[發明專利]ESD保護電路及顯示裝置有效
| 申請號: | 202210328429.8 | 申請日: | 2022-03-30 |
| 公開(公告)號: | CN114582282B | 公開(公告)日: | 2023-07-25 |
| 發明(設計)人: | 張毅先;胡俊艷;陳誠;戴超 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | G09G3/3208 | 分類號: | G09G3/3208;H05K9/00 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 孔翰 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市東湖新技術*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | esd 保護 電路 顯示裝置 | ||
1.一種ESD保護電路,其特征在于,包括第一電源線、第二電源線、參考高電壓信號線、參考低電壓信號線、偵測模塊、放大模塊以及放電模塊;其中,
所述第一電源線上設有I/O端,所述第一電源線用于提供正常工作高電壓,所述第二電源線用于提供放電電壓,所述參考高電壓信號線用于提供參考高電壓,所述參考低電壓信號線用于提供參考低電壓;
所述偵測模塊電性連接于所述I/O端、所述第二電源線以及所述放大模塊,
所述偵測模塊用于偵測所述I/O端是否出現ESD異常電荷,若出現ESD異常電荷,則將所述ESD異常電荷傳輸至所述放大模塊;
所述放大模塊電性連接于所述參考高電壓信號線、所述參考低電壓信號線、所述偵測模塊以及所述放電模塊,所述放大模塊用于放大所述ESD異常電荷,并將經過放大的所述ESD異常電荷傳輸至所述放電模塊;
所述放電模塊電性連接于所述第一電源線、所述第二電源線以及所述放大模塊,所述放電模塊用于當接收到經過放大的所述ESD異常電荷時,釋放所述I/O端的所述ESD異常電荷;
其中,所述放電模塊包括第一放電晶體管以及第二放電晶體管,所述第一放電晶體管的柵極電性連接于所述第一電源線,所述第一放電晶體管的源極和漏極中的一者電性連接于所述第一電源線,所述第一放電晶體管的源極和漏極中的另一者電性連接于所述第二放電晶體管的源極和漏極中的一者,所述第二放電晶體管的源極和漏極中的另一者電性連接于所述第二電源線,所述第二放電晶體管的柵極電性連接于所述放大模塊的輸出端。
2.根據權利要求1所述的ESD保護電路,其特征在于,所述偵測模塊包括第一阻性元件以及第二阻性元件,所述第一阻性元件的一端電性連接于所述I/O端,所述第一阻性元件的另一端連接于第一節點,所述第二阻性元件的一端電性連接于所述第二電源線,所述第二阻性元件的另一端電性連接于所述第一節點。
3.根據權利要求2所述的ESD保護電路,其特征在于,所述第一阻性元件包括第一偵測晶體管,所述第二阻性元件包括第二偵測晶體管,所述第一偵測晶體管的柵極電性連接于所述第一節點,所述第一偵測晶體管的源極和漏極中的一者電性連接于所述I/O端,所述第一偵測晶體管的源極和漏極中的另一者電性連接于所述第一節點,所述第二偵測晶體管的柵極電性連接于所述第二電源線,所述第二偵測晶體管的源極和漏極中的一者電性連接于所述第一節點,所述第二偵測晶體管的源極和漏極中的另一者電線連接于所述第二電源線。
4.根據權利要求3所述的ESD保護電路,其特征在于,所述第二偵測晶體管的溝道寬度是所述第一偵測晶體管的溝道寬度的比值為9至11。
5.根據權利要求2所述的ESD保護電路,其特征在于,所述放大模塊包括第一緩沖放大器以及第二緩沖放大器,所述第一緩沖放大器的輸入端電性連接于所述第一節點,所述第一緩沖放大器的輸出端電性連接于第二節點,所述第二緩沖放大器的輸入端電性連接于所述第二節點,所述第二緩沖放大器的輸出端電性連接于第三節點。
6.根據權利要求5所述的ESD保護電路,其特征在于,所述第一緩沖放大器包括第一放大晶體管以及第二放大晶體管,所述第二緩沖放大器包括第三放大晶體管以及第四放大晶體管,所述第一放大晶體管的柵極電性連接于所述第一節點,所述第一放大晶體管的源極和漏極中的一者電性連接于所述參考高電壓信號線,所述第一放大晶體管的源極和漏極中的另一者電性連接于第二節點,所述第二放大晶體管的柵極電性連接于所述第二節點,所述第二放大晶體管的源極和漏極中的一者接入所述參考高電壓信號線,所述第二放大晶體管的源極和漏極中的另一者電性連接于第三節點,所述第三放大晶體管的柵極電性連接于所述第一節點,所述第三放大晶體管的源極和漏極中的一者接入所述參考低電壓信號線,所述第三放大晶體管的源極和漏極中的另一者電性連接于所述第二節點,所述第四放大晶體管的柵極電性連接于所述第二節點,所述第四放大晶體管的源極和漏極中的一者接入所述參考低電壓信號線,所述第四放大晶體管的源極和漏極中的另一者電性連接于所述第三節點。
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