[發(fā)明專(zhuān)利]襯底處理方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202210311352.3 | 申請(qǐng)日: | 2022-03-28 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN114695081A | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-07-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王穎慧;羅曉菊 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 鎵特半導(dǎo)體科技(上海)有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L21/02 | 分類(lèi)號(hào): | H01L21/02;B24B37/04;B24B37/10 |
| 代理公司: | 華進(jìn)聯(lián)合專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 44224 | 代理人: | 史治法 |
| 地址: | 200135 上海市浦東新區(qū)自由貿(mào)*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 襯底 處理 方法 | ||
本申請(qǐng)具體涉及一種襯底處理方法,包括:提供襯底;對(duì)襯底的正面進(jìn)行正面研磨;對(duì)正面研磨后的襯底進(jìn)行刻蝕處理;自刻蝕處理后的所述襯底的背面進(jìn)行背面減薄處理。由于在對(duì)襯底的正面進(jìn)行正面研磨后,會(huì)使得襯底的正面存在大量的損傷層,從而使得襯底的正面存在較大的應(yīng)力,如果在此之后直接對(duì)襯底從背面進(jìn)行背面減薄,會(huì)因?yàn)橐r底的正面存在較大應(yīng)力使得襯底正面和背面應(yīng)力不一致而導(dǎo)致襯底發(fā)生裂片;上述實(shí)施例中的襯底處理方法在對(duì)襯底的正面進(jìn)行正面研磨后,通過(guò)對(duì)正面研磨后的襯底進(jìn)行刻蝕處理,可以去除損傷層,釋放襯底正面的應(yīng)力;再對(duì)襯底從背面進(jìn)行背面減薄時(shí),可以使得襯底不容易發(fā)生裂片,從而提高襯底減薄的良率。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請(qǐng)屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種襯底處理方法。
背景技術(shù)
襯底生長(zhǎng)完成后,表面一般不平整,需要進(jìn)行減薄、拋光后,才能一步一步的降低厚度和表面粗糙度,從而達(dá)到所需的厚度和表面粗糙度。
然而,目前在對(duì)襯底進(jìn)行減薄的過(guò)程中,由于襯底會(huì)存在較大的應(yīng)力,從而導(dǎo)致襯底在減薄過(guò)程中容易發(fā)生裂片,進(jìn)而使得襯底減薄的良率較低。
發(fā)明內(nèi)容
為了解決現(xiàn)有技術(shù)對(duì)襯底進(jìn)行減薄的過(guò)程中,由于襯底會(huì)存在較大的應(yīng)力而導(dǎo)致的襯底在減薄過(guò)程容易發(fā)生裂片,進(jìn)而使得襯底減薄的良率較低的問(wèn)題,有必要提供一種襯底處理方法,以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問(wèn)題。
本申請(qǐng)的一方面提供一種襯底處理方法,包括:
提供襯底;
對(duì)所述襯底的正面進(jìn)行正面研磨;
對(duì)正面研磨后的所述襯底進(jìn)行刻蝕處理;
自刻蝕處理后的所述襯底的背面進(jìn)行背面減薄處理。
由于在對(duì)襯底的正面進(jìn)行正面研磨后,會(huì)使得襯底的正面存在大量的損傷層,從而使得襯底的正面存在較大的應(yīng)力,如果在此之后直接對(duì)襯底從背面進(jìn)行背面減薄,會(huì)因?yàn)橐r底的正面存在較大應(yīng)力使得襯底正面和背面應(yīng)力不一致而導(dǎo)致襯底發(fā)生裂片;上述實(shí)施例中的襯底處理方法中,在對(duì)襯底的正面進(jìn)行正面研磨后,通過(guò)對(duì)正面研磨后的襯底進(jìn)行刻蝕處理,可以去除損傷層,釋放襯底正面的應(yīng)力;再對(duì)襯底從背面進(jìn)行背面減薄時(shí),可以使得襯底不容易發(fā)生裂片,從而提高襯底減薄的良率。
在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述襯底包括采用外延工藝外延生長(zhǎng)的氮化鎵襯底,所述襯底的正面為鎵面,所述襯底的背面為氮面;所述外延工藝中,所述襯底的外延生長(zhǎng)速率包括50μm/h~110μm/h。
在外延生長(zhǎng)襯底的過(guò)程中,采用50μm/h~110μm/h的生長(zhǎng)速率生長(zhǎng)的襯底堆疊性能較好,襯底內(nèi)產(chǎn)生的內(nèi)應(yīng)力較小,在對(duì)襯底進(jìn)行減薄過(guò)程中不容易產(chǎn)生微裂紋,從而可以減小襯底在減薄過(guò)程中發(fā)生裂片的幾率。
在其中一個(gè)實(shí)施例中,使用研磨輪的研磨牙齒對(duì)所述襯底的正面進(jìn)行研磨;所述研磨牙齒的材料包括:研磨料、粘合劑、分散劑及氣孔;所述研磨料的體積百分比包括20%~25%,所述粘合劑的體積百分比包括20%~22%,所述分散劑的體積百分比包括1%~3%,所述氣孔的體積百分比包括50%~59%。
在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述研磨料包括金剛石,所述粘合劑包括玻璃陶瓷粘合劑,所述分散劑包括含碳分散劑。
在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述研磨料的粒徑包括50μm~60μm。
在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述對(duì)所述襯底的正面進(jìn)行正面研磨的過(guò)程中,所述襯底的去除速率包括0.01μm/s-10μm/s。
在其中一個(gè)實(shí)施例中,將所述襯底置于吸附盤(pán),使用所述研磨輪對(duì)所述襯底的正面進(jìn)行研磨,研磨過(guò)程中,所述吸附盤(pán)的轉(zhuǎn)速為0~300rmp,所述研磨輪的轉(zhuǎn)速為1000rmp~2000rmp。
在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述對(duì)正面研磨后的所述襯底進(jìn)行刻蝕處理包括:
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