[發明專利]襯底處理方法

在審

• 申請號: 202210311352.3
• 申請日: 2022-03-28
• 公開（公告）號: CN114695081A
• 公開（公告）日: 2022-07-01
• 發明（設計）人: 王穎慧;羅曉菊
• 申請（專利權）人: 鎵特半導體科技（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;B24B37/04;B24B37/10
• 代理公司: 華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 史治法

1.一種襯底處理方法，其特征在于，包括：

提供襯底；

對所述襯底的正面進行研磨；

對正面研磨后的所述襯底進行刻蝕處理；

自刻蝕處理后的所述襯底的背面進行背面減薄處理。

2.根據權利要求1所述的襯底處理方法，其特征在于，所述襯底包括采用外延工藝外延生長的氮化鎵襯底，所述襯底的正面為鎵面，所述襯底的背面為氮面；所述外延工藝中，所述襯底的外延生長速率包括50μm/h～110μm/h。

3.根據權利要求1所述的襯底處理方法，其特征在于，使用研磨輪的研磨牙齒對所述襯底的正面進行研磨；所述研磨牙齒的材料包括：研磨料、粘合劑、分散劑及氣孔；所述研磨料的體積百分比包括20％～25％，所述粘合劑的體積百分比包括20％～22％，所述分散劑的體積百分比包括1％～3％，所述氣孔的體積百分比包括50％～59％。

4.根據權利要求3所述的襯底處理方法，其特征在于，所述研磨料包括金剛石，所述粘合劑包括玻璃陶瓷粘合劑，所述分散劑包括含碳分散劑。

5.根據權利要求4所述的襯底處理方法，其特征在于，所述研磨料的粒徑包括50μm～60μm。

6.根據權利要求3所述的襯底處理方法，其特征在于，所述對所述襯底的正面進行正面研磨的過程中，所述襯底的去除速率包括0.01μm/s-10μm/s。

7.根據權利要求6所述的襯底處理方法，其特征在于，將所述襯底置于吸附盤，使用所述研磨輪對所述襯底的正面進行研磨，研磨過程中，所述吸附盤的轉速為0～300rmp，所述研磨輪的轉速為1000rmp～2000rmp。

8.根據權利要求1至7中任一項中所述的襯底處理方法，其特征在于，所述對正面研磨后的所述襯底進行刻蝕處理包括：

使用酸溶液或堿溶液對正面研磨后的所述襯底進行刻蝕處理。

9.根據權利要求8所述的襯底處理方法，其特征在于，所述使用酸溶液或堿溶液對正面研磨后的所述襯底進行刻蝕處理包括：

將正面研磨后的所述襯底浸泡于所述酸溶液或堿溶液中，以對正面研磨后的所述襯底的進行刻蝕處理。

10.根據權利要求8所述的襯底處理方法，其特征在于，所述酸溶液包括濃硫酸、濃硝酸或濃鹽酸，所述堿溶液包括氫氧化鉀溶液；所述酸溶液的溫度或所述堿溶液的溫度包括70℃～170℃，所述刻蝕處理的時間包括5min～2h；所述酸溶液的摩爾濃度大于3mol/L，所述堿溶液的摩爾濃度大于3mol/L。