[發(fā)明專利]陶瓷電子部件及其制造方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210322821.1
• 申請(qǐng)日: 2022-03-30
• 公開（公告）號(hào): CN115148498A
• 公開（公告）日: 2022-10-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 加藤洋一
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 太陽誘電株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01G4/30
• 分類號(hào): H01G4/30;H01G4/12;H01G4/008;H01G4/232
• 代理公司: 北京尚誠知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;熊劍

1.一種陶瓷電子部件，包括：

層疊結(jié)構(gòu)，在所述層疊結(jié)構(gòu)中多個(gè)內(nèi)部電極層與三個(gè)以上電介質(zhì)層交替層疊，所述電介質(zhì)層的主成分是陶瓷；

其中，所述三個(gè)以上電介質(zhì)層包括Sn，

其中，在所述三個(gè)以上電介質(zhì)層中的至少兩個(gè)的關(guān)系中，層疊方向上更靠近最外端的電介質(zhì)層的Sn濃度低于所述層疊方向上位于中央側(cè)的電介質(zhì)層的Sn濃度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷電子部件，其中，在從多個(gè)電介質(zhì)層的中央層到所述多個(gè)電介質(zhì)層的最外層的多個(gè)電介質(zhì)層的一部分中，所述多個(gè)電介質(zhì)層的最外層的Sn濃度最小。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷電子部件，其中，所述層疊方向上從最外端到中央側(cè)的電介質(zhì)層中，外端的電介質(zhì)層的Sn濃度低于中央側(cè)的其余電介質(zhì)層的Sn濃度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷電子部件，其中，所述層疊方向上從中央電介質(zhì)層到最外電介質(zhì)層的電介質(zhì)層的Sn濃度逐漸減小，或者所述層疊方向上從所述中央電介質(zhì)層到所述最外電介質(zhì)層的電介質(zhì)層的Sn濃度階梯狀地減小。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的陶瓷電子部件，其中，對(duì)于所述三個(gè)以上電介質(zhì)層的Sn濃度，最小Sn濃度與最大Sn濃度的比率為2:3以下。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的陶瓷電子部件，

其中，所述三個(gè)以上電介質(zhì)層具有鈣鈦礦結(jié)構(gòu)，

其中，對(duì)于所述三個(gè)以上電介質(zhì)層的Sn濃度，Sn/B位的最小元素比與Sn/B位的最大元素比之差為0.001以上。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的陶瓷電子部件，

其中，所述三個(gè)以上電介質(zhì)層的主成分陶瓷是鈦酸鋇，

其中，所述多個(gè)內(nèi)部電極層的主成分金屬是鎳。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的陶瓷電子部件，其中，所述三個(gè)以上電介質(zhì)層的厚度為5μm以下。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的陶瓷電子部件，其中，所述三個(gè)以上電介質(zhì)層的Sn濃度為5at％以下。

10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的陶瓷電子部件，其中，所述多個(gè)內(nèi)部電極層的Sn濃度為0.1at％以上。

11.一種制造陶瓷電子部件的方法，包括以下步驟：

通過在包含陶瓷粉末和Sn源的一個(gè)電介質(zhì)生片上形成包含金屬粉末的一個(gè)內(nèi)部電極圖案來形成層疊單元；

通過層疊三個(gè)或更多個(gè)層疊單元來形成層疊結(jié)構(gòu)；

燒制所述層疊結(jié)構(gòu)，

其中，在燒制前的至少兩個(gè)電介質(zhì)生片的關(guān)系中，層疊方向上更靠近最外端的電介質(zhì)生片的Sn濃度低于所述層疊方向上位于中央側(cè)的電介質(zhì)生片的Sn濃度。