[發明專利]一種硅晶片單面去PSG層方法

在審

• 申請號: 202210356439.2
• 申請日: 2022-03-30
• 公開（公告）號: CN114883190A
• 公開（公告）日: 2022-08-09
• 發明（設計）人: 錢誠;童建;李剛
• 申請（專利權）人: 江蘇亞電科技有限公司
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311;H01L21/02;H01L21/677;H01L31/18
• 代理公司: 北京商專潤文專利代理事務所(普通合伙) 11317
• 代理人: 陳平

本申請涉及一種硅晶片單面去PSG層方法，包括上料步驟?水膜形成步驟?工藝步驟?清洗步驟?風干步驟?冷卻步驟?下料步驟。本申請的方法通過水膜保護上表面、將硅晶片下表面進行腐蝕去掉PSG層，之后再將硅晶片清洗干凈，再經過風干、冷卻完成清洗，具有清洗效率高，清洗效果好的優點。

技術領域

本申請屬于光伏硅片生產技術領域，尤其是涉及一種硅晶片單面去PSG層方法。

背景技術

太陽能電池硅晶片是一種半導體材料，其被用來制備太陽能電池片，太陽能電池硅晶片通常要經過清洗—制絨—擴散—刻蝕等工藝，在太陽能電池片經過擴散工藝后，硅片表面會形成一層PSG層，必須去除。

擴散原理：

POCl₃在高溫600℃下分解，產生P₂O₅和PCl₅,然后2P₂O₅+5Si＝5SiO₂+4P，這樣生成的P就可以擴散到硅片里，實現P摻雜。在擴散中，通過通入足夠的氧氣使PCl₅和氧氣反應，生成P₂O₅和Cl₂，從而避免產生的PCl₅對硅片的不利影響。因此在實現P摻雜的同時，在硅片表面還會有二氧化硅和五氧化二磷，即所謂的PSG，PSG的存在會影響外觀和電性能，同時，存在PSG層電池片容易受潮，導致電流下降，功率衰減；PSG層的存在容易導致pecvd的色差及SixNy的脫落。因此需要對太陽能電池硅晶片去除PSG層。

發明內容

本發明要解決的技術問題是：為解決現有技術中的不足，從而提供一種硅晶片單面去PSG層方法。

本發明解決其技術問題所采用的技術方案是：

一種硅晶片單面去PSG層方法，包括以下步驟：

S1：上料步驟，將硅晶片以水平方向放置到傳輸輥上，將需要去PSG層的一面朝下；

S2：水膜形成步驟，在硅晶片的上表面噴淋形成保護水膜；

S3：工藝步驟，將硅晶片通過工藝段傳輸輥，所述工藝段傳輸輥的每個輥子具有上液槽，所述工藝段傳輸輥下方設置有工藝槽，工藝槽內設置有腐蝕液并且所述工藝段傳輸輥部分淹沒于腐蝕液內，所述工藝段傳輸輥轉動時工藝槽內的腐蝕液能夠沿上液槽被帶動到硅晶片的下表面；

S4：清洗步驟，對硅晶片進行清洗；

S5：風干步驟，使用具有一定溫度的氣體對晶圓表面進行風干；

S6：冷卻步驟，使硅晶片在傳輸輥上運輸一段距離，使硅晶片的溫度降低；

S7：下料步驟，將硅晶片從傳輸輥上取下。

優選地，本發明的硅晶片單面去PSG層方法，在S3工藝步驟中，在工藝段傳輸輥中間位置設有旋轉機構，使硅晶片旋轉90°。

優選地，本發明的硅晶片單面去PSG層方法，所述旋轉機構為若干豎直設置的輥，所述輥上設置有豎直方向的槽，槽的設置高度低于硅晶片的上表面。

優選地，本發明的硅晶片單面去PSG層方法，所述上液槽為螺紋。

優選地，本發明的硅晶片單面去PSG層方法，在S3工藝步驟中，利用螺紋形狀的傳輸方向使硅晶片在離開工藝段傳輸輥時與進入工藝段傳輸輥時相比旋轉了90°。

優選地，本發明的硅晶片單面去PSG層方法，在清洗步驟結束后，還包括阻水步驟，使用阻水輥壓過硅晶片的上表面，以使硅晶片上表面的水分留下。

優選地，本發明的硅晶片單面去PSG層方法，