[發明專利]一種氟化鋰改性的鈦酸鋇基介質薄膜及其制備方法有效
| 申請號: | 202210326578.0 | 申請日: | 2022-03-30 |
| 公開(公告)號: | CN114560693B | 公開(公告)日: | 2023-04-25 |
| 發明(設計)人: | 李欣芮;何秋蔚;羅宇舟;劉來君;彭彪林;陳雪 | 申請(專利權)人: | 南京卡巴卡電子科技有限公司 |
| 主分類號: | C04B35/468 | 分類號: | C04B35/468;C04B35/622;H01G4/12 |
| 代理公司: | 南寧新途專利代理事務所(普通合伙) 45119 | 代理人: | 但玉梅 |
| 地址: | 211156 江蘇省南京市江寧區*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 氟化 改性 鈦酸鋇 介質 薄膜 及其 制備 方法 | ||
本發明提供一種氟化鋰改性的鈦酸鋇基介質薄膜及其制備方法,屬于電子材料與元器件領域。該介質薄膜化學組成的化學通式為(1?y)Basubgt;1?x/subgt;Resubgt;x/subgt;TiOsubgt;3/subgt;?yLiF,其中0.005≤x≤0.02,0.0025≤y≤0.03,y為質量分數,Re為La、Ce、Pr中的一種或兩種元素。采用溶膠凝膠法制備,分別配制Basubgt;1?x/subgt;Resubgt;x/subgt;TiOsubgt;3/subgt;和LiF前驅體溶液;通過分別旋涂、干燥、熱解、退火、擴散,最終形成(1?y)Ba1?xRexTiO3?yLiF固溶體。本發明通過摻雜,并在制備時調節退火溫度、退火時間控制氟的揮發,從而獲得溫度穩定性好、耐擊穿強度高的介電薄膜。
技術領域
本發明涉及電子材料與元器件領域,具體涉及一種稀土和氟化鋰改性的鈦酸鋇基介質薄膜及其制備方法。
背景技術
為了滿足電子器件微型化和苛刻使用條件的需求,電子元器件、尤其是電容器的微型化、高可靠性、高的介電常數和寬的溫度穩定性成為開發的重點。在多層陶瓷電容器領域,開始考慮巨介電材料,他們通常是指摻雜的BaTiO3、TiO2、CaCu3Ti4O12、NiO2、SrTiO3等。但是這些體系在制作成超薄介質薄膜的時候面臨巨大的技術難題。鈦酸鍶和鈦酸鋇晶化溫度較高,需要加入助溶劑和合適的工藝才有可能制備成超薄介質薄膜,與半導體工藝兼容。鈣銅鈦氧和氧化鎳主要是晶界層效應,晶粒通常比較大,做成超薄介質薄膜以后,介電常數急劇降低;二氧化鈦主要是采用缺陷調控和界面效應產生巨介電常數,因此對退火工藝非常敏感,難以得到大批量的穩定工藝。
考慮到工藝的穩定性和產品的可靠性,將鈦酸鋇材料進行改性并采用溶膠凝膠工藝是一個可靠的途徑。本發明的第一發明人劉來君早在2004年就開始用溶膠凝膠工藝制備鈦酸鋇納米粉體和電子陶瓷[劉來君,馬占紅,孫樂民,樊慧慶,納米BaTiO3粉末的制備及燒結工藝的優化,材料導報,18:49-51(2004)],但是仍然無法將其制備成介質薄膜。Randall等人將氟化鋰引入BaTiO3陶瓷[C.A.Randall,S.F.Wang,D.Laubscher,J.P.Dougherty,andW.Huebner,Structure?property?relationships?in?core-shell?BaTiO3-LiF?ceramics,J.Mater.Res.,8(4):871-879(1993)],不僅降低了其燒結溫度,而且還能形成核殼結構,從而大大提高了其溫度穩定性,可用于X7R的陶瓷電容器。但是由于當燒結溫度為850℃時,出現第二相LiTiO2,以及在核殼結構中,核心和殼層之間的應變不匹配會給核心區域帶來壓縮應力,進而影響介電性能,因此仍然無法應用于超薄介質薄膜。為了進一步提高BaTiO3的介電常數,本發明的第一發明人劉來君采用稀土改性的方法[Yingzhi?Meng,Kang?Liu,Xiuyun?Zhang,Xuerui?Qiang,Xiuyun?Lei,Jun由于Chen,Chunchun?Li,Zhao?Yang,LaijunLiu,Compositional?modulation?and?annealing?treatment?in?BaTiO3?tosimultaneously?achieve?colossal?permittivity,low?dielectric?loss,and?highthermal?stability,Ceramics?International,47(23):33912-33916(2021)],獲得了溫度穩定性極好(25-400℃)的改性鈦酸鋇陶瓷電容器材料,但是把它的厚度減小到數百納米的時候,其擊穿場強無法達到要求。因此,將鈦酸鋇陶瓷電容器材料制備成超薄介質薄膜,保持高的介電常數和溫度穩定性,同時提高其擊穿場強,是目前需要解決的問題。
發明內容
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