[發明專利]一種硅晶片單面去PSG層方法

在審

• 申請號: 202210356439.2
• 申請日: 2022-03-30
• 公開（公告）號: CN114883190A
• 公開（公告）日: 2022-08-09
• 發明（設計）人: 錢誠;童建;李剛
• 申請（專利權）人: 江蘇亞電科技有限公司
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311;H01L21/02;H01L21/677;H01L31/18
• 代理公司: 北京商專潤文專利代理事務所(普通合伙) 11317
• 代理人: 陳平

1.一種硅晶片單面去PSG層方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1：上料步驟，將硅晶片以水平方向放置到傳輸輥上，將需要去PSG層的一面朝下；

S2：水膜形成步驟，在硅晶片的上表面噴淋形成保護水膜；

S3：工藝步驟，將硅晶片通過工藝段傳輸輥，所述工藝段傳輸輥的每個輥子具有上液槽，所述工藝段傳輸輥下方設置有工藝槽，工藝槽內設置有腐蝕液并且所述工藝段傳輸輥部分淹沒于腐蝕液內，所述工藝段傳輸輥轉動時工藝槽內的腐蝕液能夠沿上液槽被帶動到硅晶片的下表面；

S4：清洗步驟，對硅晶片進行清洗；

S5：風干步驟，使用具有一定溫度的氣體對晶圓表面進行風干；

S6：冷卻步驟，使硅晶片在傳輸輥上運輸一段距離，使硅晶片的溫度降低；

S7：下料步驟，將硅晶片從傳輸輥上取下。

2.根據權利要求1所述的硅晶片單面去PSG層方法，其特征在于，在S3工藝步驟中，在工藝段傳輸輥中間位置設有旋轉機構，使硅晶片旋轉90°。

3.根據權利要求2所述的硅晶片單面去PSG層方法，其特征在于，所述旋轉機構為若干豎直設置的輥，所述輥上設置有豎直方向的槽，且槽的設置高度低于硅晶片的上表面。

4.根據權利要求1所述的硅晶片單面去PSG層方法，其特征在于，所述上液槽為螺紋。

5.根據權利要求4所述的硅晶片單面去PSG層方法，其特征在于，在S3工藝步驟中，利用螺紋形狀的傳輸方向使硅晶片在離開工藝段傳輸輥時與進入工藝段傳輸輥時相比旋轉了90°。

6.根據權利要求1所述的硅晶片單面去PSG層方法，其特征在于，在清洗步驟結束后，還包括阻水步驟，使用阻水輥壓過硅晶片的上表面，以使硅晶片上表面的水分留下。

7.根據權利要求1所述的硅晶片單面去PSG層方法，其特征在于，

工藝槽內腐蝕液的液面位于工藝段傳輸輥圓心到工藝段傳輸輥最高點處的1/2到2/3處。

8.根據權利要求1所述的硅晶片單面去PSG層方法，其特征在于，所述清洗步驟包括浸洗步驟和噴洗步驟。

9.根據權利要求8所述的硅晶片單面去PSG層方法，其特征在于，

所述浸洗步驟中，使用位于硅晶片上方的刷輥對硅晶片上表面進行清洗，使硅晶片的下表面與浸洗槽內液面齊平；

所述噴洗步驟中，使用對準硅晶片上表面和下表面的噴管對硅晶片上表面和下表面進行噴淋。

10.根據權利要求1所述的硅晶片單面去PSG層方法，其特征在于，所述工藝步驟前端和后端的傳輸輥具有若干環狀凸起，并在底部設置集液槽，所述工藝段傳輸輥為兩個相互咬合的輥子為一組。