[發明專利]發明半導體引線框架蝕刻產品制造的脫膜裝置在審
| 申請號： | 202210341732.1 | 申請日： | 2022-03-29 |
| 公開（公告）號： | CN114724959A | 公開（公告）日： | 2022-07-08 |
| 發明（設計）人： | 陳利解;門松明珠;周愛和 | 申請（專利權）人： | 昆山一鼎工業科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/48 | 分類號： | H01L21/48;B08B3/02;B08B3/08;B08B3/14;B08B13/00 |
| 代理公司： | 常州至善至誠專利代理事務所(普通合伙) 32409 | 代理人： | 吳霜 |
| 地址： | 215300 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 發明 半導體 引線 框架 蝕刻 產品 制造 裝置 | ||
1.一種發明半導體引線框架蝕刻產品制造的脫膜裝置，其特征在于，包括：
依次連通的浸水洗上槽(1)、噴水洗上槽(2)和脫膜機構(3)；
所述浸水洗上槽(1)連通有上水過濾系統(4)，所述上水過濾系統(4)采用水泵輸送，所述浸水洗上槽(1)連通有母槽自循環系統(5)；
所述噴水洗上槽(2)包括槽體(21)、設于槽體(21)底部的內子槽(22)和設于槽體(21)上部的上噴管(23)；
所述脫模機構包括與所述噴水洗上槽(2)對接的對接框架(31)、設于對接框架(31)內的轉動滾筒(32)和用于驅動轉動滾筒(32)轉動的轉動電機(33)，所述對接框架(31)遠離所述噴水洗上槽(2)一側設置有出料口(34)，所述對接框架(31)內設置有脫膜噴水管(35)。
2.如權利要求1所述的發明半導體引線框架蝕刻產品制造的脫膜裝置，其特征在于，
所述浸水洗上槽(1)包括依次連通的第一浸水洗槽(11)和第二浸水洗槽(12)。
3.如權利要求2所述的發明半導體引線框架蝕刻產品制造的脫膜裝置，其特征在于，
所述上水過濾系統(4)包括若干個連通所述浸水洗上槽(1)的上水過濾筒(41)和用于將所述浸水洗上槽(1)內的水通入上水過濾筒(41)的上水水泵(42)。
4.如權利要求3所述的發明半導體引線框架蝕刻產品制造的脫膜裝置，其特征在于，
所述母槽自循環系統(5)包括過濾母槽(51)和設于過濾母槽(51)上的過濾水泵(52)。
5.如權利要求4所述的發明半導體引線框架蝕刻產品制造的脫膜裝置，其特征在于，
所述出料口(34)下方設置有膜回收槽(6)。
6.如權利要求5所述的發明半導體引線框架蝕刻產品制造的脫膜裝置，其特征在于，
所述對接框架(31)內設置有承托機構(7)；
所述承托機構(7)包括設于所述對接框架(31)底部的承接豎板(71)和轉動連接于承接豎板(71)上的承托滾輪(72)，所述承托滾輪(72)與所述轉動滾筒(32)轉動連接。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
