[發明專利]一種半導體器件的制備方法及半導體器件

在審

• 申請號: 202210325853.7
• 申請日: 2022-03-29
• 公開（公告）號: CN114725118A
• 公開（公告）日: 2022-07-08
• 發明（設計）人: 張鵬飛;陳金星;李貝貝
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L27/11524
• 分類號: H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11578
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 呂姝娟

1.一種半導體器件的制備方法，其特征在于，包括：

提供襯底；

在所述襯底上形成堆疊結構，所述堆疊結構包括第一堆疊層和在第一方向上與所述第一堆疊層相鄰設置的第二堆疊層，所述第一堆疊層包括分別位于所述第一堆疊層在第二方向兩端的第一連接區堆疊層、以及位于所述第一連接區堆疊層之間的第二連接區堆疊層，其中，所述第一連接區堆疊層在所述第二方向的寬度大于所述第二連接區堆疊層在所述第二方向的寬度，所述第一方向與所述第二方向垂直；

形成覆蓋所述第一連接區堆疊層和所述第二連接區堆疊層的保護層；

對所述保護層未覆蓋的所述第一堆疊層進行刻蝕。

2.根據權利要求1所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述第一堆疊層還包括階梯區堆疊層，所述階梯區堆疊層與所述第二連接區堆疊層在所述第二方向上交替設置。

3.根據權利要求2所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述形成覆蓋所述第一連接區堆疊層和所述第二連接區堆疊層的保護層的步驟之前，所述制備方法還包括：

在所述第一連接區堆疊層上形成遮擋層；

在所述第二連接區堆疊層上形成掩模層；

基于所述掩模層和所述遮擋層對所述階梯區堆疊層進行刻蝕，以在所述階梯區堆疊層中形成階梯結構；

去除所述遮擋層和所述掩模層。

4.根據權利要求3所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述形成覆蓋所述第一連接區堆疊層和所述第二連接區堆疊層的保護層的步驟，包括：

在所述第一堆疊層上形成光刻膠層；

對所述光刻膠進行曝光顯影形成圖案化光刻膠層，所述圖案化光刻膠層位于所述第一連接區堆疊層和所述第二連接區堆疊層上作為所述保護層。

5.根據權利要求4所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述對所述保護層未覆蓋的所述第一堆疊層進行刻蝕的步驟，包括：

對所述階梯結構繼續向下刻蝕，以降低所述階梯結構的高度。

6.根據權利要求1所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述制備方法還包括：

形成沿垂直于所述襯底的第三方向貫穿所述第二堆疊層的存儲結構。

7.根據權利要求6所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述在所述襯底上形成堆疊結構的步驟，包括：

在垂直于所述襯底的第三方向上交替堆疊導電材料層與電介質材料層。

8.一種半導體器件，其特征在于，包括：

襯底；

位于所述襯底上的堆疊結構，所述堆疊結構包括第一堆疊層和在第一方向上與所述第一堆疊層相鄰設置的第二堆疊層；

其中，所述第一堆疊層包括分別位于所述第一堆疊層在第二方向兩端的第一連接結構，和位于所述第一連接結構之間的多個第二連接結構；所述第一連接結構在所述第二方向的寬度大于所述第二連接結構在所述第二方向的寬度，所述第一方向與所述第二方向垂直。

9.根據權利要求8所述的半導體器件，其特征在于，所述第一堆疊層還包括多個階梯結構，所述階梯結構與所述第二連接結構在所述第二方向上交替設置。

10.根據權利要求8所述的半導體器件，其特征在于，所述堆疊結構沿垂直于所述襯底的第三方向，分別包括交替層疊的電介質材料層和導電材料層。

11.根據權利要求8所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件還包括：沿垂直于所述襯底的第三方向貫穿所述第二堆疊層的存儲結構。