[發明專利]陣列基板及其制作方法

在審

• 申請號: 202210348679.8
• 申請日: 2022-04-01
• 公開（公告）號: CN114783882A
• 公開（公告）日: 2022-07-22
• 發明（設計）人: 卜美蘭
• 申請（專利權）人: TCL華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L21/34
• 分類號: H01L21/34;H01L29/786
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 黃舒悅

1.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1，提供基板，采用第一道光罩制程在所述基板上形成遮光層以及位于所述遮光層背向所述基板一側的源極和漏極；

S2，采用第二道光罩制程在所述源極、所述漏極以及所述遮光層上形成層疊的半導體層、柵極絕緣層和柵極；

S3，在所述柵極和所述基板上制作介電層，并采用第三道光罩制程在所述介電層上形成暴露出所述漏極的過孔；

S4，采用第四道光罩制程在所述介電層上形成像素電極，所述像素電極通過所述過孔與所述漏極電連接。

2.根據權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述S1包括以下步驟：

S101，在所述基板上依次層疊制作遮光膜、第一金屬膜和第一光刻膠膜；

S102，采用第一道光罩對所述第一光刻膠膜、所述第一金屬膜和所述遮光膜進行曝光；其中，所述第一道光罩包括完全透光區、部分透光區和不透光區；

S103，去除對應所述完全透光區和所述部分透光區的所述第一光刻膠膜和所述第一金屬膜，形成所述源極和所述漏極；

S104，去除對應所述完全透光區的所述遮光膜，形成所述遮光層；

S105，去除剩余所述第一光刻膠膜。

3.根據權利要求2所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述遮光層的材料為非金屬的遮光材料。

4.根據權利要求2所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述S2包括以下步驟：

S201，在所述源極、所述漏極、所述遮光層以及所述基板上制作半導體膜，所述半導體膜包括對應所述源極和所述漏極的導體化區域；

S202，對所述半導體膜對應所述導體化區域的部分進行導體化，形成導體區；

S203，在所述半導體膜上依次層疊制作柵極絕緣膜、第二金屬膜和第二光刻膠膜；

S204，采用第二道光罩對所述第二光刻膠膜、所述第二金屬膜、所述柵極絕緣膜和所述半導體膜進行曝光；其中，所述第二道光罩包括完全透光區和不透光區；

S205，去除對應所述完全透光區的所述第二光刻膠膜、所述第二金屬膜、所述柵極絕緣膜和所述半導體膜，形成所述柵極、所述柵極絕緣層和所述半導體層；

S206，去除剩余所述第二光刻膠膜。

5.根據權利要求4所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，制得的所述柵極、所述柵極絕緣層和所述半導體層在垂直于所述基板的方向上形成堆疊結構，所述堆疊結構的邊緣與所述源極和所述漏極存在交疊；

其中，所述柵極絕緣層以及所述柵極在所述基板上的正投影均落入所述半導體層在所述基板上的正投影的范圍內。

6.一種陣列基板，其特征在于，包括：

基板；

源極，設置于所述基板上；

漏極，與所述源極同層的設置于所述基板上，并與所述源極相間隔；

半導體層，設于所述源極和所述漏極之間且所述半導體層的邊緣延伸至所述源極和所述漏極背向所述基板的一側；

柵極絕緣層，設于所述半導體層背向所述基板的一側；

柵極，設于所述柵極絕緣層背向所述基板的一側；

其中，所述柵極、所述柵極絕緣層和所述半導體層在垂直于所述基板的方向上形成堆疊結構，且所述堆疊結構的邊緣與所述源極和所述漏極存在交疊。

7.根據權利要求6所述的陣列基板，其特征在于，在垂直于所述基板的方向上，所述半導體層、所述柵極絕緣層以及所述柵極的邊緣均與所述源極和所述漏極存在交疊。

8.根據權利要求7所述的陣列基板，其特征在于，所述柵極絕緣層以及所述柵極在所述基板上的正投影均落入所述半導體層在所述基板上的正投影的范圍內。