[發(fā)明專利]一種光阻層移除方法及半導(dǎo)體器件的制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202210336244.1
• 申請日: 2022-04-01
• 公開（公告）號: CN114420547B
• 公開（公告）日: 2022-06-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 宋富冉;周儒領(lǐng);黃厚恒
• 申請（專利權(quán)）人: 合肥晶合集成電路股份有限公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;H01L21/266;H01L21/8244;H01L27/11
• 代理公司: 上海光華專利事務(wù)所(普通合伙) 31219
• 代理人: 王積毅

1.一種光阻層移除方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供一半導(dǎo)體層，所述半導(dǎo)體層包括襯底，所述襯底包括并排設(shè)置的多個類型不同的阱區(qū)，且每個所述阱區(qū)上包括至少一個有源區(qū)，所述襯底上包括并排設(shè)置的第一阱區(qū)、第二阱區(qū)和第三阱區(qū)，所述第二阱區(qū)位于所述第一阱區(qū)和所述第三阱區(qū)之間，且所述第一阱區(qū)和第三阱區(qū)為第一類型阱區(qū)，所述第二阱區(qū)為第二類型阱區(qū)，其中，所述第一類型阱區(qū)與第二類型阱區(qū)的類型不同；

形成抗反射層于所述半導(dǎo)體層上；

形成光阻層于所述抗反射層上；

蝕刻所述光阻層和所述抗反射層，形成圖案化的所述光阻層和所述抗反射層；

以所述光阻層和所述抗反射層為掩膜，向所述半導(dǎo)體層植入離子；以及

移除所述光阻層和所述抗反射層；

其中，所述半導(dǎo)體層包括多晶硅層，在所述第二阱區(qū)內(nèi)，形成光阻層于所述多晶硅層上，且所述光阻層的一側(cè)延伸至所述第一阱區(qū)內(nèi)，所述光阻層的另一側(cè)延伸至所述第三阱區(qū)內(nèi)；

其中，所述光阻層一側(cè)的延伸寬度為第一寬度，所述光阻層另一側(cè)的延伸寬度為第二寬度，其中，所述第一寬度為所述第一阱區(qū)寬度的1/5~1/4，所述第二寬度為所述第三阱區(qū)寬度的1/5~1/4，且所述第一寬度和所述第二寬度相等。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種光阻層移除方法，其特征在于，應(yīng)用于設(shè)置在靜態(tài)隨機存取存儲器中的多種光阻層布局結(jié)構(gòu)。

3.一種半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供一襯底；

所述襯底包括并排設(shè)置的多個類型不同的阱區(qū)，且每個所述阱區(qū)上包括至少一個有源區(qū)，所述襯底上包括并排設(shè)置的第一阱區(qū)、第二阱區(qū)和第三阱區(qū)，所述第二阱區(qū)位于所述第一阱區(qū)和所述第三阱區(qū)之間，且所述第一阱區(qū)和第三阱區(qū)為第一類型阱區(qū)，所述第二阱區(qū)為第二類型阱區(qū)，其中，所述第一類型阱區(qū)與第二類型阱區(qū)的類型不同；

形成多晶硅層于所述有源區(qū)上；

在不同的所述阱區(qū)內(nèi)，形成抗反射層于所述多晶硅層上；

形成光阻層于所述抗反射層上；

蝕刻位于不同的所述阱區(qū)內(nèi)的所述光阻層和所述抗反射層；

向所述有源區(qū)植入離子；以及

移除所述光阻層和所述抗反射層；

其中，所述半導(dǎo)體器件的制作方法包括：在所述第二阱區(qū)內(nèi)，形成光阻層于所述多晶硅層上，且所述光阻層的一側(cè)延伸至所述第一阱區(qū)內(nèi)，所述光阻層的另一側(cè)延伸至所述第三阱區(qū)內(nèi)，所述光阻層一側(cè)的延伸寬度為第一寬度，所述光阻層另一側(cè)的延伸寬度為第二寬度，其中，所述第一寬度為所述第一阱區(qū)寬度的1/5~1/4，所述第二寬度為所述第三阱區(qū)寬度的1/5~1/4，且所述第一寬度和所述第二寬度相等。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件的制作方法還包括：

在形成所述多晶硅層前，在所述襯底上形成多個溝槽隔離結(jié)構(gòu)；以及

在形成所述多晶硅層后，形成抗反射層于所述溝槽隔離結(jié)構(gòu)上與所述多晶硅層上。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，在蝕刻光阻層和所述抗反射層時，所述光阻層的寬度與所述抗反射層的寬度相等。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件的制作方法包括：蝕刻去除位于所述第一阱區(qū)內(nèi)和所述第三阱區(qū)內(nèi)的所述光阻層和所述抗反射層。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，在蝕刻所述光阻層和所述抗反射層時，減薄所述光阻層至預(yù)設(shè)厚度。

8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，所述抗反射層的厚度為50~100埃。