[發明專利]一種磨片后簡易超聲清洗設備

在審

• 申請號: 202210355340.0
• 申請日: 2022-04-06
• 公開（公告）號: CN114602886A
• 公開（公告）日: 2022-06-10
• 發明（設計）人: 雍琪浩
• 申請（專利權）人: 中環領先半導體材料有限公司
• 主分類號: B08B3/12
• 分類號: B08B3/12;B08B3/10;B08B13/00;H01L21/67
• 代理公司: 蘇州高專知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 32474
• 代理人: 冷泠

本發明公開了一種磨片后簡易超聲清洗設備，包括柜體，所述柜體的內部橫向排布設置有清洗槽，所述清洗槽的底部皆設置有超聲波振板，所述超聲波振板的一側皆設置有加熱管，所述柜體的底部一固定安裝有放置框。該一種磨片后簡易超聲清洗設備，通過利用超聲波的高能量,使物質分子產生顯著的聲壓作用,使得液體分子排列易發生斷裂，液體分子斷裂后,其內出現許多泡狀的小空腔,這些空腔在極短的時間內閉合,同時產生巨大的瞬時壓力，可使浮懸在液體中的固體表面受到急劇的破壞作用,而磨片的砂漿的顆粒粒徑在8.6μm左右，根據此原理，將磨片后硅片通過超聲的方式將硅片表面大顆粒砂漿清洗干凈，減少磨片后清洗壓力，提高硅片表面潔凈度。

技術領域

本發明涉及半導體制造技術領域，具體為一種磨片后簡易超聲清洗設備。

背景技術

在米粒大的硅片上，已能集成16萬個晶體管，這是科學技術進步的又一個里程碑，地殼中含量達25.8％的硅元素，為單晶硅的生產提供了取之不盡的源泉，由于硅元素是地殼中儲量最豐富的元素之一，對太陽能電池這樣注定要進入大規模市場的產品而言，儲量的優勢也是硅成為光伏主要材料的原因之一，硅片生產過程中需要通過清洗設備進行清洗消毒處理。

由于半導體晶圓制造對于成本的訴求日益增高，而大面積硅片在單位產出芯片的數量和單位成本具有優勢，因此半導體硅襯底片的尺寸也趨于大直徑化，從最早的2英寸、3英寸發展到當今的8英寸、12英寸及研發中的18英寸，硅片面積日益增加，隨之帶來的12寸晶圓片表面潔凈度也有了新的要求，磨片清洗機設備無法將磨片后硅片表面硅粉去除干凈，導致硅片無法達到后道加工條件。

發明內容

本發明的目的在于提供一種磨片后簡易超聲清洗設備，以解決上述背景技術中提出的現有的磨片清洗機設備無法將磨片后硅片表面硅粉去除干凈，導致硅片無法達到后道加工條件的問題。

為實現上述目的，本發明提供如下技術方案：一種磨片后簡易超聲清洗設備，包括柜體，所述柜體的內部橫向排布設置有清洗槽，所述清洗槽的底部皆設置有超聲波振板，所述超聲波振板的一側皆設置有加熱管，所述柜體的底部一固定安裝有放置框，所述放置框的內側縱向排布開設有放置槽，所述放置槽的內側皆設置有超聲波發生器，所述超聲波發生器的一側固定安裝有溫控器，所述清洗槽和放置槽的數量皆為兩個。

優選的，所述溫控器的下方設置有加熱開關，且超聲波發生器的一側表面設置有超聲開關。

優選的，所述清洗槽的頂部皆活動安裝有密封蓋，且密封蓋的頂部皆通過螺栓固定安裝有握把。

優選的，所述柜體的一側表面活動卡合安裝有檢修板，且檢修板的表面皆設置有拉環。

優選的，所述柜體的底部固定安裝有支撐腿，且支撐腿和放置框的底部皆設置有支撐座。

優選的，所述清洗槽靠近頂部的一側表面貫穿柜體固定安裝有進水管，所述清洗槽靠近底部的一側表面貫穿柜體固定安裝有排水管，且進水管和排水管上皆設置有控制閥。

優選的，所述超聲波發生器的超聲頻率為20-60KHZ，1000W，所述超聲波清洗的藥液配比水為清洗劑＝30L：0.8L，且超聲波清洗的時間為10分鐘。

與現有技術相比，本發明的有益效果是：

該一種磨片后簡易超聲清洗設備，通過利用超聲波的高能量,使物質分子產生顯著的聲壓作用,使得液體分子排列易發生斷裂，液體分子斷裂后,其內出現許多泡狀的小空腔,這些空腔在極短的時間內閉合,同時產生巨大的瞬時壓力，可使浮懸在液體中的固體表面受到急劇的破壞作用,而磨片的砂漿的顆粒粒徑在8.6μm左右，根據此原理，將磨片后硅片通過超聲的方式將硅片表面大顆粒砂漿清洗干凈，減少磨片后清洗壓力，提高硅片表面潔凈度，使用超聲清洗需搭配表面活性劑和熱水減少砂漿和硅片表面的粘附性，從而使清洗潔凈度達到100％。

附圖說明

圖1為本發明的立體圖；