[發(fā)明專利]一種MicroLED顯示面板制作方法及顯示面板

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202210317411.8
• 申請日: 2022-03-29
• 公開（公告）號: CN114420720B
• 公開（公告）日: 2022-06-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 岳大川;蔡世星
• 申請（專利權(quán)）人: 季華實驗室
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;H01L33/00;H01L33/06;H01L33/48;H01L33/58;G09F9/33
• 代理公司: 佛山市海融科創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44377
• 代理人: 許家裕

本發(fā)明公開了一種MicroLED顯示面板制作方法及顯示面板，屬于MicroLED領(lǐng)域，方法步驟包括，設(shè)置第一阻隔層將第一多量子阱層分隔成多個第一多量子阱；在第一阻隔層中設(shè)置陽極，陽極包括與第一P層接觸的第一陽極、與N層接觸的第二陽極；鍵合并除去第一襯底直至暴露出N層；在N層上設(shè)置頂面具有第二P層的多個第二多量子阱，第二多量子阱位于第二陽極外周；設(shè)置與第二P層和第二陽極接觸且與第二多量子阱隔離的延伸電極，第一多量子阱和第二多量子阱共陰極，二次外延時所需溫度低，能夠保護(hù)第一多量子阱和金屬引線，第一多量子阱和第二多量子阱都能被有源驅(qū)動，實現(xiàn)彩色顯示。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種MicroLED顯示面板制作方法及顯示面板，屬于microled領(lǐng)域。

背景技術(shù)

MicroLED，即微型發(fā)光二極管，MicroLED顯示技術(shù)是指以自發(fā)光的微米級的LED為發(fā)光像素單元，將LED芯片組裝到驅(qū)動面板上形成高密度LED陣列的顯示技術(shù)。由于MicroLED芯片尺寸小、集成度高和自發(fā)光等特點, 在顯示方面與 LCD（液晶）、OLED（有機(jī)發(fā)光半導(dǎo)體）相比在亮度、分辨率、對比度、能耗、使用壽命、響應(yīng)速度和熱穩(wěn)定性等方面具有更大的優(yōu)勢。其中，所用的LED芯片的尺寸在微米級別，使得將LED芯片組裝到驅(qū)動面板變得十分困難，現(xiàn)有技術(shù)中的方法包括薄膜轉(zhuǎn)移、激光轉(zhuǎn)移、靜電轉(zhuǎn)移、電磁轉(zhuǎn)移、流體自組裝等，這些方法在微觀上都是使LED芯片逐個地或逐批地與驅(qū)動面板組裝，用時較長，不良率高。混合鍵合（Hybrid bonding）技術(shù)可以一次性將兩個晶圓的電極邦定在一起，兩個晶圓上的接觸電極經(jīng)過圖形化刻蝕，能夠嚴(yán)格對齊，現(xiàn)有技術(shù)中有案例將混合鍵合技術(shù)應(yīng)用到MicroLED，將整面LED芯片同步組裝到驅(qū)動面板，大大提高了MicroLED面板的組裝效率，但現(xiàn)有技術(shù)中無彩色化LED外延片，市面上只有帶有一種多量子阱的LED外延片，混合鍵合后，鍵合面（即LED芯片與驅(qū)動電極）不能再加工；若在帶有一種多量子阱的LED外延片上二次外延生成N型氮化鎵、第二種多量子阱、P型氮化鎵，則原有的多量子阱深藏在外延片中部，處理時需要較大的加工深度，刻蝕難度極大，因此現(xiàn)有技術(shù)中利用混合鍵合得到的MicroLED面板只能發(fā)出一種顏色的光。

發(fā)明內(nèi)容

為了克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提供一種MicroLED顯示面板制作方法和以該方法制得的顯示面板，能夠彩色發(fā)光。

第一方面，本申請?zhí)峁┮环NMicroLED顯示面板制作方法，以外延片和驅(qū)動面板為原料，所述外延片由底至面依次包括第一襯底、N層、第一多量子阱層和第一P層，所述驅(qū)動面板包括第二襯底和嵌在所述第二襯底中的驅(qū)動電極，所述方法包括以下步驟：

設(shè)置第一阻隔層以將所述第一多量子阱層分隔成多個第一多量子阱；

在所述第一阻隔層中設(shè)置陽極，所述陽極包括與所述第一P層接觸的第一陽極，以及與所述N層接觸的第二陽極；

鍵合所述外延片和所述驅(qū)動面板，使所述驅(qū)動電極與所述陽極邦定，形成雙層晶片；

除去所述第一襯底直至暴露出所述N層；

在所述N層上設(shè)置頂面具有第二P層的多個第二多量子阱，所述第二多量子阱位于所述第二陽極外周；

設(shè)置與所述第二P層和所述第二陽極接觸且與所述第二多量子阱隔離的延伸電極。

利用本申請?zhí)峁┑腗icroLED顯示面板制作方法可以制得彩色顯示的MicroLED顯示面板，二次外延溫度低。

需要注意的是，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)明白，晶片（wafer）為片狀，只有襯底一側(cè)能夠用于固定，只有相對于襯底的另一側(cè)能夠加工。例如除去所述第一襯底直至暴露出所述N層后，晶片倒置了一次。在本申請中，除非特別說明，否則方位描述如“上”“下”均以晶片水平放置且襯底向下為參照系，“表面”“頂面”是指相對于襯底的另一側(cè)的表面。

進(jìn)一步地，所述設(shè)置第一阻隔層以將所述第一多量子阱層分隔成多個第一多量子阱的步驟包括：