[發明專利]一種半導體結構的制備方法在審
| 申請號： | 202210314523.8 | 申請日： | 2022-03-28 |
| 公開（公告）號： | CN114743979A | 公開（公告）日： | 2022-07-12 |
| 發明（設計）人： | 劉憲周;李冰寒 | 申請（專利權）人： | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/11521 | 分類號： | H01L27/11521;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 201203 上海市浦東新區中*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 半導體 結構 制備 方法 | ||
1.一種半導體結構的制備方法，其特征在于，包括：
提供襯底，在所述襯底上形成堆疊層，所述堆疊層包括依次堆疊在所述襯底上的浮柵多晶硅層、第一氧化層及氮化硅層；
刻蝕所述堆疊層及部分所述襯底以形成開口，所述開口貫通所述堆疊層并延伸至所述襯底內；
在所述開口中形成淺槽隔離結構，所述淺槽隔離結構填充部分所述開口；
進行第一刻蝕工藝以除去剩余的所述氮化硅層。
2.如權利要求1所述的一種半導體結構的制備方法，其特征在于，所述第一刻蝕工藝為濕法刻蝕工藝，采用的刻蝕劑為磷酸。
3.如權利要求1所述的一種半導體結構的制備方法，其特征在于，除去剩余的所述氮化硅層之后，還包括：
進行第二刻蝕工藝以除去剩余的所述第一氧化層。
4.如權利要求1所述的一種半導體結構的制備方法，其特征在于，所述第二刻蝕工藝為濕法刻蝕工藝，采用的刻蝕劑為氫氟酸。
5.如權利要求1所述的一種半導體結構的制備方法，其特征在于，所述浮柵多晶硅層的材料為摻磷多晶硅。
6.如權利要求1所述的一種半導體結構的制備方法，其特征在于，所述第一氧化層的厚度為
7.如權利要求1所述的一種半導體結構的制備方法，其特征在于，形成所述淺槽隔離結構的步驟還包括：
在所述襯底上形成隔離材料層，所述隔離材料層充滿所述開口并延伸覆蓋所述氮化硅層；
對所述隔離材料層進行平坦化工藝，減薄所述隔離材料層直至露出所述氮化硅層；
對所述隔離材料層進行第三刻蝕工藝，除去所述開口內的部分所述隔離材料層，剩余的所述隔離材料層構成所述淺槽隔離結構。
8.如權利要求1或7所述的一種半導體結構的制備方法，其特征在于，所述淺槽隔離結構的頂部高于所述第一氧化層的頂部；或者所述淺槽隔離結構的頂部與所述第一氧化層的頂部齊平。
9.如權利要求8所述的一種半導體結構的制備方法，其特征在于，除去所述氮化硅層之后，還包括：
在所述浮柵層上依次形成ONO層及控制柵多晶硅層。
10.如權利要求1所述的一種半導體結構的制備方法，其特征在于，所述氮化硅層的厚度為
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
