[發明專利]ESD保護電路及顯示裝置

有效

• 申請號: 202210328429.8
• 申請日: 2022-03-30
• 公開（公告）號: CN114582282B
• 公開（公告）日: 2023-07-25
• 發明（設計）人: 張毅先;胡俊艷;陳誠;戴超
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: G09G3/3208
• 分類號: G09G3/3208;H05K9/00
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 孔翰

本申請實施例提供的ESD保護電路及顯示裝置中，包括偵測模塊、放大模塊以及放電模塊，采用偵測模塊能以較快的速度感知到I/O端上出現了ESD異常電荷；然后通過放大模塊將ESD異常電荷放大，從而使放電模塊更充分地導通，以實現更好的ESD保護效果。本申請實施例采用了低溫多晶氧化物晶體管技術，可以實現性能良好的偵測模塊及放大模塊，讓放電模塊在正常工作過程時泄漏電荷較小，而在出現ESD異常電荷時，還能以較快的相應速度將ESD異常電荷釋放掉，保護I/O線路及其相關電路，不受到沖擊電流和沖擊電壓的損壞。

技術領域

本申請涉及顯示技術領域，具體涉及一種ESD保護電路及顯示裝置。

背景技術

目前，有源矩陣的有機發光二極管顯示廣泛地應用到中小尺寸顯示面板，并逐漸成為顯示技術的主流。具體地，基于低溫多晶硅及金屬氧化物形成的混合型晶體管技術，即低溫多晶氧化物技術，已經開始成為高端顯示的背光技術。低溫多晶氧化物技術具有高遷移率、高驅動能力以及低泄漏電流的特點，可以較明顯地減少有源矩陣的有機發光二極管像素內部節點的泄漏電流以及電荷，從而在低幀場合較明顯地減少顯示驅動功耗。

但是目前為止，大部分關于低溫多晶氧化物晶體管技術僅僅用于改善有源矩陣的有機發光二極管像素電路的性能，而較少有相關研究，運用低溫多晶氧化物晶體管技術來構建高性能周邊驅動電路，尤其是關于ESD保護電路方面。

其中，現有的ESD電路不僅需要具有較強的保護效果，而且需要保證I/O端正常工作過程中泄漏電流較低。但是這兩者之間存在矛盾，從提升ESD保護效果來看，現有ESD電路中串聯的TFT數量越少越好，但是這樣就會引起在正常工作時，I/O端要輸出一定量的高電壓。因此，在現有的ESD電路中，由于器件結構參數也較難于優化選擇，且受限于電路的原理性缺陷，無論TFT的溝道寬度以及長度如何選取，現有的ESD電路也難于同時兼顧到ESD保護效果、較低的漏電、較小的電路面積、較低的功耗等指標。

因此，如何提供一種ESD電路，使其能夠兼顧到ESD保護效果、較低的漏電、較小的電路面積、較低的功耗等指標是現有面板廠家需要努力攻克的難關。

發明內容

本申請實施例的目的在于提供一種ESD電路及顯示裝置，能夠解決現有的ESD電路難于同時兼顧到ESD保護效果、較低的漏電、較小的電路面積、較低的功耗等指標的技術問題。

本申請實施例提供一種ESD電路，包括第一電源線、第二電源線、參考高電壓信號線、參考低電壓信號線、偵測模塊、放大模塊以及放電模塊；其中，

所述第一電源線上設有I/O端，所述第一電源線用于提供正常工作高電壓，所述第二電源線用于提供放電電壓，所述參考高電壓信號線用于提供參考高電壓，所述參考低電壓信號線用于提高參考低電壓；

所述偵測模塊電性連接于所述I/O端、所述第二電源線以及所述放大模塊，所述偵測模塊用于偵測所述I/O端是否出現ESD異常電荷，若出現ESD異常電荷，則將所述ESD異常電荷傳輸至所述放大模塊；

所述放大模塊電性連接于所述參考高電壓信號線、所述參考低電壓信號線、所述偵測模塊以及所述放電模塊，所述放大模塊用于放大所述ESD異常電荷，并將經過放大的所述ESD異常電荷傳輸至所述放電模塊；

所述放電模塊電性連接于所述第一電源線、所述第二電源線以及所述放大模塊，所述放電模塊用于當接收到經過放大的所述ESD異常電荷時，釋放所述I/O端的所述ESD異常電荷。

在本申請所述的ESD電路中，所述偵測模塊包括第一阻性元件以及第二阻性元件，所述第一阻性元件的一端電性連接于所述I/O端，所述第一阻性元件的另一端連接于第一節點，所述第二阻性元件的一端電性連接于所述第二電源線，所述第二阻性元件的另一端電性連接于所述第一節點。