[發(fā)明專利]一種硅晶片單面去PSG層方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210356439.2
• 申請(qǐng)日: 2022-03-30
• 公開（公告）號(hào): CN114883190A
• 公開（公告）日: 2022-08-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 錢誠(chéng);童建;李剛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 江蘇亞電科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/311
• 分類號(hào): H01L21/311;H01L21/02;H01L21/677;H01L31/18
• 代理公司: 北京商專潤(rùn)文專利代理事務(wù)所(普通合伙) 11317
• 代理人: 陳平

1.一種硅晶片單面去PSG層方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1：上料步驟，將硅晶片以水平方向放置到傳輸輥上，將需要去PSG層的一面朝下；

S2：水膜形成步驟，在硅晶片的上表面噴淋形成保護(hù)水膜；

S3：工藝步驟，將硅晶片通過(guò)工藝段傳輸輥，所述工藝段傳輸輥的每個(gè)輥?zhàn)泳哂猩弦翰郏龉に嚩蝹鬏斴佅路皆O(shè)置有工藝槽，工藝槽內(nèi)設(shè)置有腐蝕液并且所述工藝段傳輸輥部分淹沒于腐蝕液內(nèi)，所述工藝段傳輸輥轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)工藝槽內(nèi)的腐蝕液能夠沿上液槽被帶動(dòng)到硅晶片的下表面；

S4：清洗步驟，對(duì)硅晶片進(jìn)行清洗；

S5：風(fēng)干步驟，使用具有一定溫度的氣體對(duì)晶圓表面進(jìn)行風(fēng)干；

S6：冷卻步驟，使硅晶片在傳輸輥上運(yùn)輸一段距離，使硅晶片的溫度降低；

S7：下料步驟，將硅晶片從傳輸輥上取下。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅晶片單面去PSG層方法，其特征在于，在S3工藝步驟中，在工藝段傳輸輥中間位置設(shè)有旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，使硅晶片旋轉(zhuǎn)90°。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的硅晶片單面去PSG層方法，其特征在于，所述旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)為若干豎直設(shè)置的輥，所述輥上設(shè)置有豎直方向的槽，且槽的設(shè)置高度低于硅晶片的上表面。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅晶片單面去PSG層方法，其特征在于，所述上液槽為螺紋。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的硅晶片單面去PSG層方法，其特征在于，在S3工藝步驟中，利用螺紋形狀的傳輸方向使硅晶片在離開工藝段傳輸輥時(shí)與進(jìn)入工藝段傳輸輥時(shí)相比旋轉(zhuǎn)了90°。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅晶片單面去PSG層方法，其特征在于，在清洗步驟結(jié)束后，還包括阻水步驟，使用阻水輥壓過(guò)硅晶片的上表面，以使硅晶片上表面的水分留下。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅晶片單面去PSG層方法，其特征在于，

工藝槽內(nèi)腐蝕液的液面位于工藝段傳輸輥圓心到工藝段傳輸輥?zhàn)罡唿c(diǎn)處的1/2到2/3處。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅晶片單面去PSG層方法，其特征在于，所述清洗步驟包括浸洗步驟和噴洗步驟。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的硅晶片單面去PSG層方法，其特征在于，

所述浸洗步驟中，使用位于硅晶片上方的刷輥對(duì)硅晶片上表面進(jìn)行清洗，使硅晶片的下表面與浸洗槽內(nèi)液面齊平；

所述噴洗步驟中，使用對(duì)準(zhǔn)硅晶片上表面和下表面的噴管對(duì)硅晶片上表面和下表面進(jìn)行噴淋。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅晶片單面去PSG層方法，其特征在于，所述工藝步驟前端和后端的傳輸輥具有若干環(huán)狀凸起，并在底部設(shè)置集液槽，所述工藝段傳輸輥為兩個(gè)相互咬合的輥?zhàn)訛橐唤M。