[發明專利]陣列基板及其制作方法

在審

• 申請號: 202210348679.8
• 申請日: 2022-04-01
• 公開（公告）號: CN114783882A
• 公開（公告）日: 2022-07-22
• 發明（設計）人: 卜美蘭
• 申請（專利權）人: TCL華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L21/34
• 分類號: H01L21/34;H01L29/786
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 黃舒悅

本發明提供一種陣列基板及其制作方法，陣列基板的制作方法包括以下步驟：首先，采用第一道光罩制程在基板上形成遮光層以及位于遮光層背向基板一側的源極和漏極；然后，采用第二道光罩制程在源極、漏極以及遮光層上形成層疊的半導體層、柵極絕緣層和柵極；接著，在柵極和基板上制作介電層，并采用第三道光罩制程在介電層上形成暴露出漏極的過孔；最后，采用第四道光罩制程在介電層上形成像素電極。本發明將陣列基板的源極、漏極以及遮光層采用第一道光罩制作，還將半導體層、柵極絕緣層和柵極采用第二道光罩制作，因此只需四道光罩制程即可完成陣列基板的制作，節省了光罩使用數量，簡化制作工藝、降低生產成本。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，具體涉及一種陣列基板及其制作方法。

背景技術

隨著顯示技術的發展，薄膜晶體管液晶顯示器(Thin Film TransistorLiquidCrystal Display，TFT-LCD)等平面顯示裝置因具有高畫質、省電、機身薄及應用范圍廣等優點，而被廣泛的應用于手機、電視、個人數字助理、數字相機、筆記本電腦、臺式計算機等各種消費性電子產品，成為顯示裝置中的主流。

目前，顯示屏幕的尺寸越來越大，傳統采用的氫化非晶硅(a-Si:H)薄膜晶體管載流子遷移率不夠高，不足以驅動大尺寸液晶顯示面板。一般而言，銦鎵鋅氧化物(IndiumGallium Zinc Oxide，IGZO)薄膜晶體管載流子遷移率明顯高于a-Si:H薄膜晶體管，為了提升薄膜晶體管器件的充電率，IGZO半導體層逐漸取代a-Si:H半導體層，并應用于大尺寸液晶面板的設計。

然而，目前不管是制備含IGZO半導體層的陣列基板或含其它金屬氧化物形成的半導體層的陣列基板，均需要對每一膜層進行沉積、曝光顯影、蝕刻、剝離等工藝制程，光罩的使用數量較多，制作成本高。以頂柵結構的陣列基板為例，一般需要6道光罩工藝制程，工藝復雜、生產成本高。

因此，有必要提供一種技術方案以解決上述問題。

發明內容

本發明提供一種陣列基板及其制作方法，能夠解決現有的陣列基板制作工藝復雜、生產成本高的技術問題。

為解決上述問題，本發明提供的技術方案如下：

本發明實施例提供一種陣列基板的制作方法，包括以下步驟：

S1，提供基板，采用第一道光罩制程在所述基板上形成遮光層以及位于所述遮光層背向所述基板一側的源極和漏極；

S2，采用第二道光罩制程在所述源極、所述漏極以及所述遮光層上形成層疊的半導體層、柵極絕緣層和柵極；

S3，在所述柵極和所述基板上制作介電層，并采用第三道光罩制程在所述介電層上形成暴露出所述漏極的過孔；

S4，采用第四道光罩制程在所述介電層上形成像素電極，所述像素電極通過所述過孔與所述漏極電連接。

可選的，在本發明的一些實施例中，所述S1包括以下步驟：

S101，在所述基板上依次層疊制作遮光膜、第一金屬膜和第一光刻膠膜；

S102，采用第一道光罩對所述第一光刻膠膜、所述第一金屬膜和所述遮光膜進行曝光；其中，所述第一道光罩包括完全透光區、部分透光區和不透光區；

S103，去除對應所述完全透光區和所述部分透光區的所述第一光刻膠膜和所述第一金屬膜，形成所述源極和所述漏極；

S104，去除對應所述完全透光區的所述遮光膜，形成所述遮光層；

S105，去除剩余所述第一光刻膠膜。

可選的，在本發明的一些實施例中，所述遮光層的材料為非金屬的遮光材料。

可選的，在本發明的一些實施例中，所述S2包括以下步驟：