[發明專利]一種納米晶TaWMoCrZr難熔高熵合金涂層及其制備方法有效
| 申請號: | 202210327869.1 | 申請日: | 2022-03-30 |
| 公開(公告)號: | CN114807880B | 公開(公告)日: | 2023-06-06 |
| 發明(設計)人: | 王亞強;丁佳琪;張金鈺;吳凱;劉剛;孫軍 | 申請(專利權)人: | 西安交通大學 |
| 主分類號: | C23C14/35 | 分類號: | C23C14/35;C23C14/16;C22C30/00 |
| 代理公司: | 西安通大專利代理有限責任公司 61200 | 代理人: | 范巍 |
| 地址: | 710049 *** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 納米 tawmocrzr 難熔高熵 合金 涂層 及其 制備 方法 | ||
本發明公開了一種TaWMoCrZr難熔高熵合金涂層及其制備方法,Zr的原子百分比小于15.8at.%,其余為近等原子比的TaWMoCr。在拋光的鋼基體和單晶硅基體上采用磁控濺射共濺射的方法制備TaWMoCrZr難熔高熵合金涂層,其中TaWMoCr合金靶采用2個直流電源,Zr靶采用1個射頻電源。高真空磁控濺射共濺射制備得到的TaWMoCrZr難熔高熵合金涂層為單相BCC固溶體,具有納米柱狀晶結構,表面形貌為針片狀,成分均勻,組織致密,厚度為2.1~2.7μm。Zr的適量加入可以有效提高TaWMoCr高熵合金涂層的力學性能、膜基結合性能以及抗氧化性能,擴展了高熵合金涂層的應用范圍。
技術領域
本發明涉及金屬表面改性領域,具體為一種TaWMoCrZr難熔高熵合金涂層及其制備方法。
背景技術
高熵合金因其獨特的結構和優異的綜合性能而具有廣闊的應用前景,成為近些年的研究熱點。傳統合金體系的設計理念是基于滿足某些主要性能的要求,選擇一種或兩種主要元素,同時在合金化的過程中添加少量其他元素來提高合金的性能,如強度與韌性、耐腐蝕性、耐磨性等。而新興的高熵合金則提出了一種全新的合金設計理念,其由多種元素以等原子比或近等原子比混合而成。傳統合金的研究認為,合金體系中過多的元素易于形成脆性金屬間化合物,從而使合金結構變得復雜。而對高熵合金的研究發現,其具有很高的混合熵和晶體內原子的遲滯擴散效應,容易獲得熱穩定性極高的簡單固溶體,主要是面心立方(FCC)、體心立方(BCC)和密排六方(HCP)。而其獨特的晶體結構又使得多主元高熵合金顯現出許多優異的性能,如高強度,高韌性,優異的耐腐蝕性、耐磨損性、抗氧化性、抗輻照性和熱穩定性等。
目前,NbMoTaW難熔高熵合金是研究最廣泛的高熵合金種類之一,其具有穩定的單相體心立方結構,具有優異的高溫力學性能和組織結構穩定性,可以在1600℃保持較高的強度;且各組元元素的擴散系數低,高溫下能夠表現出良好的阻擴特性和抗蠕變變形能力。然而,較差的抗高溫氧化性能限制了其進一步的應用。
發明內容
針對現有技術中存在的問題,本發明提供一種納米晶TaWMoCrZr難熔高熵合金涂層及其制備方法,所制備的TaWMoCrZr難熔高熵合金涂層具有均勻的微觀組織、良好的抗氧化性能以及優異的力學性能。
本發明是通過以下技術方案來實現:
一種TaWMoCrZr難熔高熵合金涂層,其化學成分組成原子百分比為:Zr元素的原子百分數小于15.8at.%,其余為等原子比的TaWMoCr。
優選的,所述TaWMoCrZr難熔高熵合金涂層的晶體結構為單相BCC固溶體,晶粒為納米柱狀晶,表面形貌為針片狀。
優選的,所述TaWMoCrZr難熔高熵合金涂層的厚度為2.1~2.7μm。
一種TaWMoCrZr難熔高熵合金涂層的制備方法,包括以下過程:
真空環境下,在干凈的基體上采用TaWMoCr合金靶和Zr靶共濺射TaWMoCrZr難熔高熵合金涂層,然后冷卻至室溫得到TaWMoCrZr難熔高熵合金涂層;
其中,TaWMoCr合金靶的濺射功率為100W,Zr靶的濺射功率≤60W,沉積氣壓0.3Pa,基盤轉速15r/min,沉積時間20000s。
優選的,采用兩個TaWMoCr合金靶和一個Zr靶共濺射TaWMoCrZr難熔高熵合金涂層。
優選的,所述TaWMoCr合金靶的原子百分比為,Ta:W:Mo:Cr=29:29:23:19at.%。
優選的,在對基體濺射前先對基體進行預處理:
首先,對基體進行超聲清洗并烘干;
然后,對基體進行真空刻蝕,功率200W,氣流量60sccm,刻蝕5分鐘。
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