[發(fā)明專利]扇出堆棧封裝方法、芯片封裝結構和電子設備

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202210344643.2
• 申請日: 2022-03-31
• 公開（公告）號: CN114709142A
• 公開（公告）日: 2022-07-05
• 發(fā)明（設計）人: 王森民;孔德榮
• 申請（專利權）人: 甬矽半導體（寧波）有限公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L23/31;H01L23/485
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 王雪莎

1.一種扇出堆棧封裝方法，其特征在于，包括：

在載具上制作第一重新布線層，在所述第一重新布線層上制作第一導電柱；

將第一芯片倒裝至所述第一重新布線層，其中，所述第一芯片上預先設置有第二導電柱，所述第一芯片通過所述第二導電柱與所述第一重新布線層電連接；

制作第一塑封體以包裹所述第一芯片、所述第一導電柱以及所述第二導電柱，并露出所述第一導電柱遠離所述載具的一端；

在所述第一塑封體上制作第二重新布線層，并在所述第二重新布線層上制作第一錫球，所述第二重新布線層通過所述第一導電柱與所述第一重新布線層電連接；

將所述載具與所述第一重新布線層分離，并在所述第一重新布線層遠離所述第一塑封體的一側設置第二芯片和用于外接引線的打線焊盤，所述打線焊盤和所述第二芯片均與所述第一重新布線層電連接。

2.根據(jù)權利要求1所述的扇出堆棧封裝方法，其特征在于，在所述第一重新布線層遠離所述第一塑封體的一側設置第二芯片和用于外接引線的打線焊盤的步驟，包括：

在所述第一重新布線層上設置第三重新布線層，所述第三重新布線層與所述第二重新布線層電連接，且所述第三重新布線層遠離所述第二重新布線層的一側形成所述打線焊盤；

將所述第二芯片倒裝于所述第三重新布線層。

3.根據(jù)權利要求2所述的扇出堆棧封裝方法，其特征在于，所述第二芯片上設置有第三導電柱，所述第二芯片通過第三導電柱與所述第三重新布線層電連接；所述扇出堆棧封裝方法還包括：

制作第二塑封體以包裹所述第三導電柱。

4.根據(jù)權利要求3所述的扇出堆棧封裝方法，其特征在于，所述扇出堆棧封裝方法還包括：

在所述第一芯片的晶圓上制作所述第二導電柱；

在所述第二芯片的晶圓上制作所述第三導電柱。

5.根據(jù)權利要求1所述的扇出堆棧封裝方法，其特征在于，所述扇出堆棧封裝方法還包括：

通過所述第一錫球將所述第二重新布線層與基板電連接；

設置引線將所述打線焊盤與所述基板電連接。

6.根據(jù)權利要求1-5中任一項所述的扇出堆棧封裝方法，其特征在于，所述露出所述第一導電柱遠離所述載具的一端的步驟，包括：

研磨所述第一塑封體以露出所述第一導電柱遠離所述載具的一端。

7.根據(jù)權利要求1-5中任一項所述的扇出堆棧封裝方法，其特征在于，將所述載具與所述第一重新布線層分離的步驟之后，且在所述第一重新布線層遠離所述第一塑封體的一側設置第二芯片的步驟之前，所述扇出堆棧封裝方法還包括：將所述第二重新布線層通過臨時薄膜貼裝于載具；

在所述第一重新布線層遠離所述第一塑封體的一側設置第二芯片的步驟之后，所述扇出堆棧封裝方法還包括：去除所述第二重新布線層上的載具和所述臨時薄膜。

8.根據(jù)權利要求1-5中任一項所述的扇出堆棧封裝方法，其特征在于，將所述第一芯片倒裝至所述第一重新布線層的步驟，包括將多個所述第一芯片倒裝至所述第一重新布線層；

在所述第一重新布線層遠離所述第一塑封體的一側設置第二芯片的步驟之后，所述扇出堆棧封裝方法還包括：切割以形成單顆的芯片封裝結構。

9.根據(jù)權利要求1-5中任一項所述的扇出堆棧封裝方法，其特征在于，所述第一導電柱、所述第二導電柱均為銅柱。