[發(fā)明專利]封裝器件的失效定位方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202210344354.2 | 申請(qǐng)日: | 2022-04-02 |
| 公開(公告)號(hào): | CN114487788A | 公開(公告)日: | 2022-05-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 倪毅強(qiáng);石高明;張志鑫;楊施政;何亮 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國電子產(chǎn)品可靠性與環(huán)境試驗(yàn)研究所((工業(yè)和信息化部電子第五研究所)(中國賽寶實(shí)驗(yàn)室)) |
| 主分類號(hào): | G01R31/28 | 分類號(hào): | G01R31/28 |
| 代理公司: | 華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224 | 代理人: | 周旋 |
| 地址: | 511300 廣東省*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 封裝 器件 失效 定位 方法 | ||
1.一種封裝器件的失效定位方法,其特征在于,所述封裝器件的失效定位方法包括:
獲取未失效封裝器件的參考信號(hào),所述參考信號(hào)包括所述未失效封裝器件的時(shí)域信號(hào);
獲取失效封裝器件的測量信號(hào),所述測量信號(hào)包括所述失效封裝器件的時(shí)域信號(hào);
對(duì)比所述參考信號(hào)和所述測量信號(hào),獲得所述失效封裝器件的失效位置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝器件的失效定位方法,其特征在于,所述封裝器件包括多層結(jié)構(gòu);所述獲取所述未失效封裝器件的參考信號(hào)包括:
沿厚度方向依次去除所述未失效封裝器件的各層結(jié)構(gòu),并在去除每一層結(jié)構(gòu)之后,均獲取剩余結(jié)構(gòu)的時(shí)域信號(hào)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的封裝器件的失效定位方法,其特征在于,通過時(shí)域反射測量系統(tǒng)獲取所述時(shí)域信號(hào)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的封裝器件的失效定位方法,其特征在于,所述通過時(shí)域反射測量系統(tǒng)獲取所述時(shí)域信號(hào),包括:
通過時(shí)域反射測量系統(tǒng)中的探針接觸所述未失效封裝器件的封裝管腳,所述探針發(fā)射脈沖信號(hào),所述脈沖信號(hào)在所述未失效封裝器件的引線中傳播,以得到所述時(shí)域信號(hào)。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的封裝器件的失效定位方法,其特征在于,所述去除所述未失效封裝器件的各層結(jié)構(gòu)的方法包括機(jī)械研磨法、離子刻蝕法和化學(xué)腐蝕法中的至少一種。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的封裝器件的失效定位方法,其特征在于,所述獲取未失效封裝器件的參考信號(hào)之前,還包括:
采用 3D X-射線的方法對(duì)所述未失效封裝器件進(jìn)行掃描分析;
記錄所述未失效封裝器件的封裝結(jié)構(gòu)及各層結(jié)構(gòu)的物理參數(shù);所述物理參數(shù)包括所述未失效封裝器件的各層結(jié)構(gòu)的形狀和厚度。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝器件的失效定位方法,其特征在于,所述獲取失效封裝器件的測量信號(hào)包括:
通過時(shí)域反射測量系統(tǒng)獲取所述失效封裝器件的整體結(jié)構(gòu)的時(shí)域信號(hào)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的封裝器件的失效定位方法,其特征在于,所述對(duì)比所述參考信號(hào)和所述測量信號(hào),獲得所述失效封裝器件的失效位置,包括:
對(duì)比所述未失效封裝器件的時(shí)域信號(hào)和所述失效封裝器件的整體結(jié)構(gòu)的時(shí)域信號(hào),確定所述失效封裝器件的失效位置。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝器件的失效定位方法,其特征在于,所述封裝器件包括:裸片結(jié)構(gòu)層、微凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)層、通孔結(jié)構(gòu)、硅轉(zhuǎn)接板結(jié)構(gòu)層、可控塌陷芯片連接凸起結(jié)構(gòu)層、封裝層、球柵陣列封裝結(jié)構(gòu)層及疊印制板結(jié)構(gòu)層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的封裝器件的失效定位方法,其特征在于,所述微凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)層中的最小的微凸點(diǎn)的直徑小于20μm;所述通孔結(jié)構(gòu)中的最小的通孔的直徑小于20μm。
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G01R 測量電變量;測量磁變量
G01R31-00 電性能的測試裝置;電故障的探測裝置;以所進(jìn)行的測試在其他位置未提供為特征的電測試裝置
G01R31-01 .對(duì)相似的物品依次進(jìn)行測試,例如在成批生產(chǎn)中的“過端—不過端”測試;測試對(duì)象多點(diǎn)通過測試站
G01R31-02 .對(duì)電設(shè)備、線路或元件進(jìn)行短路、斷路、泄漏或不正確連接的測試
G01R31-08 .探測電纜、傳輸線或網(wǎng)絡(luò)中的故障
G01R31-12 .測試介電強(qiáng)度或擊穿電壓
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