[發明專利]一種MicroLED顯示面板制作方法及顯示面板

有效

• 申請號: 202210317411.8
• 申請日: 2022-03-29
• 公開（公告）號: CN114420720B
• 公開（公告）日: 2022-06-17
• 發明（設計）人: 岳大川;蔡世星
• 申請（專利權）人: 季華實驗室
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;H01L33/00;H01L33/06;H01L33/48;H01L33/58;G09F9/33
• 代理公司: 佛山市海融科創知識產權代理事務所(普通合伙) 44377
• 代理人: 許家裕

1.一種MicroLED顯示面板制作方法，以外延片和驅動面板為原料，所述外延片由底至面依次包括第一襯底、N層、第一多量子阱層和第一P層，所述驅動面板包括第二襯底和嵌在所述第二襯底中的驅動電極，其特征在于，所述方法包括以下步驟：

設置第一阻隔層以將所述第一多量子阱層分隔成多個第一多量子阱；

在所述第一阻隔層中設置陽極，所述陽極包括與所述第一P層接觸的第一陽極，以及與所述N層接觸的第二陽極；

鍵合所述外延片和所述驅動面板，使所述驅動電極與所述陽極邦定，形成雙層晶片；

除去所述第一襯底直至暴露出所述N層；

在所述N層上設置頂面具有第二P層的多個第二多量子阱，以使所述第一多量子阱和所述第二多量子阱共用同一層所述N層作為陰極，所述第二多量子阱位于所述第二陽極外周；

設置與所述第二P層和所述第二陽極接觸且與所述第二多量子阱隔離的延伸電極。

2.根據權利要求1所述的MicroLED顯示面板制作方法，其特征在于，所述設置第一阻隔層以將所述第一多量子阱層分隔成多個第一多量子阱的步驟包括：

圖形化刻蝕所述第一多量子阱層，使所述第一多量子阱層隔斷成多個所述第一多量子阱；

在所述外延片上生成覆蓋所述外延片的第一阻隔層。

3.根據權利要求1所述的MicroLED顯示面板制作方法，其特征在于，所述在所述第一阻隔層中設置陽極的步驟包括：

圖形化刻蝕所述第一阻隔層形成陽極槽，所述陽極槽包括刻蝕至所述第一P層的第一陽極槽，以及刻蝕至所述N層的第二陽極槽；

在所述外延片上生成覆蓋所述外延片的陽極金屬；

磨削所述陽極金屬直至暴露出所述第一阻隔層，以在所述第一陽極槽內保留出所述第一陽極，在所述第二陽極槽內保留出所述第二陽極。

4.根據權利要求1所述的MicroLED顯示面板制作方法，其特征在于，所述在所述N層上設置頂面具有第二P層的多個第二多量子阱的步驟包括：

在所述N層上生成第二多量子阱層；

在所述第二多量子阱層上生成第二P層；

圖形化刻蝕所述雙層晶片，暴露出所述第二陽極的頂部，且在所述第一多量子阱的上方暴露出所述N層，以將所述第二多量子阱層隔斷成多個第二多量子阱。

5.根據權利要求4所述的MicroLED顯示面板制作方法，其特征在于，所述圖形化刻蝕所述雙層晶片，暴露出所述第二陽極的頂部，且在所述第一多量子阱的上方暴露出所述N層，以將所述第二多量子阱層隔斷成多個第二多量子阱的步驟包括：

在所述第二P層上設置第三光刻膠和較所述第三光刻膠厚的第四光刻膠，所述第三光刻膠位于所述第一陽極上方，所述第四光刻膠位于所述第二陽極的外周；

刻蝕所述雙層晶片，以轟去所述第三光刻膠并在所述第一陽極上方刻蝕至暴露出所述N層，在所述第二陽極的上方刻蝕至暴露出所述第二陽極的頂部；

除去殘留的所述第四光刻膠。

6.根據權利要求1所述的MicroLED顯示面板制作方法，其特征在于，每個所述第一多量子阱旁設置有一個所述第二多量子阱，所述設置與所述第二P層和所述第二陽極接觸且與所述第二多量子阱隔離的延伸電極的步驟包括：

在所述雙層晶片上生成第二阻隔層；

圖形化刻蝕所述第二阻隔層形成延伸電極槽，所述延伸電極槽包括刻蝕至所述第二陽極的主延伸槽，以及刻蝕至所述第二P層的副延伸槽；

在所述雙層晶片上生成覆蓋所述雙層晶片的延伸金屬；

圖形化刻蝕所述延伸金屬，以形成互相斷開的多個延伸電極，所述延伸電極在所述副延伸槽與所述第二P層接觸，在所述主延伸槽與所述第二陽極接觸。