[發明專利]扇出堆棧封裝方法、芯片封裝結構和電子設備在審
| 申請號: | 202210344643.2 | 申請日: | 2022-03-31 |
| 公開(公告)號: | CN114709142A | 公開(公告)日: | 2022-07-05 |
| 發明(設計)人: | 王森民;孔德榮 | 申請(專利權)人: | 甬矽半導體(寧波)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/56 | 分類號: | H01L21/56;H01L23/31;H01L23/485 |
| 代理公司: | 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 王雪莎 |
| 地址: | 315400 浙江省寧*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 堆棧 封裝 方法 芯片 結構 電子設備 | ||
本申請提供了一種扇出堆棧封裝方法、芯片封裝結構和電子設備,涉及半導體領域。本申請芯片封裝結構以及扇出堆棧封裝方法制得的封裝結構包括第一重新布線層、第二重新布線層、第一塑封體、第一芯片、第二芯片、第一錫球和打線焊盤。第一芯片和第一塑封體位于第一重新布線層與第二重新布線層之間,第一錫球位于第二重新布線層,而第二芯片重疊地設置在第一重新布線層背離第一芯片的一側,可通過電連接于第二重新布線層的第一錫球和電連接于第一重新布線層的打線焊盤作為訊號連接點。扇出堆棧封裝方法和封裝結構可有效的減少封裝面積進而提高單位面積的功能集成度,從而獲得更精細的布線線寬及高密度的封裝結構。
技術領域
本申請涉及半導體領域,具體而言,涉及一種扇出堆棧封裝方法、芯片封裝結構和電子設備。
背景技術
隨著半導體行業的快速發展,扇出封裝結構廣泛應用于半導體行業中,但扇出封裝只限于在平面上的展開,對于多芯片集成,傳統扇出封裝將會使得整體面積過大。
發明內容
本申請的目的包括提供一種扇出堆棧封裝方法、芯片封裝結構和電子設備,其能夠提高封裝結構在單位面積的功能集成度,有利于芯片封裝結構和電子設備的小型化。
本申請的實施例可以這樣實現:
第一方面,本申請提供一種扇出堆棧封裝方法,包括:
在載具上制作第一重新布線層,在第一重新布線層上制作第一導電柱;
將第一芯片倒裝至第一重新布線層,其中,第一芯片上預先設置有第二導電柱,第一芯片通過第二導電柱與第一重新布線層電連接;
制作第一塑封體以包裹第一芯片、第一導電柱以及第二導電柱,并露出第一導電柱遠離載具的一端;
在第一塑封體上制作第二重新布線層,并在第二重新布線層上制作第一錫球,第二重新布線層通過第一導電柱與第一重新布線層電連接;
將載具與第一重新布線層分離,并在第一重新布線層遠離第一塑封體的一側設置第二芯片和用于外接引線的打線焊盤,打線焊盤和第二芯片均與第一重新布線層電連接。
在可選的實施方式中,在第一重新布線層遠離第一塑封體的一側設置第二芯片和用于外接引線的打線焊盤的步驟,包括:
在第一重新布線層上設置第三重新布線層,第三重新布線層與第二重新布線層電連接,且第三重新布線層遠離第二重新布線層的一側形成打線焊盤;
將第二芯片倒裝于第三重新布線層。
在可選的實施方式中,第二芯片上設置有第三導電柱,第二芯片通過第三導電柱與第三重新布線層電連接;扇出堆棧封裝方法還包括:
制作第二塑封體以包裹第三導電柱。
在可選的實施方式中,扇出堆棧封裝方法還包括:
在第一芯片的晶圓上制作第二導電柱;
在第二芯片的晶圓上制作第三導電柱。
在可選的實施方式中,扇出堆棧封裝方法還包括:
通過第一錫球將第二重新布線層與基板電連接;
設置引線將打線焊盤與基板電連接。
在可選的實施方式中,露出第一導電柱遠離載具的一端的步驟,包括:
研磨第一塑封體以露出第一導電柱遠離載具的一端。
在可選的實施方式中,將載具與第一重新布線層分離的步驟之后,且在第一重新布線層遠離第一塑封體的一側設置第二芯片的步驟之前,扇出堆棧封裝方法還包括:將第二重新布線層通過臨時薄膜貼裝于載具;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





