[發明專利]陶瓷電子部件及其制造方法在審
| 申請號: | 202210322821.1 | 申請日: | 2022-03-30 |
| 公開(公告)號: | CN115148498A | 公開(公告)日: | 2022-10-04 |
| 發明(設計)人: | 加藤洋一 | 申請(專利權)人: | 太陽誘電株式會社 |
| 主分類號: | H01G4/30 | 分類號: | H01G4/30;H01G4/12;H01G4/008;H01G4/232 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322 | 代理人: | 龍淳;熊劍 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陶瓷 電子 部件 及其 制造 方法 | ||
本申請涉及陶瓷電子部件及其制造方法。一種陶瓷電子部件,包括層疊結構,其中多個內部電極層中的每一個和三個以上主成分是陶瓷的電介質層中的每一個交替層疊。三個以上電介質層包括Sn。在三個以上電介質層中的至少兩個的關系中,層疊方向上更靠近最外端的電介質層的Sn濃度低于層疊方向上位于中央側的電介質層的Sn濃度。
技術領域
本發明的特定方面涉及陶瓷電子部件和陶瓷電子部件的制造方法。
背景技術
諸如層疊陶瓷電容器的層疊陶瓷電子部件具有內部電極層夾持電介質層并層疊而成的結構。由于被內部電極層夾持的電介質層的鐵電特性,層疊陶瓷電子部件實現了大的靜電電容密度(例如,參見國際公開號2014/024538)。
發明內容
根據本發明的一個方面,提供一種陶瓷電子部件,包括:層疊結構,其中,多個內部電極層中的每一個和三個以上主成分是陶瓷的電介質層中的每一個交替層疊,其中,三個以上電介質層包括Sn,其中,在三個以上電介質層中的至少兩個的關系中,層疊方向上更靠近最外端的電介質層的Sn濃度低于所述層疊方向上位于中央側的電介質層的Sn濃度。
根據本發明的另一個方面,提供了一種陶瓷電子部件的制造方法,包括:通過在包含陶瓷粉末和Sn源的每個電介質生片上形成包含金屬粉末的每個內部電極圖案來形成層疊單元;通過層疊三個或更多個層疊單元來形成層疊結構;燒制層疊結構,其中,在燒制前的至少兩個電介質生片的關系中,層疊方向上更靠近最外端的電介質生片的Sn濃度低于所述層疊方向上位于中央側的電介質生片的Sn濃度。
附圖說明
圖1是示出層疊陶瓷電容器的立體圖,其中示出層疊陶瓷電容器的一部分的剖面;
圖2示出沿圖1的線A-A截取的剖視圖;
圖3示出沿圖1的線B-B截取的剖視圖;
圖4A和圖4B示出Sn濃度;
圖5示出Sn濃度;
圖6示出層疊陶瓷電容器的制造方法;以及
圖7A和圖7B示出層疊過程。
具體實施方式
內部電極層的金屬可能在燒制過程中擴散并固溶在電介質層的主成分陶瓷中。當內部電極層的金屬固溶在電介質層的主成分陶瓷中時,在電介質層的主成分陶瓷中形成氧缺陷。電介質層的絕緣特性劣化。并且,陶瓷電子部件的壽命可能會縮短。
因此,Sn固溶在電介質層的主成分陶瓷中,抑制了內部電極的主成分金屬的固溶。電介質層的絕緣特性得到改善。并且,可以延長壽命。
然而,Sn促進電介質層的燒結并促進內部電極層的球化(spheroidizing)。因此,可以通過添加Sn來提高電介質層的絕緣特性。另一方面,由球化引起的層疊結構的紊亂可能會降低靜電容量。
將參照附圖給出對實施例的說明。
(實施例)
圖1示出根據實施例的層疊陶瓷電容器100的立體圖,其中示出了層疊陶瓷電容器100的一部分的剖面。圖2示出沿圖1的線A-A截取的剖視圖。圖3示出了沿圖1的線B-B截取的剖視圖。如圖1至圖3所示,層疊陶瓷電容器100包括:具有長方體形狀的層疊芯片10以及分別設置在層疊芯片10的彼此相反的兩個端面上的外部電極對20a、20b。在除了層疊芯片10的兩個端面之外的四個面中,將除了層疊芯片10在層疊方向上的上表面和下表面以外的兩個面稱為側面。外部電極20a和20b延伸到層疊芯片10的上表面、下表面和兩個側面。然而,外部電極20a和20b彼此隔開。
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