[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件的源極/漏極區(qū)域及其形成方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210340809.3
• 申請(qǐng)日: 2022-04-02
• 公開（公告）號(hào): CN115084027A
• 公開（公告）日: 2022-09-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉威民;舒麗麗;李啟弘;楊育佳
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/8238
• 分類號(hào): H01L21/8238;H01L27/092
• 代理公司: 北京東方億思知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11258
• 代理人: 朱亦林

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

第一納米結(jié)構(gòu)，位于半導(dǎo)體襯底之上；

第二納米結(jié)構(gòu)，位于所述第一納米結(jié)構(gòu)之上；

柵極結(jié)構(gòu)，圍繞所述第一納米結(jié)構(gòu)和所述第二納米結(jié)構(gòu)；

第一外延區(qū)域，位于所述半導(dǎo)體襯底中并與所述柵極結(jié)構(gòu)相鄰，其中，所述第一外延區(qū)域是第一摻雜半導(dǎo)體材料；以及

第二外延區(qū)域，位于所述第一外延區(qū)域之上，其中，所述第二外延區(qū)域與所述第一納米結(jié)構(gòu)和所述第二納米結(jié)構(gòu)相鄰，其中，所述第二外延區(qū)域是不同于所述第一摻雜半導(dǎo)體材料的第二摻雜半導(dǎo)體材料。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述第一摻雜半導(dǎo)體材料具有比所述第二摻雜半導(dǎo)體材料更小的摻雜濃度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述第一外延區(qū)域的頂表面延伸高于所述半導(dǎo)體襯底的頂表面。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述第一摻雜半導(dǎo)體材料和所述第二摻雜半導(dǎo)體材料被相反地?fù)诫s。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述第二摻雜半導(dǎo)體材料摻雜有p型雜質(zhì)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述第一摻雜半導(dǎo)體材料是具有第一鍺原子分?jǐn)?shù)的硅鍺，并且其中，所述第二摻雜半導(dǎo)體材料是具有第二鍺原子分?jǐn)?shù)的硅鍺，所述第二鍺原子分?jǐn)?shù)大于所述第一鍺原子分?jǐn)?shù)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的器件，其中，所述第一鍺原子分?jǐn)?shù)小于0.2。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，還包括：側(cè)壁外延區(qū)域，位于所述第一納米結(jié)構(gòu)和所述第二納米結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上，其中，所述側(cè)壁外延區(qū)域包括所述第一摻雜半導(dǎo)體材料。

9.一種半導(dǎo)體器件，包括：

半導(dǎo)體鰭，從襯底突出，所述半導(dǎo)體鰭包括第一凹部；

第一納米結(jié)構(gòu)，位于所述半導(dǎo)體鰭之上；

柵極結(jié)構(gòu)，圍繞所述第一納米結(jié)構(gòu)；以及

第一源極/漏極區(qū)域，與所述第一納米結(jié)構(gòu)相鄰，其中，所述第一源極/漏極區(qū)域包括：

第一外延區(qū)域，位于所述第一凹部中，其中，所述第一外延區(qū)域具有第一摻雜濃度；以及

第二外延區(qū)域，位于所述第一外延區(qū)域上，其中，所述第二外延區(qū)域具有大于所述第一摻雜濃度的第二摻雜濃度。

10.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括：

在襯底上形成一組納米結(jié)構(gòu)，其中，該組納米結(jié)構(gòu)中的每一個(gè)納米結(jié)構(gòu)包括溝道區(qū)域；

在所述襯底中形成與該組納米結(jié)構(gòu)相鄰的凹部；

使用第一外延生長(zhǎng)工藝在所述凹部中形成第一外延區(qū)域，其中，所述第一外延區(qū)域填充所述凹部；

使用不同于所述第一外延生長(zhǎng)工藝的第二外延生長(zhǎng)工藝在所述第一外延區(qū)域上形成第二外延區(qū)域；以及

在該組納米結(jié)構(gòu)上形成柵極結(jié)構(gòu)，其中，所述柵極結(jié)構(gòu)圍繞該組納米結(jié)構(gòu)中的每一個(gè)納米結(jié)構(gòu)的溝道區(qū)域。