[發明專利]一種能夠減少半導體鍍膜應力殘留的紋理擋板

在審

• 申請號: 202210354020.3
• 申請日: 2022-04-06
• 公開（公告）號: CN114752885A
• 公開（公告）日: 2022-07-15
• 發明（設計）人: 陳立航;屈麟峰;廖光洪;鄭宣;楊佐東
• 申請（專利權）人: 重慶臻寶實業有限公司
• 主分類號: C23C14/02
• 分類號: C23C14/02
• 代理公司: 重慶樂泰知識產權代理事務所(普通合伙) 50221
• 代理人: 郭澤培

本發明公開了一種能夠減少半導體鍍膜應力殘留的紋理擋板，屬于半導體金屬真空鍍膜技術領域，包括安裝支架、同軸轉動設置在所述安裝支架上的紋理形狀變換板和紋理形狀遮蔽板，所述紋理形狀變換板包括第一中心連接板、環形均布在所述第一中心連接板周向的至少兩組單紋理板，所述單紋理板上陣列均布設置有若干第一通孔，所述紋理形狀遮蔽板包括第二中心連接板、環形均布在所述第二中心連接板周向的至少兩組單遮蔽板，所述單遮蔽板上均布設置有若干第二通孔。本發明裝置可以為產品提供多種紋理形狀，從而能夠試驗出與被加工材料最貼合的規則的紋理形狀和密度，為后續的應力殘留研究做出指導意義。

技術領域

本發明屬于半導體金屬真空鍍膜技術領域，具體涉及一種能夠減少半導體鍍膜應力殘留的紋理擋板。

背景技術

氧化鋁為先進陶瓷中應用最廣的一種材料，因有高硬度、耐高溫性，高耐磨性和密度較低等優點，被廣泛應用于半導體加工設備，尤其是應用在物理薄膜沉積技術上；早期薄膜沉積是在機加工陶瓷表面的初始粗糙度表面進行沉積，但由于常規陶瓷件的制作表面粗糙度有限，造成在表面鍍膜后應力殘留，其涂層附著性、均勻性及其厚度受到限制。隨著半導體制程的不斷發展與推進，對薄膜的管控愈發嚴苛及產能效率的提升，相應的陶瓷表面處理技術也應隨之提升。現有技術是通過噴砂和熔射來增加表面積，從而增加表面附著厚度，這種不規則或者不均勻的表面形態會存在于表面應力的殘留，表面鍍膜后應力殘留過大容易產生剝落和龜裂現象。

發明內容

有鑒于此，本發明的目的在于提供一種能夠減少半導體鍍膜應力殘留的紋理擋板，可以提供多種紋理形狀，從而能夠試驗出與被加工材料最貼合的規則的紋理形狀和密度，為后續的應力殘留研究做出指導意義。

為達到上述目的，本發明提供如下技術方案：

本發明一種能夠減少半導體鍍膜應力殘留的紋理擋板，包括安裝支架、同軸轉動設置在所述安裝支架上的紋理形狀變換板和紋理形狀遮蔽板，所述紋理形狀變換板包括第一中心連接板、環形均布在所述第一中心連接板周向的至少兩組單紋理板，所述單紋理板上陣列均布設置有若干第一通孔，所述第一通孔內配合有紋理模塊，所述紋理模塊上開設有所述紋理通孔，所述紋理形狀遮蔽板包括第二中心連接板、環形均布在所述第二中心連接板周向的至少兩組單遮蔽板，所述單遮蔽板與單紋理板一一對應，所述單遮蔽板上均布設置有若干第二通孔，所述第二通孔與所述第一通孔一一對應，部分所述第二通孔內設置有遮蔽模塊，所述第二通孔的直徑不小于所述紋理通孔的外接圓直徑。

進一步，所述單紋理板與單遮蔽板互為對稱，兩者均包括外板和內板，所述單紋理板與單遮蔽板的內板相對，所述外板的內側形成與所述內板配合的嵌槽，所述外板和內板之間設置有彈性支撐裝置，所述嵌槽的底部開設有若干過孔，所述內板外面固定有若干套筒，所述套筒伸入所述過孔內且與所述過孔配合，所述單紋理板的套筒的內側形成所述第一通孔，所述單遮蔽板的套筒內側形成所述第二通孔。

進一步，所述內板和外板之間相隔有容納腔，所述彈性支撐裝置包括彈簧，所述彈簧套設在一導桿上，所述導桿的一端與所述內板固定連接，所述導桿的另一端伸出所述外板后通過一限位部限位。

進一步，所述單紋理板的容納腔內填充有阻尼球，所述阻尼球包括橡膠球殼、填充在所述橡膠球殼內的阻尼液，所述橡膠球殼表面開設有注入孔，所述注入孔內安裝有擋塞。

進一步，所述安裝支架上固定有一轉軸，所述第一中心連接板和第二中心連接板分別與所述轉軸轉動配合，所述紋理裝置還包括中間支撐板，所述中間支撐板同時與所述轉軸轉動配合，所述中間支撐板上均布設置有若干第三通孔。

進一步，所述中間支撐板的下側固定設置有一支板，所述支板上設置有接近開關，所述單紋理板和單遮蔽板上設置有與所述接近開關對應的感應器。

進一步，所述紋理模塊上開設有凸棱，所述第一通孔內開設有與所述凸棱對應的通槽，所述紋理模塊滑動設置在所述第一通孔內；所述中間支撐板采用電磁鐵材料制成，所述中間支撐板通過導線連接至電源，所述中間支撐板在通電后能夠吸引所述紋理模塊。