[發明專利]一種納米晶TaWMoCrZr難熔高熵合金涂層及其制備方法

有效

• 申請號: 202210327869.1
• 申請日: 2022-03-30
• 公開（公告）號: CN114807880B
• 公開（公告）日: 2023-06-06
• 發明（設計）人: 王亞強;丁佳琪;張金鈺;吳凱;劉剛;孫軍
• 申請（專利權）人: 西安交通大學
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/16;C22C30/00
• 代理公司: 西安通大專利代理有限責任公司 61200
• 代理人: 范巍

1.一種TaWMoCrZr難熔高熵合金涂層，其特征在于，其化學成分組成原子百分比為：Zr元素的原子百分數為0.69％-15.8％，其余為等原子比的TaWMoCr；所述TaWMoCrZr難熔高熵合金涂層的晶體結構為單相BCC固溶體，晶粒為納米柱狀晶，表面形貌為針片狀，所述TaWMoCrZr難熔高熵合金涂層的厚度為2.1～2.7μm，納米壓痕硬度為12.4～14.7GPa，楊氏模量為172～201GPa。

2.一種權利要求1所述的TaWMoCrZr難熔高熵合金涂層的制備方法，其特征在于，包括以下過程：

真空環境下，在干凈的基體上采用兩個TaWMoCr合金靶和一個Zr靶共濺射TaWMoCrZr難熔高熵合金涂層，然后冷卻至室溫得到TaWMoCrZr難熔高熵合金涂層；

其中，TaWMoCr合金靶的濺射功率為100W，Zr靶的濺射功率≤60W，沉積氣壓0.3Pa，基盤轉速15r/min，沉積時間20000s。

3.根據權利要求2所述的TaWMoCrZr難熔高熵合金涂層的制備方法，其特征在于，所述TaWMoCr合金靶的原子百分比為，Ta:W:Mo:Cr＝29:29:23:19at.％。

4.根據權利要求2所述的TaWMoCrZr難熔高熵合金涂層的制備方法，其特征在于，在對基體濺射前先對基體進行預處理：

首先，對基體進行超聲清洗并烘干；

然后，對基體進行真空刻蝕，功率200W，氣流量60sccm，刻蝕5分鐘。

5.根據權利要求2所述的TaWMoCrZr難熔高熵合金涂層的制備方法，其特征在于，所述基體為鋼基體或單晶硅基體。