[發明專利]三維堆疊的扇出型芯片封裝結構及封裝方法

在審

• 申請號: 202210321632.2
• 申請日: 2022-03-30
• 公開（公告）號: CN114695286A
• 公開（公告）日: 2022-07-01
• 發明（設計）人: 馬力;項敏;季蓉;鄭子企
• 申請（專利權）人: 通富微電子股份有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/13;H01L23/48;H01L25/00;H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60
• 代理公司: 北京中知法苑知識產權代理有限公司 11226
• 代理人: 李明;趙吉陽

1.一種三維堆疊的扇出型芯片封裝結構，其特征在于，包括：

第一基板，其第一表面的中央區域設置有槽體，邊緣區域設置有多個第一電互連結構；

第二基板，其邊緣區域設置有多個第二電互連結構，所述多個第二電互連結構與所述多個第一電互連結構相對應；

多個芯片，所述多個芯片的第一表面固定設置在所述槽體中，并與所述第一電互連結構電連接；

混合鍵合結構，分別將所述第一基板的第一表面以及所述多個芯片的第二表面與所述第二基板混合鍵合連接；

第一重布線層，設置在所述第一基板的第二表面；

第一金屬焊盤，設置在所述第二基板背離所述第一基板的一側。

2.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，所述混合鍵合結構包括：

第一鈍化層和第二金屬焊盤，設置在所述第二基板朝向所述第一基板一側；

第二鈍化層和第三金屬焊盤，設置在所述第一基板的第一表面及所述多個芯片的第二表面；

所述第一鈍化層與所述第二鈍化層鍵合連接，所述第二金屬焊盤與所述第三金屬焊盤鍵合連接。

3.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，所述封裝結構還包括：

第四金屬焊盤，設置在所述多個芯片的第二表面；

第一介電層，設置在所述第一基板的第一表面以及所述第四金屬焊盤的表面上；

第二重布線層，夾設在所述第一介電層和所述混合鍵合結構之間。

4.根據權利要求1至3任一項所述的封裝結構，其特征在于，所述封裝結構還包括：

第二介電層，設置在所述第一重布線層上；

多個焊球，設置在所述第二介電層上。

5.根據權利要求1至3任一項所述的封裝結構，其特征在于，所述第一電互連結構和所述第二電互連結構均為硅通孔。

6.根據權利要求1至3任一項所述的封裝結構，其特征在于，所述多個芯片為相同類型芯片，或者，所述多個芯片分別為不同類型芯片。

7.根據權利要求1至3任一項所述的封裝結構，其特征在于，所述多個芯片的第二表面低于所述槽體的表面。

8.根據權利要求1至3任一項所述的封裝結構，其特征在于，所述多個芯片的第一表面為所述多個芯片的背面。

9.根據權利要求1至3任一項所述的封裝結構，其特征在于，所述封裝結構還包括：

第一粘合膠層，設置在所述多個芯片的第一表面與所述槽體底部之間；

第二粘合膠層，設置在所述多個芯片之間以及所述多個芯片與所述槽體的側壁之間。

10.一種三維堆疊的扇出型芯片的封裝方法，權利要求1至9任一項所述的封裝結構采用所述封裝方法進行封裝。