[發明專利]一種高增殖能力和高細胞毒性CIK細胞的培養方法及其應用

有效

• 申請號: 202210308914.9
• 申請日: 2022-03-25
• 公開（公告）號: CN114507640B
• 公開（公告）日: 2023-09-08
• 發明（設計）人: 楊桂花;楊海霞;趙進軍
• 申請（專利權）人: 和攜科技有限公司
• 主分類號: C12N5/0783
• 分類號: C12N5/0783;A61K35/17;A61P35/00
• 代理公司: 北京維正專利代理有限公司 11508
• 代理人: 侯巍巍

1.一種高增殖能力和高細胞毒性CIK細胞的培養方法，其特征在于，使用CIK細胞培養基進行CIK細胞體外擴增，所述CIK細胞培養基包括基礎培養基和添加在基礎培養基中的第一組分和第二組分；

所述第一組分包括蒲公英甾醇、菊苣酸以及五味子醇；

所述第一組分中各物質在基礎培養基中的終濃度為：

蒲公英甾醇：1.0-2.5μg/mL；

菊苣酸：1.5-4.0μg/mL；

五味子醇：0.3-1.5μg/mL；

所述第二組分可誘導PBMC細胞分化為CIK細胞；

所述第二組分包括干擾素-γ、鼠抗人CD3單克隆抗體、重組人白細胞介素2、重組人白細胞介素1α以及植物血凝素；

所述第二組分中各物質在基礎培養基中的終濃度為：

干擾素-γ：1000U/mL；

鼠抗人CD3單克隆抗體：50ng/mL；

重組人白細胞介素2：500U/mL；

重組人白細胞介素1α：100U/mL；

植物血凝素：500ng/mL。

2.根據權利要求1所述的一種高增殖能力和高細胞毒性CIK細胞的培養方法，其特征在于，所述基礎培養基獨立地選自1640培養基、GT-T551培養基以及RMPI-1640培養基中的一種。

3.根據權利要求1所述的一種高增殖能力和高細胞毒性CIK細胞的培養方法，其特征在于，所述CIK細胞培養基還包括添加在基礎培養基中的第三組分，所述第三組分還包括人參皂苷以及攬香烯。

4.根據權利要求3所述的一種高增殖能力和高細胞毒性CIK細胞的培養方法，其特征在于，所述第三組分中各物質在基礎培養基中的終濃度為：

人參皂苷：5.0-7.5μg/mL；

攬香烯：0.3-2.0μg/mL。

5.根據權利要求3所述的一種高增殖能力和高細胞毒性CIK細胞的培養方法，其特征在于，具體包括以下培養步驟：

S1、從新鮮的靜脈外周血中分離得到PBMC細胞；

S2、將得到的PBMC細胞加入含有第一組分的基礎培養基中，接著加入干擾素-γ，于37℃、5％CO₂的培養環境中進行培養；

S3、在培養24h后加入鼠抗人CD3單克隆抗體、重組人白細胞介素2、重組人白細胞介素1α以及植物血凝素。

6.根據權利要求5所述的一種高增殖能力和高細胞毒性CIK細胞的培養方法，其特征在于，所述步驟S2中，添加完干擾素-γ后2h，補加添加有人參皂苷和攬香烯的基礎培養基。

7.根據權利要求5所述的一種高增殖能力和高細胞毒性CIK細胞的培養方法，其特征在于，所述步驟S2和S3中，保持PBMC細胞的密度為2-4×10⁶個/mL。