層。

10.一種顯示面板，其特征在于，所述顯示面板包括彩膜基板，以及與所述彩膜基板相對設置的陣列基板，其中，所述陣列基板包括至少一個如權利要求1至5任一項所述的薄膜晶體管。