[發(fā)明專利]基于大數(shù)據(jù)的第三代半導(dǎo)體可靠性數(shù)據(jù)分析系統(tǒng)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210343862.9
• 申請(qǐng)日: 2022-03-31
• 公開（公告）號(hào): CN114705965A
• 公開（公告）日: 2022-07-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳海峰;鄭才忠;王躍偉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳力鈦科技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): G01R31/26
• 分類號(hào): G01R31/26
• 代理公司: 深圳市道勤知酷知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44439
• 代理人: 何兵

本發(fā)明屬于半導(dǎo)體領(lǐng)域，涉及數(shù)據(jù)分析技術(shù)，用于解決現(xiàn)有半導(dǎo)體可靠性檢測無法模擬半導(dǎo)體的真實(shí)應(yīng)用環(huán)境，導(dǎo)致可靠性檢測結(jié)果準(zhǔn)確性不高的問題，具體是基于大數(shù)據(jù)的第三代半導(dǎo)體可靠性數(shù)據(jù)分析系統(tǒng)，包括處理器，所述處理器通信連接有環(huán)境試驗(yàn)?zāi)K、壽命分析模塊以及存儲(chǔ)模塊；所述環(huán)境試驗(yàn)?zāi)K用于對(duì)第三代半導(dǎo)體的環(huán)境耐受能力進(jìn)行檢測分析：試驗(yàn)空間e包括模擬溫度與模擬濕度，對(duì)試驗(yàn)空間的模擬溫度與模擬濕度進(jìn)行賦值，對(duì)分配至試驗(yàn)空間e的分析對(duì)象進(jìn)行試驗(yàn)分析；本發(fā)明通過對(duì)試驗(yàn)空間的模擬溫度與模擬濕度進(jìn)行賦值，可以使試驗(yàn)空間建立一個(gè)獨(dú)立試驗(yàn)環(huán)境，最終通過各個(gè)試驗(yàn)空間的試驗(yàn)環(huán)境對(duì)半導(dǎo)體的實(shí)際真實(shí)環(huán)境進(jìn)行模擬。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于半導(dǎo)體領(lǐng)域，涉及數(shù)據(jù)分析技術(shù)，具體是基于大數(shù)據(jù)的第三代半導(dǎo)體可靠性數(shù)據(jù)分析系統(tǒng)。

背景技術(shù)

第三代半導(dǎo)體材料可以實(shí)現(xiàn)更好的電子濃度和運(yùn)動(dòng)控制，更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率電子器件，在光電子和微電子領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用價(jià)值，市場火熱的5G基站、新能源汽車和快充等都是第三代半導(dǎo)體的重要應(yīng)用領(lǐng)域。

第三代半導(dǎo)體的可靠性檢測主要包括環(huán)境試驗(yàn)和壽命試驗(yàn)兩個(gè)大項(xiàng)，在現(xiàn)有技術(shù)中，環(huán)境試驗(yàn)的過程是分別在高溫、低溫和溫度交變環(huán)境下對(duì)半導(dǎo)體的工作狀態(tài)進(jìn)行檢測分析，然而，半導(dǎo)體在實(shí)際應(yīng)用當(dāng)中所應(yīng)對(duì)的環(huán)境比環(huán)境試驗(yàn)中的模擬環(huán)境更加復(fù)雜多變，因此現(xiàn)有技術(shù)中的環(huán)境試驗(yàn)無法模擬半導(dǎo)體的真實(shí)應(yīng)用環(huán)境，導(dǎo)致可靠性檢測結(jié)果的參考性不高。

針對(duì)上述技術(shù)問題，本申請(qǐng)?zhí)岢鲆环N解決方案。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供基于大數(shù)據(jù)的第三代半導(dǎo)體可靠性數(shù)據(jù)分析系統(tǒng)，用于解決現(xiàn)有半導(dǎo)體可靠性檢測無法模擬半導(dǎo)體的真實(shí)應(yīng)用環(huán)境，導(dǎo)致可靠性檢測結(jié)果準(zhǔn)確性不高的問題；

本發(fā)明需要解決的技術(shù)問題為：如何提供一種可以對(duì)半導(dǎo)體的真實(shí)應(yīng)用環(huán)境進(jìn)行模擬的第三代半導(dǎo)體可靠性數(shù)據(jù)分析系統(tǒng)。

本發(fā)明的目的可以通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)：

基于大數(shù)據(jù)的第三代半導(dǎo)體可靠性數(shù)據(jù)分析系統(tǒng)，包括處理器，所述處理器通信連接有環(huán)境試驗(yàn)?zāi)K、壽命分析模塊以及存儲(chǔ)模塊；

所述環(huán)境試驗(yàn)?zāi)K用于對(duì)第三代半導(dǎo)體的環(huán)境耐受能力進(jìn)行檢測分析：將待檢測的第三代半導(dǎo)體標(biāo)記為分析對(duì)象i，i＝1，2，…，n，n為正整數(shù)，設(shè)立試驗(yàn)空間e，e＝1，2，…，m，m為正整數(shù)，且m為n的約數(shù)，將分析對(duì)象i平均分配至m個(gè)試驗(yàn)空間內(nèi)；試驗(yàn)空間e包括模擬溫度與模擬濕度，對(duì)試驗(yàn)空間的模擬溫度與模擬濕度進(jìn)行賦值，賦值完成之后，對(duì)分配至試驗(yàn)空間e的分析對(duì)象進(jìn)行試驗(yàn)分析得到分析對(duì)象i的試驗(yàn)系數(shù)SYi；

通過存儲(chǔ)模塊獲取到試驗(yàn)閾值SYmax，將分析對(duì)象i的試驗(yàn)系數(shù)SYi與試驗(yàn)閾值SYmax進(jìn)行比較：

若試驗(yàn)系數(shù)SYi小于試驗(yàn)閾值SYmax，則判定分析對(duì)象i試驗(yàn)合格；

若試驗(yàn)系數(shù)SYi大于等于試驗(yàn)閾值SYmax，則判定分析對(duì)象i試驗(yàn)不合格，環(huán)境試驗(yàn)?zāi)K向處理器發(fā)送試驗(yàn)不合格信號(hào)。

作為本發(fā)明的一種優(yōu)選實(shí)施方式，對(duì)試驗(yàn)空間的模擬溫度與模擬濕度進(jìn)行賦值的具體過程包括：獲取第三代半導(dǎo)體工作時(shí)的適宜溫度范圍與適宜濕度范圍，在適宜溫度范圍內(nèi)選取L1個(gè)溫度試驗(yàn)值，L1個(gè)溫度試驗(yàn)值將適宜溫度范圍分割為L1+1個(gè)溫度區(qū)間，L1+1個(gè)溫度區(qū)間的溫差均相同；在適宜濕度范圍內(nèi)選取L2個(gè)濕度試驗(yàn)值，L2個(gè)濕度試驗(yàn)值將適宜濕度范圍分割為L2+1個(gè)濕度區(qū)間，L2+1個(gè)濕度區(qū)間的濕度差均相同，L1與L2均為數(shù)量常量；

在L1個(gè)溫度試驗(yàn)值中隨機(jī)抽取一個(gè)溫度試驗(yàn)值并取其數(shù)值為模擬溫度賦值；

在L2個(gè)濕度試驗(yàn)值中隨機(jī)抽取一個(gè)濕度試驗(yàn)值并取其數(shù)值為模擬濕度賦值。