[發明專利]發明半導體引線框架蝕刻產品制造的脫膜裝置在審
| 申請號: | 202210341732.1 | 申請日: | 2022-03-29 |
| 公開(公告)號: | CN114724959A | 公開(公告)日: | 2022-07-08 |
| 發明(設計)人: | 陳利解;門松明珠;周愛和 | 申請(專利權)人: | 昆山一鼎工業科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48;B08B3/02;B08B3/08;B08B3/14;B08B13/00 |
| 代理公司: | 常州至善至誠專利代理事務所(普通合伙) 32409 | 代理人: | 吳霜 |
| 地址: | 215300 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發明 半導體 引線 框架 蝕刻 產品 制造 裝置 | ||
本發明屬于半導體集成電路引線框架蝕刻制造技術領域,具體涉及發明半導體引線框架蝕刻產品制造的脫膜裝置,這種發明半導體引線框架蝕刻產品制造的脫膜裝置包括:依次連通的浸水洗上槽、噴水洗上槽和脫膜機構;浸水洗上槽連通有上水過濾系統,上水過濾系統采用水泵輸送,浸水洗上槽連通有母槽自循環系統;噴水洗上槽包括槽體、設于槽體底部的內子槽和設于槽體上部的上噴管;脫模機構包括與噴水洗上槽對接的對接框架、設于對接框架內的轉動滾筒和用于驅動轉動滾筒轉動的轉動電機。這種發明半導體引線框架蝕刻產品制造的脫膜裝置具有通過脫膜裝置的噴射浸潤、噴射浸漬和噴射沖擊,使蝕刻產品附著異物的現象大幅度下降的效果。
技術領域
本發明屬于半導體集成電路引線框架蝕刻制造的技術領域,具體涉及發明半導體引線框架蝕刻產品制造的脫膜裝置。
背景技術
在半導體引線框架制造技術領域中,用蝕刻技術將金屬素材制造加工成多種多樣的高科技領域所需的精密半導體電子產品成為目前十分重要的課題。例如,半導體集成電路的重要技術核心,芯片制造技術是高尖端科學技術發展的重要基礎及核心組成部分;半導體引線框架作為集成電路的芯片載體,是電子信息產業中重要的基礎原材料;因而半導體引線框架制造技術是制造高精密半導體集成電路的重要基礎材料。
在現代電子信息產業領域當中,半導體引線框架蝕刻設備是非常重要的基礎制造核心技術。目前,半導體引線框架蝕刻制造設備是影響現代集成電路半導體引線框架制造水平的至關重要的核心基礎。只有不斷提高蝕刻制造設備的工藝水平和制造加工精度,才能不斷提高現代電子信息產業中半導體集成電路引線框架的制造技術的持續發展。
然而在使用半導體引線框架蝕刻制造設備的實際工業生產當中,蝕刻后的金屬感光膜材料在脫膜工段,存在產品附著異物,致使產品質量不穩定的異常現象。
發明內容
本發明的目的是提供發明半導體引線框架蝕刻產品制造的脫膜裝置,以解決蝕刻后的金屬感光膜材料在脫膜工段,存在產品附著異物,致使產品質量不穩定的技術問題,達到能夠通過脫膜裝置的噴射浸潤、噴射浸漬和噴射沖擊,使蝕刻產品附著異物的現象大幅度下降的目的。
為了解決上述技術問題,本發明提供了發明半導體引線框架蝕刻產品制造的脫膜裝置,包括:
依次連通的浸水洗上槽、噴水洗上槽和脫膜機構;
所述浸水洗上槽連通有上水過濾系統,所述上水過濾系統采用水泵輸送,所述浸水洗上槽連通有母槽自循環系統;
所述噴水洗上槽包括槽體、設于槽體底部的內子槽和設于槽體上部的上噴管;
所述脫模機構包括與所述噴水洗上槽對接的對接框架、設于對接框架內的轉動滾筒和用于驅動轉動滾筒轉動的轉動電機,所述對接框架遠離所述噴水洗上槽一側設置有出料口,所述對接框架內設置有脫膜噴水管。
進一步的,所述浸水洗上槽包括依次連通的第一浸水洗槽和第二浸水洗槽。
進一步的,所述上水過濾系統包括若干個連通所述浸水洗上槽的上水過濾筒和用于將所述浸水洗上槽內的水通入上水過濾筒的上水水泵。
進一步的,所述母槽自循環系統包括過濾母槽和設于過濾母槽上的過濾水泵。
進一步的,所述出料口下方設置有膜回收槽。
進一步的,所述對接框架內設置有承托機構;
所述承托機構包括設于所述對接框架底部的承接豎板和轉動連接于承接豎板上的承托滾輪,所述承托滾輪與所述轉動滾筒轉動連接。
本發明的有益效果是:
1、通過依次連通的浸水洗上槽、噴水洗上槽和脫膜機構,能夠使蝕刻設備
經過脫膜溶液的噴射潤濕、噴射浸透、噴射膨脹和噴射沖擊,從而除去曝光區域的感光干膜,得到具有產品結構圖案的蝕刻銅合金材料。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





