[發明專利]密封件鍍膜裝置及密封件鍍膜方法在審
| 申請號: | 202210351824.8 | 申請日: | 2022-04-02 |
| 公開(公告)號: | CN114540788A | 公開(公告)日: | 2022-05-27 |
| 發明(設計)人: | 朱昆;顏學慶;曹健輝;劉瑋;馬偉;姜文;曹禎燁;陳惠君;杜翰翔;李冬娜;劉曉蘭 | 申請(專利權)人: | 等離子體裝備科技(廣州)有限公司;廣東省新興激光等離子體技術研究院 |
| 主分類號: | C23C16/04 | 分類號: | C23C16/04;C23C16/455;C23C16/52 |
| 代理公司: | 廣州市律帆知識產權代理事務所(普通合伙) 44614 | 代理人: | 王園園 |
| 地址: | 510000 廣東省廣州市白云區北太路1633*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 密封件 鍍膜 裝置 方法 | ||
1.一種密封件鍍膜裝置,其特征在于,包括:分布式腔體結構以及導氣管;
所述分布式腔體結構包括多個分布式設計的腔體,每個所述腔體與需要鍍膜的密封件相匹配;每個所述腔體內設有一根導氣管,用于接入鍍膜氣體;
在鍍膜時,所述密封件的鍍膜部位嵌入所述腔體內,與腔體密封連接;所述腔體置于真空狀態,向所述導氣管輸入鍍膜氣體;所述鍍膜氣體通入腔體中,在所述密封件的鍍膜部位的表面上沉積形成薄膜。
2.根據權利要求1所述的密封件鍍膜裝置,其特征在于,所述鍍膜氣體為活性單體氣體;所述腔體上還設有出氣口,腔體中未沉積的活性單體氣體通過所述出氣口抽離所述腔體。
3.根據權利要求2所述的分布式導氣裝置,其特征在于,各個所述腔體分布設置在分布式腔體結構的基座上;其中,所述基座內內置供氣管路,所述供氣管路與各個腔體的導氣管連接,并連接至用于產生活性單體氣體的裂解室。
4.根據權利要求2或3所述的密封件鍍膜裝置,其特征在于,還包括與所述基座密封連接的密封蓋,所述分布式腔體結構還連接第一真空泵;
在鍍膜時,所述密封蓋與分布式腔體結構的基座密封連接,使得與分布式腔體結構上的腔體及密封件處于密封空間中,所述第一真空泵用于對所述密封空間進行抽真空以及將出氣口排出的未沉積的活性單體氣體抽離所述密封空間。
5.根據權利要求2或3所述的密封件鍍膜裝置,其特征在于,各個所述出氣口分別連接至第二真空泵;
在鍍膜時,所述第二真空泵用于對各個腔體分別進行抽真空以及將所述未沉積的活性單體氣體抽離所述腔體。
6.根據權利要求2或3所述的密封件鍍膜裝置,其特征在于,還包括真空腔室;其中,所述分布式腔體結構內置于真空腔室中,所述真空腔室連接有第三真空泵;
在鍍膜時,通過所述第三真空泵對所述真空腔室進行抽真空,利用所述活性單體氣體對嵌入腔體內的鍍膜部位的表面進行薄膜沉積,未沉積的活性單體氣體通過所述第三真空泵抽離所述真空腔室。
7.一種密封件鍍膜方法,其特征在于,應用于權利要求1-6任一項所述的密封件鍍膜裝置,包括:
將密封件的鍍膜部位嵌入分布式腔體結構的腔體中;
將各個腔體置于真空狀態;
向供氣管路輸入活性單體氣體,并通過導氣管注入到腔體內;
利用所述活性單體氣體對腔體內的所述密封件的鍍膜部位的表面上沉積薄膜;
鍍膜完成后,將腔體置于大氣壓狀態,取出已鍍膜的密封件。
8.根據權利要求7所述的密封件鍍膜方法,其特征在于,將密封件的鍍膜部位嵌入分布式腔體結構的腔體中之前,還包括:
將多個所述密封件排列制作成密封件集成板;其中,所述腔體的與所述密封件集成板的密封件一一對應;
將所述密封件集成板的各個密封件的鍍膜部位分別嵌入到對應的腔體內。
9.根據權利要求7所述的密封件鍍膜方法,其特征在于,所述將各個腔體置于真空狀態,包括:
通過分布式腔體結構連接的真空泵,將所述密封蓋與分布式腔體結構的基座密封連接構成的密封空間進行抽真空;
通過所述出氣口連接的真空泵將各個腔體進行抽真空;
或者
通過所述真空腔室連接的真空泵對所述真空腔室進行抽真空。
10.根據權利要求7所述的密封件鍍膜方法,其特征在于,在利用所述活性單體氣體對腔體內的所述密封件的鍍膜部位的表面上沉積薄膜時,還包括:
通過第一真空泵將由各個腔體的出氣口排出至密封空間內的未沉積的活性單體氣體進行抽離;
通過第二真空泵將各個腔體內未沉積的活性單體氣體進行抽離;
或者
通過所述第三真空泵將由各個腔體的出氣口排出至所述真空腔室的未沉積的活性單體氣體進行抽離。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





