[發明專利]Topcon電池制備方法、Topcon電池及去繞鍍槽式清洗機

在審

• 申請號: 202210353011.2
• 申請日: 2022-04-02
• 公開（公告）號: CN114784140A
• 公開（公告）日: 2022-07-22
• 發明（設計）人: 吳帥;張鵬程;張東威;陳晨;袁隕來;葉楓;王建波;呂俊
• 申請（專利權）人: 西安隆基樂葉光伏科技有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/068;H01L21/67
• 代理公司: 北京潤澤恒知識產權代理有限公司 11319
• 代理人: 趙娟

本發明提供了一種Topcon電池制備方法、Topcon電池及去繞鍍槽式清洗機，涉及太陽能光伏技術領域，該方法先提供硅片，該硅片包括正面和與正面相對的背面，以及連接正面和背面的側面，再在正面制備硼摻雜層，在背面制備隧穿氧化層和磷摻雜多晶硅層，在制備隧穿氧化層的過程中形成繞鍍在側面的隧穿氧化層，以及在制備磷摻雜多晶硅層的過程中形成繞鍍在側面的隧穿氧化層外由外向內的磷硅玻璃層、磷摻雜多晶硅層和位于所述側面穿過所述遂穿氧化層的磷內擴層；去除繞鍍的磷硅玻璃層、磷摻雜多晶硅層和隧穿氧化層后，再采用臭氧、氫氟酸的混合溶液對硅片進行清洗，能夠繼續刻蝕硅片邊緣，有效去除磷內擴層，降低邊緣磷過擴濃度，提升正面鈍化效果，避免漏電問題。

技術領域

本發明涉及太陽能光伏技術領域，特別是涉及一種Topcon電池制備方法、Topcon電池及去繞鍍槽式清洗機。

背景技術

隧穿氧化層鈍化接觸(tunnel oxide passivated contact，Topcon)電池的前表面采用疊層鈍化膜，背表面采用超薄氧化硅和摻雜多晶硅(poly-Si)的隧穿氧化層鈍化接觸結構，實現了對多數載流子的選擇性通過，從而降低少數載流子的復合速率，提高轉換效率。

在Topcon電池的制備工藝中，可以采用LPCVD((Low-pressure Chemical VaporDeposition，低壓化學氣相沉積)在硅片的背表面長時間沉積制備poly-Si，在實際生產中通常將硅片前表面對前表面雙插在石英舟的卡槽內，則硅片的前表面向內、背表面向外，此時，在向背表面沉積poly-Si的過程中，由于雙插硅片前表面之間的縫隙，硅片的前表面和側面將產生poly-Si的繞鍍，而poly-Si的繞鍍將影響電池外觀、性能。

發明內容

本發明提供一種Topcon電池制備方法、Topcon電池及去繞鍍槽式清洗機，旨在解決成品Topcon電池的邊緣漏電問題，降低電池的邊緣復合，以提升電池的轉換效率。

第一方面，本發明實施例提供了一種Topcon電池制備方法，該方法可以包括：

提供硅片，所述硅片包括正面和與所述正面相對的背面，以及連接所述正面和所述背面的側面；

在所述正面制備硼摻雜層，以及在所述背面依次制備隧穿氧化層和磷摻雜多晶硅層，其中，在制備所述隧穿氧化層的過程中形成繞鍍在所述側面的隧穿氧化層，以及在制備所述磷摻雜多晶硅層的過程中形成繞鍍在所述側面的所述隧穿氧化層外由外向內的磷硅玻璃層、磷摻雜多晶硅層和位于所述側面穿過所述遂穿氧化層的磷內擴層；

去除繞鍍的所述磷硅玻璃層、繞鍍的所述磷摻雜多晶硅層、繞鍍的所述隧穿氧化層；

采用臭氧、氫氟酸的混合溶液對所述硅片進行清洗，以去除所述側面的所述磷內擴層。

可選地，所述混合溶液中所述臭氧的質量分數為0.025-0.065‰。

可選地，所述混合溶液中所述氫氟酸的質量分數為0.0027-0.0068‰。

可選地，所述清洗的清洗時間為180-250秒。

可選地，所述去除繞鍍的所述磷硅玻璃層、繞鍍的所述磷摻雜多晶硅層、繞鍍的所述隧穿氧化層，包括：

去除繞鍍在所述正面、所述側面的磷硅玻璃層；

去除繞鍍在所述正面、所述側面的所述磷摻雜多晶硅層；

去除繞鍍在所述正面、所述側面的所述隧穿氧化層，繞鍍在所述正面的所述硼硅玻璃層，以及繞鍍在所述背面的所述磷硅玻璃層。

可選地，所述采用臭氧、氫氟酸的混合溶液對所述硅片進行清洗，以去除所述側面的所述磷內擴層之后，還包括：

在所述正面和所述背面制備鈍化膜；

在所述正面和所述背面制備電極。