[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210314523.8
• 申請(qǐng)日: 2022-03-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN114743979A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-07-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉憲周;李冰寒
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/11521
• 分類號(hào): H01L27/11521;H01L21/336
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 周耀君

本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，包括：提供襯底，在所述襯底上形成堆疊層，所述堆疊層包括依次堆疊在所述襯底上的浮柵多晶硅層、第一氧化層及氮化硅層；刻蝕所述堆疊層及部分所述襯底以形成開(kāi)口，所述開(kāi)口貫通所述堆疊層并延伸至所述襯底內(nèi)；在所述開(kāi)口中形成淺槽隔離結(jié)構(gòu)，所述淺槽隔離結(jié)構(gòu)填充部分所述開(kāi)口；進(jìn)行第一刻蝕工藝以除去剩余的所述氮化硅層。在對(duì)所述氮化硅層進(jìn)行刻蝕時(shí)，所述第一氧化層可以保護(hù)所述浮柵多晶硅層不被腐蝕，有效避免所述浮柵多晶硅層表面出現(xiàn)空洞，進(jìn)而提高所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)性能的可靠性。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法。

背景技術(shù)

采用非易失性存儲(chǔ)(non-volatile mereory，NVM)技術(shù)的存儲(chǔ)器目前被廣泛應(yīng)用于智能手機(jī)、平板電腦、數(shù)碼相機(jī)等具有存儲(chǔ)功能的電子產(chǎn)品中，NVM存儲(chǔ)器中，NORD閃存具傳輸效率高及成本低的特點(diǎn)。

然而，目前的NORD閃存在制備過(guò)程中，浮柵多晶硅層容易被腐蝕，使所述浮柵多晶硅層的表面出現(xiàn)微小的空洞而形成缺陷，當(dāng)所述浮柵多晶硅層形成浮柵之后，所述空洞會(huì)使所述浮柵內(nèi)局部的電場(chǎng)被增強(qiáng)，影響NORD閃存的性能的可靠性及產(chǎn)品的良率。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，避免浮柵多晶硅層在制備過(guò)程中出現(xiàn)空洞，進(jìn)而提高半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的可靠性。

為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：

提供襯底，在所述襯底上形成堆疊層，所述堆疊層包括依次堆疊在所述襯底上的浮柵多晶硅層、第一氧化層及氮化硅層；

刻蝕所述堆疊層及部分所述襯底以形成開(kāi)口，所述開(kāi)口貫通所述堆疊層并延伸至所述襯底內(nèi)；

在所述開(kāi)口中形成淺槽隔離結(jié)構(gòu)，所述淺槽隔離結(jié)構(gòu)填充部分所述開(kāi)口；

進(jìn)行第一刻蝕工藝以除去剩余的所述氮化硅層。

可選的，所述第一刻蝕工藝為濕法刻蝕工藝，采用的刻蝕劑為磷酸。

可選的，除去剩余的所述氮化硅層之后，還包括：

進(jìn)行第二刻蝕工藝以除去剩余的所述第一氧化層。

可選的，所述第二刻蝕工藝為濕法刻蝕工藝，采用的刻蝕劑為氫氟酸。

可選的，所述浮柵多晶硅層的材料為摻磷多晶硅。

可選的，所述第一氧化層的厚度為

可選的，形成所述淺槽隔離結(jié)構(gòu)的步驟還包括：

在所述襯底上形成隔離材料層，所述隔離材料層充滿所述開(kāi)口并延伸覆蓋所述氮化硅層；

對(duì)所述隔離材料層進(jìn)行平坦化工藝，減薄所述隔離材料層直至露出所述氮化硅層；

對(duì)所述隔離材料層進(jìn)行第三刻蝕工藝，除去所述開(kāi)口內(nèi)的部分所述隔離材料層，剩余的所述隔離材料層構(gòu)成所述淺槽隔離結(jié)構(gòu)。

可選的，所述淺槽隔離結(jié)構(gòu)的頂部高于所述第一氧化層的頂部；或者所述淺槽隔離結(jié)構(gòu)的頂部與所述第一氧化層的頂部齊平。

可選的，除去所述氮化硅層之后，還包括：

在所述浮柵層上依次形成ONO層及控制柵多晶硅層。

可選的，所述氮化硅層的厚度為